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在更寬帶寬應(yīng)用中使用零漂移放大器的注意事項(xiàng)
零漂移運(yùn)算放大器使用斬波、自穩(wěn)零或這兩種技術(shù)的結(jié)合來(lái)消除不需要的低頻誤差源，例如失調(diào)和1/f噪聲。傳統(tǒng)上，此類(lèi)放大器僅用于低帶寬應(yīng)用中，因?yàn)檫@些技術(shù)在較高頻率時(shí)會(huì)產(chǎn)生偽像。只要系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)考慮了高頻誤差，例如紋波、毛刺和交調(diào)失真(IMD)等，較寬帶寬的解決方案也可以受益于零漂移運(yùn)算放大...
2024-11-19
零漂移放大器 寬帶寬應(yīng)用
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第9講：SiC的加工工藝（1）離子注入
離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過(guò)離子注入，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂?。本文?jiǎn)要介紹離子注入工藝及其注意事項(xiàng)。
2024-11-19
SiC 加工工藝 離子
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集成開(kāi)關(guān)控制器如何提升系統(tǒng)能效？
近年來(lái)，高度依賴(lài)在線資源的混合辦公模式加速普及，電子系統(tǒng)成為了必不可少的工具，效率的重要性愈發(fā)凸顯。這要求我們不僅在現(xiàn)場(chǎng)操作期間，更要在生產(chǎn)制造過(guò)程中，采取各種措施提升能效。
2024-11-17
開(kāi)關(guān)控制器 系統(tǒng) 能效
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利用IMU增強(qiáng)機(jī)器人定位：實(shí)現(xiàn)精確導(dǎo)航的基礎(chǔ)技術(shù)
本文重點(diǎn)介紹了慣性測(cè)量單元(IMU)傳感器對(duì)于機(jī)器人定位的重要性，并概述了其主要優(yōu)點(diǎn)。IMU可提供關(guān)鍵的運(yùn)動(dòng)數(shù)據(jù)，已成為機(jī)器人精確定位的重要組成部分。IMU集成了加速度計(jì)、陀螺儀和磁力計(jì)，通過(guò)提供實(shí)時(shí)響應(yīng)，使機(jī)器人能夠準(zhǔn)確地確定其方向、位置和運(yùn)動(dòng)，從而使機(jī)器人能夠在動(dòng)態(tài)變化的環(huán)境中導(dǎo)航。...
2024-11-15
MU 機(jī)器人定位 導(dǎo)航
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安森美與伍爾特電子攜手升級(jí)高精度電力電子應(yīng)用虛擬設(shè)計(jì)
安森美 (onsemi) 和伍爾特電子（Würth Elektronik）宣布，伍爾特電子的無(wú)源元件數(shù)據(jù)庫(kù)已集成到安森美獨(dú)特的 PLECS? 模型自助生成工具 (SSPMG) 中。SSPMG 是基于 Web 的平臺(tái)，界面直觀、簡(jiǎn)單易用，能夠幫助工程師針對(duì)復(fù)雜的電力電子應(yīng)用定制高精度、高保真 PLECS 模型，從而盡早發(fā)現(xiàn)和修復(fù)設(shè)計(jì)過(guò)程中...
2024-11-14
安森美 伍爾特電子 電力電子應(yīng)用
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距離2025最近的一場(chǎng)電子信息行業(yè)盛會(huì)即將開(kāi)幕
2024行將歲末，電子信息行業(yè)在起伏震蕩中繼續(xù)前進(jìn)。隨著大洋彼岸新一輪大選完成，即將到來(lái)的2025勢(shì)將面臨各種確定性與不確定性疊加、交纏的復(fù)雜局面，如何應(yīng)對(duì)這些風(fēng)險(xiǎn)、挑戰(zhàn)便成為眼下整個(gè)行業(yè)和各路企業(yè)都必須認(rèn)真思考與謀劃的重要課題。
2024-11-13
芯片產(chǎn)業(yè) 集成電路
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采用能量收集技術(shù)為嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)永續(xù)供電
許多無(wú)法連接市電的嵌入式系統(tǒng)通常會(huì)采用電池供電，但當(dāng)電池電量用完時(shí)，更換電池的維護(hù)成本相對(duì)較高，并造成相當(dāng)多的困擾，若能通過(guò)能量收集技術(shù)來(lái)為系統(tǒng)永續(xù)供電，便可解決這個(gè)問(wèn)題。本文將為您介紹如何利用能量收集技術(shù)來(lái)建立永久運(yùn)行的嵌入式系統(tǒng)，以及由Silicon Labs（芯科科技）推出的相關(guān)解...
2024-11-12
能量收集技術(shù) 嵌入式系統(tǒng) 供電
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功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（二）——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-11-12
功率器件 熱設(shè)計(jì) 功率半導(dǎo)體 熱阻 串聯(lián) 并聯(lián)
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實(shí)時(shí)控制技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)可靠且可擴(kuò)展的高壓設(shè)計(jì)
隨著功率水平需求的提升和現(xiàn)代電源系統(tǒng)的日趨復(fù)雜，對(duì)高壓系統(tǒng)的需求也發(fā)生了重大變化。為了有效滿足這些需求，有必要采用實(shí)時(shí) MCU 或數(shù)字電源控制器來(lái)控制先進(jìn)的電源拓?fù)?，通過(guò)這些出色的拓?fù)鋪?lái)同時(shí)滿足精細(xì)的規(guī)格和各種電源要求。本文將討論數(shù)字電源控制在高壓應(yīng)用中的一些優(yōu)勢(shì)，并演示其如何助力...
2024-11-10
高壓系統(tǒng) 電力電子設(shè)備 實(shí)時(shí)控制技術(shù)
- 【“源”察秋毫系列】下一代半導(dǎo)體氧化鎵器件光電探測(cè)器應(yīng)用與測(cè)試
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