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巨磁阻多圈位置傳感器的磁體設(shè)計(jì)
多圈傳感器本質(zhì)上是將磁寫(xiě)入和電子讀取存儲(chǔ)器與傳統(tǒng)的磁性角度傳感器相結(jié)合，以提供高精度的絕對(duì)位置?！熬哂姓嬲想娔芰εc零功耗的多圈位置傳感器(TPO)”中描述的磁寫(xiě)入過(guò)程需要使用特定的操作窗口來(lái)維持入射磁場(chǎng)。如果磁場(chǎng)過(guò)高或過(guò)低，可能會(huì)出現(xiàn)磁寫(xiě)入錯(cuò)誤。在設(shè)計(jì)系統(tǒng)磁體時(shí)必須小心仔細(xì)，并考慮...
2023-12-05
巨磁阻 位置傳感器 磁體設(shè)計(jì)
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從 L1~L5 自動(dòng)駕駛芯片發(fā)生了哪些變化？
汽車(chē)芯片主要分為功能芯片、功率器件和傳感器三大類(lèi)。在傳統(tǒng)燃油車(chē)中，平均芯片搭載量約為 500-600 顆/輛，而隨著前面提到的汽車(chē)電動(dòng)化、智能化的演進(jìn)，平均芯片搭載量已提升至 1000 顆/輛，在新能源車(chē)中更是超過(guò)了 2000 顆/輛，未來(lái)隨著電車(chē)智能化的升級(jí)，還有望提升至 3000 顆/輛，甚至更多。
2023-12-04
自動(dòng)駕駛芯片 汽車(chē)
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芯原股份戴偉民：Chiplet會(huì)在AIGC和智慧駕駛領(lǐng)域率先落地
隨著ChatGPT的火爆，AI技術(shù)再次引發(fā)人們的關(guān)注。數(shù)據(jù)顯示，現(xiàn)在與AI相關(guān)的芯片占比約為20%，而到2030年這一占比將會(huì)上升至70%。這意味著，未來(lái)不管做什么芯片，多少都和AI有關(guān)系。
2023-12-04
芯原股份 Chiplet AIGC 智慧駕駛
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面向汽車(chē)應(yīng)用的智能電子保險(xiǎn)絲 提高48 V電氣系統(tǒng)架構(gòu)安全性
由于在輕型混合動(dòng)力車(chē)輛中集成了48 V電氣系統(tǒng)和48 V標(biāo)準(zhǔn)，因而需要重新評(píng)估過(guò)流或短路保護(hù)，因?yàn)樵?8 V（電源電壓）下，繼電器觸點(diǎn)之間的距離要求大于12 V 電壓下情形，才能熄滅保護(hù)繼電器開(kāi)關(guān)時(shí)產(chǎn)生的電弧。這會(huì)導(dǎo)致延遲關(guān)斷和加速觸點(diǎn)磨損。
2023-11-30
電氣系統(tǒng)架構(gòu) 汽車(chē)應(yīng)用 智能電子保險(xiǎn)絲
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電池冷卻系統(tǒng)對(duì)電動(dòng)汽車(chē)如何重要？
傳統(tǒng)車(chē)輛以內(nèi)燃機(jī)為基礎(chǔ)，靠消耗燃油驅(qū)動(dòng)行駛。因此進(jìn)口石油在國(guó)家經(jīng)濟(jì)中占了很大比重。相比之下，以電力為能源的電動(dòng)汽車(chē)不僅能支持經(jīng)濟(jì)發(fā)展，還能保障國(guó)家的能源安全。隨著電動(dòng)汽車(chē)的普及，了解電動(dòng)汽車(chē)的功能，尤其是了解電池系統(tǒng)的工作原理十分重要。
2023-11-30
電池 冷卻系統(tǒng) 電動(dòng)汽車(chē)
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碳化硅MOS/超結(jié)MOS在直流充電樁上的應(yīng)用
直流充電樁是新能源汽車(chē)直流充電樁的簡(jiǎn)稱，一般也被叫做“快充”。直流充電樁一般與交流電網(wǎng)連接，可作為非車(chē)載電動(dòng)汽車(chē)的動(dòng)力補(bǔ)充，是一種直流工作電源的電源控制裝置，可以提供充足的電量，輸出電壓和電流可以連續(xù)調(diào)節(jié)，可有效實(shí)現(xiàn)快速充電的要求。
2023-11-29
碳化硅MOS 超結(jié)MOS 直流充電樁
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如何設(shè)計(jì)電池充電速度快4倍的安全可穿戴設(shè)備
隨著可穿戴設(shè)備革新的持續(xù)推進(jìn)，對(duì)穩(wěn)健電源架構(gòu)的需求不斷增加。在過(guò)去十年中，我們看到可穿戴健康監(jiān)測(cè)設(shè)備大幅增長(zhǎng)，這些設(shè)備的下一代可能會(huì)在相同的小尺寸解決方案中集成更多功能?？纱┐髟O(shè)備通常要求支持Wi-Fi、藍(lán)牙?并具備生命體征監(jiān)測(cè)(VSM)功能。對(duì)更多功能的需求，要求系統(tǒng)級(jí)和IC級(jí)設(shè)計(jì)人員更...
2023-11-29
電池 充電速度快 可穿戴設(shè)備
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如何優(yōu)化SiC柵級(jí)驅(qū)動(dòng)電路？
對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢(shì)。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開(kāi)關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。它是電壓控制的場(chǎng)效應(yīng)器件，能夠像 IGBT 一樣進(jìn)行高壓開(kāi)關(guān)，同時(shí)開(kāi)關(guān)頻率等于或高于低壓硅 MOSFET 的開(kāi)關(guān)頻率。之前的文章中，我們介紹了SiC MOSFET 特有...
2023-11-29
SiC 柵級(jí)驅(qū)動(dòng)
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機(jī)電1-Wire接觸封裝解決方案及其安裝方法
本文介紹已獲專利的適用于機(jī)電接觸應(yīng)用的1-Wire?接觸封裝解決方案，并對(duì)比傳統(tǒng)的封裝解決方案以展示1-Wire接觸封裝解決方案的優(yōu)越性。本文還就如何將該解決方案安裝到配件或耗材提供了建議，并作了機(jī)械規(guī)格和可靠性分析。
2023-11-29
機(jī)電 1-Wire 接觸封裝
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