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詳細介紹功率MOSFET選擇指南
詳細介紹功率MOSFET選擇指南

為了限制本討論的范圍,請考慮采用同步降壓轉(zhuǎn)換器拓撲的MOSFET選擇方法,該方法適用于PC主板和電信應(yīng)用的DC / DC轉(zhuǎn)換器。為特定應(yīng)用尋找合適的MOSFET涉及最小化損耗并了解這些損耗如何取決于開關(guān)頻率,電流,占空比以及開關(guān)上升和下降時間。此信息指導選擇工具開發(fā)。

鑒于現(xiàn)有的MOSFET選擇范圍廣泛,以及為主板電源分配的不斷縮小的空間,使用可靠,一致的方法選擇正確的MOSFET變得越來越重要。這種方法可以加速開發(fā)周期,同時優(yōu)化特定于應(yīng)用的設(shè)計。詳細閱讀>>

干貨"title="干貨" 干貨

“MOSFET”是英文metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor的縮寫,意即“金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管”。小信號MOSFET主要用于模擬電路的信號放大和阻抗變換,但也可應(yīng)用于開關(guān)或斬波。功率MOSFET除少數(shù)應(yīng)用于音頻功率放大器,工作于線性范圍,大多數(shù)用作開關(guān)和驅(qū)動器,工作于開關(guān)狀態(tài),耐壓從幾十伏到上千伏,工作電流可達幾安培到幾十安培。功率MOSFET都是增強型MOSFET,它具有優(yōu)良的開關(guān)特性。

功率MOSFET線性區(qū)負溫度系數(shù)

功率MOSFET線性區(qū)負溫度系數(shù)

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功率MOSFET工作在線性區(qū)用來限制電流,VGS電壓低,通常在負溫度系數(shù)區(qū),局部單元過熱導致其流過更大的電流,結(jié)果溫度更高,從而形成局部熱點導致器件損壞,這樣就形成一個熱電不穩(wěn)定性區(qū)域ETI (Electro Thermal Instability),發(fā)生于VGS低于溫度系數(shù)為0(ZTC)的負溫度系數(shù)區(qū)。詳細閱讀>>

功率MOSFET基礎(chǔ)知識詳解

功率MOSFET基礎(chǔ)知識詳解

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以下將詳細介紹功率MOSFET最基礎(chǔ)的知識,包括:什么是MOSFET,MOSFET的結(jié)構(gòu)、工作原理、基本特性、幾個常用參數(shù)、選型原則等,保證大家看完就懂!詳細閱讀>>

穩(wěn)健的汽車40V功率MOSFET提高汽車安全性

穩(wěn)健的汽車40V功率MOSFET提高汽車安全性

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意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機械、環(huán)境和電氣要求。 這些機電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范,具體而言,低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。詳細閱讀>>

功率MOSFET熱插撥浪涌電流限制方法

功率MOSFET熱插撥浪涌電流限制方法

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通信設(shè)備和服務(wù)器中,在插入和拔出電路板和板卡進行維修或者調(diào)整容量時,系統(tǒng)必須能夠保持正常工作。當后級的電路板和板卡接入前級電源系統(tǒng)時,由于后級電路輸入端帶有大的濾波電容,那么,在上電的瞬間電容相當于短路,大的電容充電電流和負載電流一起作用,產(chǎn)生大的浪涌電流,同時大的浪涌電流導致高的電流和電壓變化率,對系統(tǒng)產(chǎn)生一系列的安全問題。詳細閱讀>>

典型功率MOSFET驅(qū)動保護電路設(shè)計方案

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典型功率MOSFET驅(qū)動保護電路設(shè)計方案

功率場效應(yīng)晶體管由于承受短時過載的能力較弱,使其應(yīng)用受到一定的限制。本文分析了MOSFET器件驅(qū)動與保護電路的設(shè)計要求,計算了MOSFET驅(qū)動器的功耗及MOSFET驅(qū)動器與MOSFET的匹配之后,在此基礎(chǔ)上設(shè)計了基于IR2130驅(qū)動模塊的MOSFET驅(qū)動保護電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡單,實用性強,響應(yīng)速度快等特點。在驅(qū)動無刷直流電機的應(yīng)用中證明,該電路驅(qū)動能力及保護功能效果良好。詳細閱讀>>

應(yīng)用于線性區(qū)功率MOSFET:di/dt和dv/dt分開控制方法

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應(yīng)用于線性區(qū)功率MOSFET:di/dt和dv/dt分開控制方法

以下將本文介紹的di/dt、dV/dt分開單獨控制方法,不僅適用于負載開關(guān),還廣泛用于電機控制功率MOSFET或IGBT驅(qū)動電路。詳細閱讀>>

經(jīng)典案例 經(jīng)典案例
簡析功率MOSFET的熱阻特性

簡析功率MOSFET的熱阻特性

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功率MOSFET的結(jié)溫影響器件許多工作參數(shù)及使用壽命,數(shù)據(jù)表中提供了一些基本的數(shù)據(jù)來評估電路中功率MOSFET的結(jié)溫。本文主要來說明MOSFET的穩(wěn)態(tài)和動態(tài)熱阻的測量方法,以及它們的限制條件。詳細閱讀>>

功率MOSFET線性區(qū)工作設(shè)計

功率MOSFET線性區(qū)工作設(shè)計

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功率MOSFET有三個工作狀態(tài),在漏極導通特性曲線上,對應(yīng)的是三個工作區(qū):截止區(qū),線性區(qū)和可變電阻區(qū)。注意到:MOSFET的線性區(qū)有時也稱為:恒流區(qū)或飽和區(qū)。詳細閱讀>>

功率MOSFET選型的幾點經(jīng)驗

功率MOSFET選型的幾點經(jīng)驗

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使用功率MOSFET也有兩年多時間了,這方面的技術(shù)文章看了不少,但實際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此,根據(jù)學到的理論知識和實際經(jīng)驗,和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。詳細閱讀>>

近年來,功率MOSFET廣泛地應(yīng)用于電源、計算機及外設(shè)(軟、硬盤驅(qū)動器、打印機、掃描器等)、消費類電子產(chǎn)品、通信裝置、汽車電子及工業(yè)控制等領(lǐng)域。