新一代硅芯片溫度傳感器準(zhǔn)確度到底有多高,你曉得嗎?
發(fā)布時(shí)間:2020-12-09 來(lái)源:亞德諾半導(dǎo)體 責(zé)任編輯:lina
【導(dǎo)讀】電子行業(yè)對(duì)精度的要求越來(lái)越高,溫度檢測(cè)也不例外。目前市面上有許多溫度檢測(cè)解決方案,每一種都有其優(yōu)缺點(diǎn)。硅芯片溫度傳感器,線性度相對(duì)較高,而且精度遠(yuǎn)超其他解決方案。但是,硅芯片溫度檢測(cè)領(lǐng)域的最新進(jìn)展意味著,使用硅芯片解決方案將可以實(shí)現(xiàn)高分辨率和高精度。
新冰箱
那時(shí)正是2020年3月,英國(guó)即將進(jìn)入封鎖狀態(tài)。全球都在囤積食物,以防超市關(guān)門(mén),而未來(lái)似乎充滿不確定。就在這種時(shí) 候,Bramble家的冰箱罷工了。滿腦子都回響著Kenny Rogers單曲"露西爾"中的歌詞"你怎么選擇在這樣一個(gè)時(shí)刻離開(kāi)我",我們開(kāi)始在網(wǎng)上搜索新的替代品。
幾天后,新冰箱送來(lái)了,前面板上有數(shù)字溫度顯示,完全符合Bramble太太的需求。建議的設(shè)置溫度為-18°C,一個(gè)小時(shí)后,冰箱達(dá)到了所需的溫度,可以開(kāi)始存放食物了。我有點(diǎn)懷疑溫度讀數(shù)的準(zhǔn)確性,但只要能夠冷凍食物,我對(duì)此也不太在意。但問(wèn)題是:我是一名工程師,有一顆熱衷探索的心,在連續(xù)幾天面對(duì)新冰箱毫無(wú)變化的數(shù)字讀數(shù)后,我崩潰了。我必須測(cè)試一下這件新電器的精度。
溫度傳感器
工業(yè)應(yīng)用中使用的溫度傳感器種類繁多,各有其優(yōu)缺點(diǎn)。鑒于有許多文本詳細(xì)介紹了各種溫度傳感器的操作,我不再贅述,只是提供一些總結(jié)。
熱電偶
熱電偶提供了一種低成本、中等精度的高溫測(cè)量方案。正如Thomas Seebeck在1821年發(fā)現(xiàn)的那樣,它們基于兩個(gè)結(jié)點(diǎn)之間產(chǎn)生的電壓,每個(gè)結(jié)點(diǎn)都由不同的金屬構(gòu)成,放置于不同溫度環(huán)境下。對(duì)于K型熱電偶(由鎳鉻合金和鎳鋁金合金制成)來(lái)說(shuō),它輸出約41 μV/°C的電壓,可用于測(cè)量超過(guò)1000°C的溫度。但是,塞貝克效應(yīng)依賴于兩個(gè)結(jié)點(diǎn)之間的溫度差,因此,在熱端測(cè)量相關(guān)溫度時(shí),冷端必須持續(xù)測(cè)量已知的溫度。諷刺的是,在冷 端需要另一個(gè)溫度傳感器來(lái)測(cè)量溫度, AD8494 這樣的器件正好 能夠完全解決這個(gè)問(wèn)題。熱電偶本身的體積很小,所以熱質(zhì)很低,能夠快速響應(yīng)溫度變化。
RTDs
行業(yè)廣泛使用電阻溫度檢測(cè)器(RTD)來(lái)測(cè)量中溫(<500°C)。這些器件由一種電阻會(huì)隨溫度的變化呈正變化的金屬元素組成,最常見(jiàn)的是鉑(Pt)。事實(shí)上,PT100傳感器是行業(yè)中使用最廣泛的RTD,因使用材料鉑制成,且在0°C時(shí)電阻為100 Ω而得名。雖然這些器件無(wú)法測(cè)量熱電偶那樣的高溫,但它們具有高線性度,且重復(fù)性較好。PT100需要精確的驅(qū)動(dòng)電流,從而在傳感器上產(chǎn)生一個(gè)與溫度成比例的準(zhǔn)確的壓降。PT100連接線的電阻導(dǎo)致傳感器的電阻測(cè)量出現(xiàn)誤差,所以開(kāi)爾文連接是最典型的傳感器使用方法,因此出現(xiàn)3線或4線傳感器。
熱敏電阻
如果需要低成本的解決方案,且溫度范圍較低,那么使用熱敏電阻通常就足夠了。這些器件線性化程度很低,具有斯坦哈特 哈特方程的特征,電阻隨溫度升高而減小。熱敏電阻的優(yōu)點(diǎn) 是,電阻會(huì)在小幅溫度變化下呈現(xiàn)大幅變化,所以,盡管它具 有非線性,但仍然可以達(dá)到很高的精度。熱敏電阻還提供快速 的熱響應(yīng)。單個(gè)熱敏電阻的非線性是明確定義的,所以可以使 用LTC2986這類的組件來(lái)進(jìn)行校準(zhǔn)。
二極管隨處可見(jiàn),但(V be )壓降至吸電流并非如此...
