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電機(jī)驅(qū)動(dòng)創(chuàng)新，如何解決機(jī)器人運(yùn)動(dòng)控制中的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)？
電機(jī)是機(jī)器人執(zhí)行器系統(tǒng)的關(guān)鍵部件，負(fù)責(zé)機(jī)器人的移動(dòng)和控制。根據(jù)電磁原理，電機(jī)可將電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能，從而為機(jī)器人的物理運(yùn)動(dòng)提供動(dòng)力?，F(xiàn)在，機(jī)器人可以完成從簡(jiǎn)單的輪子旋轉(zhuǎn)到非常復(fù)雜的醫(yī)療手術(shù)等操作，這一過程通常由機(jī)器人控制器來掌控，它們通過向電機(jī)發(fā)送控制信號(hào)以達(dá)到執(zhí)行這些動(dòng)作的目...
2024-09-25
電機(jī)驅(qū)動(dòng) 機(jī)器人 運(yùn)動(dòng)控制
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學(xué)子專區(qū)—ADALM2000實(shí)驗(yàn)：調(diào)諧放大器級(jí)
當(dāng)輸入頻率（FIN）低于FR時(shí)，電路阻抗從其最大值開始減小并呈感性。當(dāng)FIN高于FR時(shí)，電路阻抗再次下降，但呈容性。當(dāng)在FR處工作時(shí)，諧振電路的阻抗達(dá)到其最大值。因此，調(diào)諧共發(fā)射極放大器2的增益也處于最大值。
2024-09-25
ADALM2000 調(diào)諧放大器
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使用 SSCB 保護(hù)現(xiàn)代高壓直流系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì)
在各種應(yīng)用中，系統(tǒng)效率和功率密度不斷提高，這導(dǎo)致了更高的直流系統(tǒng)電壓。然而，傳統(tǒng)的電路保護(hù)解決方案不足以在保持高可靠性和安全性的同時(shí)有效保護(hù)這些高壓配電系統(tǒng)。
2024-09-23
SSCB 保護(hù) 高壓直流系統(tǒng)
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【測(cè)試案例分享】 如何評(píng)估熱載流子引導(dǎo)的MOSFET衰退
隨著MOSFET柵極長度的減小，熱載流子誘發(fā)的退化已成為重要的可靠性問題之一。在熱載流子效應(yīng)中，載流子被通道電場(chǎng)加速并被困在氧化物中。這些被捕獲的電荷會(huì)引起測(cè)量器件參數(shù)的時(shí)間相關(guān)位移，例如閾值電壓 (VTH)、跨導(dǎo) (GM)以及線性 (IDLIN) 和飽和 (IDSAT) 漏極電流。隨著時(shí)間的推移，可能會(huì)發(fā)生實(shí)...
2024-09-22
泰克科技 熱載流子 MOSFET 測(cè)試
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基于GD32F407VET6主控芯片的永磁同步電機(jī)控制器設(shè)計(jì)
作品以國產(chǎn)MCU為核心，配合成熟的硬件方案和完善的軟件算法，解決了永磁同步電機(jī)在單母線電流傳感器拓?fù)潋?qū)動(dòng)下零低速和中高速范圍內(nèi)無位置傳感器控制問題，實(shí)驗(yàn)效果優(yōu)異，對(duì)于提高永磁同步電機(jī)在風(fēng)機(jī)、水泵、電動(dòng)工具等應(yīng)用領(lǐng)域具有積極意在僅有單母線電流傳感器的情況下，實(shí)現(xiàn)永磁同步電機(jī)的零低速...
2024-09-20
GD32F407VET6 主控芯片 永磁同步電機(jī)控制器
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用于測(cè)試汽車逆變器的主動(dòng)電機(jī)仿真
作為電池模擬器，可以使用標(biāo)準(zhǔn)電源。通過適當(dāng)控制電機(jī)模擬器，相電流通過相線圈從 DUT 流向模擬器，并通過 DC-Link 流回 DUT，反之亦然。因此，DC-Link受到實(shí)際電流的壓力，但由于能量在兩個(gè)逆變器之間流動(dòng)，因此電池模擬只需為整個(gè)系統(tǒng)的損耗提供能量。這是重要的好處之一：可以使用相對(duì)較小的電源...
2024-09-15
汽車逆變器 測(cè)試 電機(jī)仿真
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電氣負(fù)載模擬器
電氣負(fù)載仿真的概念涉及控制電力電子轉(zhuǎn)換器，使其行為類似于實(shí)際電氣負(fù)載。例如，電壓源逆變器 (VSI) 可以仿真感應(yīng)電機(jī)。在不同情況下，負(fù)載仿真器的使用至關(guān)重要。它有助于分析在各種負(fù)載條件和環(huán)境下將多臺(tái)機(jī)器連接到電網(wǎng)的可行性。的部分是，這可以在沒有任何機(jī)電機(jī)械的情況下完成。負(fù)載仿真器可...
2024-09-15
電氣 負(fù)載模擬器
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第4講：SiC的物理特性
SiC作為半導(dǎo)體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對(duì)比見表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度，可實(shí)現(xiàn)高耐壓。與另一種寬禁帶半導(dǎo)體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導(dǎo)通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備...
2024-09-11
SiC
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氮化鎵在高壓應(yīng)用中提供強(qiáng)大的解決方案
在電子工程領(lǐng)域，向更高工作電壓發(fā)展的趨勢(shì)是由各種應(yīng)用中對(duì)提高效率和功率密度的需求所推動(dòng)的。氮化鎵（GaN）技術(shù)正作為一種強(qiáng)大的解決方案來滿足這些需求。
2024-09-11
氮化鎵 高壓應(yīng)用
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