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打破陳規(guī)——將SiC FET作為斷路器
由于低損耗和低于其他選擇的成本，機(jī)械斷路器一直以來都是成功之選。但是現(xiàn)在，寬帶隙半導(dǎo)體讓固態(tài)斷路器更具吸引力。
2022-03-19
SiC FET 斷路器
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用電壓監(jiān)控器SGM891B實(shí)現(xiàn)電源動(dòng)作靈活精準(zhǔn)控制
在電源系統(tǒng)中由于負(fù)載對電源電壓范圍有一定要求，同時(shí)給負(fù)載供電的輸入電壓可能有一定波動(dòng)范圍，比如超級電容、電池等作為電源輸入時(shí)，其電壓往往有較大的波動(dòng)范圍。那么在實(shí)際應(yīng)用系統(tǒng)中就需要對電源進(jìn)行一定控制，在監(jiān)控電源電壓的同時(shí)做出相應(yīng)的動(dòng)作，往往需要在電源電壓達(dá)到負(fù)載穩(wěn)定工作的電壓...
2022-03-19
電壓監(jiān)控器 SGM891B
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ADI公司啟動(dòng)ADI Catalyst項(xiàng)目并向歐洲業(yè)務(wù)投資1億歐元
中國，北京 – 2022年3月10日 – 全球領(lǐng)先的高性能半導(dǎo)體公司Analog Devices, Inc. (Nasdaq: ADI)宣布將在未來三年內(nèi)向ADI Catalyst創(chuàng)新合作加速器投資1億歐元。ADI Catalyst位于愛爾蘭利默里克Raheen商業(yè)園區(qū)，占地10萬平方英尺。到2025年，該投資將為愛爾蘭市場新增250個(gè)工作崗位，這也體現(xiàn)了ADI在...
2022-03-16
ADI ADI Catalyst 投資
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使用最新的SiC FET技術(shù)提升車載充電器性能
碳化硅FET已經(jīng)在車載充電器（OBC）電路領(lǐng)域確立了自身地位，尤其是在電池工作電壓超過500V的情況下。這些器件的低功率損耗使得穿孔封裝和表面安裝式封裝都可以用于此應(yīng)用。我們調(diào)查了這些封裝選項(xiàng)的相對熱性能，并證實(shí)了TO247-4L和D2PAK-7L選項(xiàng)可用于6.6 kW和22 kW充電器。
2022-03-15
SiC FET 車載充電器 性能
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關(guān)于實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)式 eCall 汽車設(shè)計(jì)，工程師需要了解什么
面對復(fù)雜的系統(tǒng)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，工程師們一直在努力尋求最簡單的解決方案，汽車應(yīng)用領(lǐng)域的 eCall 設(shè)計(jì)也不例外。在本博客文章中，我們將回顧系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員如何進(jìn)行汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)，以及新型 eCall 解決方案如何優(yōu)化整個(gè)平臺(tái)。我們還將分享一些射頻設(shè)計(jì)專業(yè)知識(shí)和集成解決方案，幫助應(yīng)對 eCall 應(yīng)用中一些嚴(yán)苛...
2022-03-14
eCall 汽車設(shè)計(jì)
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第4代SiC MOSFET為何備受青睞？
近年來，為了實(shí)現(xiàn)“碳中和”等減輕環(huán)境負(fù)荷的目標(biāo)，需要進(jìn)一步普及下一代電動(dòng)汽車（xEV），從而推動(dòng)了更高效、更小型、更輕量的電動(dòng)系統(tǒng)的開發(fā)。尤其是在電動(dòng)汽車（EV）領(lǐng)域，為了延長續(xù)航里程并減小車載電池的尺寸，提高發(fā)揮驅(qū)動(dòng)核心作用的電控系統(tǒng)的效率已成為一個(gè)重要課題。SiC（碳化硅）作為新一...
2022-03-14
SiC MOSFET 電動(dòng)汽車
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淺談成像雷達(dá)的重要性
為什么會(huì)提出雷達(dá)系統(tǒng)這個(gè)話題？每年，全球約有130萬人死于交通事故，而在交通事故中受重傷人的更是多達(dá)幾百萬。雷達(dá)技術(shù)在高級輔助駕駛系統(tǒng)（ADAS）的應(yīng)用至關(guān)重要，能夠有效避免交通事故的發(fā)生并挽救生命。
2022-03-11
成像雷達(dá) 恩智浦 ADAS
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在自動(dòng)泊車應(yīng)用中，雷達(dá)為什么優(yōu)于超聲波
隨著汽車原始設(shè)備制造商開發(fā)自主性更高的車輛，自動(dòng)泊車技術(shù)也在不斷發(fā)展。這些泊車系統(tǒng)包括泊車輔助（仍然需要駕駛員參與）和自動(dòng)泊車（可以免手動(dòng)操作）。
2022-03-11
自動(dòng)泊車 雷達(dá) 超聲波
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充分挖掘SiC FET的性能
性能是一個(gè)主觀術(shù)語，它可以用許多你喜歡的方式衡量，但是在功率轉(zhuǎn)換界，它歸結(jié)為兩個(gè)相互依賴的主要值，即效率和成本。現(xiàn)在，作為半導(dǎo)體開關(guān)材料，硅在導(dǎo)電和動(dòng)態(tài)損耗性能方面已經(jīng)到達(dá)了極限，這已經(jīng)是一個(gè)常識(shí)了，因此越來越多的人考慮采用碳化硅和氮化鎵寬帶隙技術(shù)來實(shí)現(xiàn)更好的性能。這兩種材料...
2022-03-10
SiC FET 性能
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