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電子器件:09年4季度行業(yè)投資策略報(bào)告
從全球半導(dǎo)體近期月度銷售額看,繼3、4月回升后5-7月銷售額繼續(xù)上升,分別是165億、172億和182億美元。我們認(rèn)為8、9、10有望繼續(xù)回升,11月有望成為年度的銷售高點(diǎn)。
2009-10-16
半導(dǎo)體 銷售額 上升 觸底回升
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TDK:EMC問題從測(cè)試到解決
TDK作為磁性材料技術(shù)的領(lǐng)軍廠商在中國(guó)國(guó)內(nèi)是家喻戶曉的。它的來歷可以追述到1935年,兩位創(chuàng)始人加藤與五郎博士和武井武博士在東京發(fā)明了鐵氧體后創(chuàng)辦了東京電氣化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社(TokyoDengikagakuKogyoK.K),開始從事該磁性材料的商業(yè)開發(fā)和運(yùn)營(yíng)。
2009-10-16
TDK EMC 磁性材料 保護(hù)環(huán)境 SHCEF
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村田制作所:在陶瓷領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新
秉承“Innovator in Electronics”的企業(yè)口號(hào),村田公司從未停止過創(chuàng)新。公司成立近六十年來,村田一直緊緊跟隨市場(chǎng)的變化,用創(chuàng)新的產(chǎn)品積極應(yīng)對(duì)市場(chǎng)熱點(diǎn)和新的應(yīng)用,不斷取得市場(chǎng)成功。
2009-10-16
村田制作所 陶瓷領(lǐng)域 LTCC
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威世科技:通過收購策略打造無源和半導(dǎo)體領(lǐng)域的全能廠商
威世公司通過自主研發(fā)制造和收購其他公司等途徑打造了完整的無源元件和分立半導(dǎo)體產(chǎn)品線,目前是世界上分立半導(dǎo)體(二極管、整流器、晶體管、光電子產(chǎn)品及某些精選 IC)和無源電子元件(電阻、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器)的最大制造商之一。
2009-10-16
Vishay 威世科技 無源器件 分立半導(dǎo)體
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HIH-5030/5031系列:霍尼韋爾推出更低供電電壓的濕度傳感器
霍尼韋爾推出在更低供電電壓工作的表面安裝的濕度傳感器,高性能的傳感器設(shè)計(jì),旨在幫助降低加工成本以及提高應(yīng)用的靈活性,滿足系統(tǒng)整體性能的要求,在整個(gè)0 ? 100 %相對(duì)濕度范圍內(nèi)提供更可靠的穩(wěn)定性、精度和響應(yīng)時(shí)間。
2009-10-16
霍尼韋爾 更低供電電壓 濕度傳感器 完善HIH-4030/4031
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硅薄膜太陽能技術(shù)具先天優(yōu)勢(shì) 準(zhǔn)確定位是關(guān)鍵
在薄膜太陽能技術(shù)中,硅薄膜太陽能是業(yè)界投入最普遍的技術(shù);市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DIGITIMESResearch指出,由于全球?qū)璞∧げ牧涎芯肯鄬?duì)成熟,且無缺料問題,再加上面板產(chǎn)業(yè)可借重在硅薄膜領(lǐng)域的經(jīng)驗(yàn),國(guó)際大廠如夏普(Sharp)、三星電子(SamsungElectronics)與樂金電子(LGElectronics)等均投入硅薄膜太陽能量...
2009-10-15
硅薄膜 太陽能 先天優(yōu)勢(shì) 定位
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霍尼韋爾推出高穩(wěn)定性的硅壓力傳感器
霍尼韋爾國(guó)際新推出的TruStability ?傳感器,HSC和SSC系列,其設(shè)計(jì)旨在優(yōu)化性能,并提供應(yīng)用的靈活性。
2009-10-15
霍尼韋爾 TruStability 硅壓力傳感器 流體測(cè)量 高穩(wěn)定性
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圖文詳解電子元件焊接技術(shù)
在電子制作中,元器件的連接處需要焊接。焊接的質(zhì)量對(duì)制作的質(zhì)量影響極大。所以,學(xué)習(xí)電于制作技術(shù),必須掌握焊接技術(shù),練好焊接基本功。本文將圖文并茂的詳細(xì)講解電子制作中使用電烙鐵的焊接技術(shù)。
2009-10-14
圖 電子元件 焊接技術(shù) 測(cè)試工作坊 元器件 電烙鐵
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太陽誘電推出0201封裝1μF積層陶瓷電容器
太陽誘電推出了靜電容量為1μF的小型0201尺寸(0.6×0.3×0.3mm)尺寸積層陶瓷電容器“AMK063BJ105MP”。與該公司的原產(chǎn)品相比,體積縮小了約78%,高度降低了40%。在該尺寸產(chǎn)品中,靜電容量達(dá)到了業(yè)界最高水平。
2009-10-14
電容 太陽誘電 0201
- 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(四)——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測(cè)試方法
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