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功率器件模塊：一種滿(mǎn)足 EMI 規(guī)范的捷徑
相鄰或共用導(dǎo)電回路的電子器件容易受到電磁干擾 (EMI) 的影響，使其工作過(guò)程受到干擾。要確保各電氣系統(tǒng)在同一環(huán)境中不干擾彼此的正常運(yùn)行，就必須最大限度地減少輻射。通常，由于硅 (Si) IGBT 和碳化硅 (SiC) MOSFET 等功率半導(dǎo)體器件在工作期間需要進(jìn)行快速開(kāi)關(guān)，因此通常會(huì)產(chǎn)生傳導(dǎo)型 EMI。在開(kāi)...
2024-07-08
功率器件模塊 EMI
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芯原戴偉民：AIGC為端側(cè)AI帶來(lái)巨大機(jī)會(huì)
芯原在世界人工智能大會(huì)（WAIC 2024）同期舉辦的“RISC-V和生成式AI論壇”上，芯原股份創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)兼總裁，中國(guó)RISC-V產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長(zhǎng)戴偉民表示，AIGC為端側(cè)AI帶來(lái)巨大機(jī)會(huì)，在其中，汽車(chē)便是其中最大的終端。此外，他還分享了AIGC芯片的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。
2024-07-08
芯原 AIGC 端側(cè)AI NPU
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碳化硅模塊助力更可靠更高效的換電站快充電路設(shè)計(jì)
在電動(dòng)車(chē)發(fā)展的過(guò)程當(dāng)中，充電和換電是兩個(gè)同時(shí)存在的方案。車(chē)載充電OBC可以通過(guò)兩相或三相電給汽車(chē)充電，但其無(wú)法滿(mǎn)足快充的需求?，F(xiàn)在充電樁發(fā)展迅速，已經(jīng)有600kW的超充出現(xiàn)，充電速度越來(lái)越逼近換電速度，但對(duì)電網(wǎng)壓力很大，還需要時(shí)間普及。
2024-07-08
碳化硅模塊 換電站 快充電路設(shè)計(jì)
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設(shè)計(jì)車(chē)載充電器的關(guān)鍵考慮因素，一次性講透
改用電動(dòng)汽車(chē)(EV)后，駕駛員感受到的最大變化可能是補(bǔ)能方式不一樣了。具體來(lái)說(shuō)，他們不再需要驅(qū)車(chē)前往加油站，而是必須找到可用的充電點(diǎn)。
2024-07-08
車(chē)載充電器 電動(dòng)汽車(chē)
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利用 I3C 提升嵌入式系統(tǒng)
物聯(lián)網(wǎng)幾乎涉及我們?nèi)粘Ｉ畹姆椒矫婷妫瑥募矣秒娖鞯綇?fù)雜的樓宇自動(dòng)化和可穿戴設(shè)備。這些互聯(lián)設(shè)備收集和交換數(shù)據(jù)，從根本上塑造了我們的數(shù)字生態(tài)系統(tǒng)。在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中，不同類(lèi)型的傳感器發(fā)揮著關(guān)鍵作用，測(cè)量、監(jiān)控和傳遞溫度、濕度、壓力和距離等關(guān)鍵物理屬性。
2024-07-08
I3C 嵌入式系統(tǒng)
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氮化鎵（GaN）的最新技術(shù)進(jìn)展
氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是兩種寬禁帶半導(dǎo)體，徹底改變了傳統(tǒng)電力電子技術(shù)。氮化鎵技術(shù)使移動(dòng)設(shè)備的快速充電成為可能。氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體，能夠承受更高的電壓。通過(guò)氮化鎵材料的電流比通過(guò)硅半導(dǎo)體的電流速度更快，因此處理速度也更快。本文將探討氮化鎵材料以及氮化鎵技術(shù)如何顛覆整個(gè)...
2024-07-05
氮化鎵 GaN
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為邊緣 AI 節(jié)點(diǎn)供電：邊緣 AI 對(duì)供電系統(tǒng)設(shè)計(jì)的影響
邊緣 AI 是將 AI 模型直接部署在位于網(wǎng)絡(luò)邊緣的設(shè)備上；此舉可通過(guò)采用設(shè)備上的處理功能來(lái)實(shí)現(xiàn)低延遲響應(yīng)，從而減少對(duì)云計(jì)算的依賴(lài)。若將邊緣 AI 添加到物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)（構(gòu)成 AIoT（人工智能物聯(lián)網(wǎng)）系統(tǒng)的組合）中，則還可以分析傳感器數(shù)據(jù)、識(shí)別模式、得出推論并在本地層面做出決策，從而盡量減少數(shù)據(jù)...
2024-07-05
邊緣 AI 供電系統(tǒng) 節(jié)點(diǎn)供電
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