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諾貝爾獎(jiǎng)當(dāng)之無(wú)愧,CCD傳感器已無(wú)處不在
“影像傳感器技術(shù)對(duì)世界和整個(gè)社會(huì)帶來(lái)了巨大且深遠(yuǎn)的影響,”iSuppli分析師Pamela Tufegdzic說(shuō)?!坝跋駛鞲衅鞯膽?yīng)用范圍甚廣,如數(shù)字相機(jī)、手機(jī),已經(jīng)成為現(xiàn)代文化密不可分的一部份,也影響了社交媒體和視訊共享革命的發(fā)展。”
2009-10-14
傳感器 CCD 諾貝爾獎(jiǎng)
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即將普及的碳化硅器件
隨綠色經(jīng)濟(jì)的興起,節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中,人們已離不開(kāi)電能。為解決“地球變暖”問(wèn)題,電能消耗約占人類(lèi)總耗能的七成,提高電力利用效率被提至重要地位。
2009-10-14
豐田 SiC 碳化硅 MOSFET
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國(guó)內(nèi)節(jié)能燈市場(chǎng)前景無(wú)限
歐盟的消費(fèi)者恐怕買(mǎi)不到傳統(tǒng)的白熾燈了。因?yàn)閺?月1日起,歐盟開(kāi)始禁止商家銷(xiāo)售100瓦的白熾燈。此外,中國(guó)國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)也與國(guó)際組織合作開(kāi)展了“中國(guó)逐步淘汰白熾燈、加快推廣節(jié)能燈”項(xiàng)目。由此看來(lái),節(jié)能燈有望代替白熾燈,成為照明市場(chǎng)的主流。
2009-10-13
節(jié)能燈 市場(chǎng)前景 白熾燈
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TNPU e3系列:Vishay 推出新型高精度薄膜扁平片式電阻
賓夕法尼亞、MALVERN — 2009年 10 月 10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代號(hào):VSH)宣布,推出新型TNPU e3系列高精度薄膜扁平片式電阻,外殼尺寸分別為0603、0805和1206
2009-10-13
Vishay 扁平片式電阻 高精度
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ESP200:西門(mén)子推出過(guò)載繼電器
西門(mén)子能源與自動(dòng)化公司宣布,該公司為工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用推出自供電ESP200過(guò)載繼電器,從而取代先前推出的ESP100過(guò)載繼電器?;谖鏖T(mén)子公司在數(shù)以百萬(wàn)的電機(jī)的過(guò)載保護(hù)獲得的成功的NEMA啟動(dòng)器經(jīng)驗(yàn),這種新型過(guò)載繼電生產(chǎn)線在設(shè)計(jì)上將可以在可靠的在最需要應(yīng)用環(huán)境下使用。
2009-10-13
西門(mén)子 繼電器
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FSA800:飛兆半導(dǎo)體公司推出業(yè)界最小USB附件開(kāi)關(guān)產(chǎn)品
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)為手機(jī)、PDA和MP3播放器設(shè)計(jì)人員提供全新USB附件開(kāi)關(guān)產(chǎn)品FSA800。FSA800是業(yè)界最小的器件,將所有主要的多媒體功能集成進(jìn)薄型UMLP封裝(1.8mm x 2.6mm x 0.55mm)中。它具有內(nèi)置充電檢測(cè)功能、28V的過(guò)壓容差、內(nèi)置終止電阻器,以及負(fù)擺幅功能。通過(guò)在緊湊型...
2009-10-12
飛兆 FSA800 最小 開(kāi)關(guān)產(chǎn)品
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iSuppli中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)今年下滑6.8% 2010年將大幅成長(zhǎng)17.8%
2009 年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)為682億美元,較去年下滑6.8%。相對(duì)于全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的萎縮,中國(guó)市場(chǎng)的下滑要小的多。受經(jīng)濟(jì)危機(jī)影響,全球電子產(chǎn)品的產(chǎn)值為1.4萬(wàn)億美元較2008年下降了9%。與此同時(shí),全球半導(dǎo)體市場(chǎng)2009年將下降16.2%到2295億美元。但是在出口增長(zhǎng)和內(nèi)需拉到的雙重作用下,中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)在2...
2009-10-12
半導(dǎo)體 iSuppli
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FDFME3N311ZT:飛兆半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)高效率的升壓開(kāi)關(guān)
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升壓開(kāi)關(guān)產(chǎn)品FDFME3N311ZT,有助提高手機(jī)、醫(yī)療、便攜和消費(fèi)應(yīng)用設(shè)計(jì)的升壓轉(zhuǎn)換電路效率。該器件結(jié)合了30V集成式N溝道PowerTrench? MOSFET和肖特基二極管,具有極低的輸入電容 (典型值55pF) 和總體柵極電荷 (1nC),以提升DC-DC升壓設(shè)計(jì)的效率。
2009-10-12
FDFME3N311ZT MOSFET 飛兆半導(dǎo)體
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安華高科技推出高速互連應(yīng)用先進(jìn)嵌入式光學(xué)引擎技術(shù)
Avago Technologies(安華高科技)10月2日宣布,公司已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一項(xiàng)突破性的嵌入式光學(xué)引擎技術(shù),可以為各種廣泛的電子計(jì)算和消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用帶來(lái)高速互連的能力。
2009-10-12
嵌入式光學(xué)引擎 Light Peak 安華高
- 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(四)——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測(cè)試方法
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