熱插拔電路使用一個功率MOSFET作為串聯(lián)限流器件，并且控制啟動涌入電流和故障電流。瞬變和故障事件發(fā)生期間，MOSFET的能耗會大于穩(wěn)定狀態(tài)下消耗的電能，并且會超過MOSFET的發(fā)熱限值，所以設(shè)計人員必須確保MOSFET在其安全工作區(qū)（SOA）內(nèi)運行。有很多不錯的資源可以幫助設(shè)計人員選擇一款合適的MOSFET來滿足所有事件區(qū)域內(nèi)的功率耗散要求。
表面上看起來簡單的東西往往很復(fù)雜。就拿功率MOSFET來說吧，功率MOSFET只有三個引腳（柵極、源極、漏極），但是誰能想到看起來簡單的功率MOSFET會那么復(fù)雜。如果為熱插拔應(yīng)用和功率轉(zhuǎn)換分別選MOSFET，你會選哪一個？詳細閱讀>>
干貨
功率MOS場效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管。
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RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現(xiàn)改變了這一狀況。和硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET相比較，硅基LDMOSFET有失真小、線性度好、成本低的優(yōu)點，成為目前RF 功率 MOSFET的主流技術(shù)。詳細閱讀>>
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對于主板設(shè)計師來說，要設(shè)計處理器電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)來滿足計算機處理器永無止境的功率需求實在是個大挑戰(zhàn)。Pentium 4處理器要求VRM提供的電流提高了約3倍。英特爾將其VRM指標從8.4版本升級到9.0版本，涵蓋了新的功率要求，以繼續(xù)追隨摩爾(Moore)定律。詳細閱讀>>
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英飛凌科技股份公司聯(lián)合Schweizer電子股份公司成功開發(fā)出面向輕度混合動力汽車的新技術(shù)：芯片嵌入式功率MOSFET。它將顯著提升48 V系統(tǒng)的性能，同時降低它們的復(fù)雜度。大陸集團動力總成事業(yè)群將是首家采用這項技術(shù)的企業(yè)。詳細閱讀>>
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Vishay推出新款30V和40V汽車級p溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP，采用鷗翼引線結(jié)構(gòu)PowerPAK? SO-8L封裝，有效提升板級可靠性。SQJ407EP和SQJ409EP通過AEC-Q101認證，占位面積比DPAK封裝器件減小50%以上，節(jié)省PCB空間并降低成本，同時導(dǎo)通電阻低于任何鷗翼引線結(jié)構(gòu)5mm x 6mm封裝MOSFET。詳細閱讀>>
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通常，許多資料和教材都認為，MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時，具有正的溫度系數(shù)導(dǎo)通電阻也增加，因此流過的電流減小，溫度降低，從而實現(xiàn)自動的均流達到平衡。同樣對于一個功率MOSFET器件，在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此并聯(lián)工作沒有問題。詳細閱讀>>
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逆變焊機的電路結(jié)構(gòu),一般是采用整流--逆變--再整流的過程,即交流--直流--交流.由于逆變過程中工作頻率高,因此控制過程的動態(tài)特性統(tǒng)計局到提高,焊機的體積小,重量輕。詳細閱讀>>
經(jīng)典案例
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一支白熾燈泡中鎢絲的電阻可隨著溫度的變化產(chǎn)生超過 1:10 比率的變化。為了防止元件過熱，以及長時間使用而造成的元件性能下降，一款具有可編程短路和過電流調(diào)節(jié)的電子開關(guān)就顯得極為有用。一旦檢測到有過電流情況發(fā)生，標準及自恢復(fù) (re-settable) 保險絲就會中斷負載電源，并且可能會用一個長短不定的時間來進行復(fù)位。與此不同的是，可以對一個電子開關(guān)進行編程來更具預(yù)見性地做出反應(yīng)。詳細閱讀>>
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電阻值的測量通常比較簡單。但是，對于非常小阻值的測量，我們必須謹慎對待我們所做的假定。對于特定的幾何形狀，如電線，Kelvin方法是非常精確的?？梢允褂妙愃频姆椒▉頊y量均勻樣本的體電阻率和面電阻率，但是所使用的公式不同。在這些情況下，必須考慮探針間距和樣本厚度。僅僅運用Kelvin法本身無法保證精度。如果布局和連接數(shù)發(fā)生變化，就很難精確地預(yù)測非均勻幾何形狀的電阻。詳細閱讀>>
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工程師們將損壞的功率MOSFET送到半導(dǎo)體原廠做失效分析后，得到的結(jié)論通常是過電性應(yīng)力EOS，卻無法判斷是什么原因?qū)е翸OSFET的損壞。功率MOSFET損壞有哪些原因和形態(tài)？一牛人拍下了功率MOSFET不同損壞形態(tài)的失效分析圖片，結(jié)合功率MOSFET管的工作特性，系統(tǒng)的分析開關(guān)電源功率MOSFET各種損壞模式，還給出了測試過電流和過電壓的電路圖哦。詳細閱讀>>
近年來，功率MOSFET廣泛地應(yīng)用于電源、計算機及外設(shè)（軟、硬盤驅(qū)動器、打印機、掃描器等）、消費類電子產(chǎn)品、通信裝置、汽車電子及工業(yè)控制等領(lǐng)域。
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