為了測(cè)試這個(gè)新家電的準(zhǔn)確性,最終我選擇使用硅芯片溫度傳感器。它們到手即用,無(wú)需冷端溫度補(bǔ)償或線性化,可以提 供模擬和數(shù)字輸出,且預(yù)先經(jīng)過(guò)校準(zhǔn)。但是,直到最近,它們都只能提供中等準(zhǔn)確性。雖然足以指示電子設(shè)備的健康狀態(tài), 但它們一直不夠精準(zhǔn),無(wú)法測(cè)量(例如)體溫,體溫測(cè)量通常需要達(dá)到±0.1°C的精度(根據(jù)ASTM E1112標(biāo)準(zhǔn))。但是最近發(fā)布的 ADT7422 和ADT7320硅芯片溫度傳感器改變了這一狀況,它們的測(cè)量分辨率分別為±0.1°C和±0.2°C。
硅芯片溫度傳感器利用晶體管的V be 的溫度依賴性,根據(jù)莫爾方程,約為:
其中I c 為集電極電流,I s 為晶體管的反向飽和電流,q為電子上的電荷(1.602 × 10 –19 庫(kù)侖),k為玻爾茲曼常數(shù)(1.38 × 10 –23 ),T為絕對(duì)溫度。
方程1中集電極電流的表達(dá)式也適用于二極管中的電流,那么為什么每個(gè)應(yīng)用電路都使用晶體管而不是二極管呢?事實(shí)上,二極管中的電流還包括電子通過(guò)pn結(jié)的耗盡區(qū)與空穴重新結(jié)合所產(chǎn)生的復(fù)合電流,這表明二極管電流與V be 和溫度具有非線性關(guān)系。這種電流也出現(xiàn)在雙極晶體管中,但流入晶體管的基極,不會(huì)出現(xiàn)在集電極電流中,因此非線性程度要低得多。
整合上述因素可以得出
與I c 相比,I s 很小,所以我們可以忽略方程2中的1項(xiàng)。我們現(xiàn)在可以看到,V be 根據(jù)I c 中的對(duì)數(shù)變化呈線性變化。我們也可以看到,如果I c 和I s 是常數(shù),那么V be隨溫度呈線性變化,因?yàn)閗和q也是常數(shù)。在晶體管中施加恒定的集電極電流,并測(cè)量V be 如何隨溫度變化,這項(xiàng)任務(wù)很簡(jiǎn)單。
I s 與晶體管的幾何形狀有關(guān),并且對(duì)溫度有很強(qiáng)的依賴性。和許多硅芯片器件一樣,溫度每上升10°C,其值就會(huì)翻倍。雖然ln函數(shù)降低了電流變化的影響,但仍然存在V be 的絕對(duì)值隨晶體管的 變化而變化的問(wèn)題,因此需要校準(zhǔn)。所以,實(shí)際的硅芯片溫度傳感器使用兩個(gè)完全相同的晶體管,迫使1 I c 集電極電流進(jìn)入一個(gè)晶體管,10 I c 進(jìn)入另一個(gè)。我們能在集成電路中輕松生成完全 相同的晶體管和精準(zhǔn)的比率電流,所以大多數(shù)硅芯片傳感器都使用這種結(jié)構(gòu)。電流的對(duì)數(shù)變化會(huì)引起V be 出現(xiàn)線性變化,然后測(cè)量V be 的差值。
由方程2可知,對(duì)于溫度相同的兩個(gè)晶體管,其V be 的差值為
這是因?yàn)?/div>
我們可以看出
通過(guò)使不同的電流通過(guò)每個(gè)晶體管并測(cè)量V be 的差值,我們消除了非線性I s 項(xiàng)、不同的V be 的影響,以及與晶體管的幾何形狀相關(guān)的所有其他非線性效應(yīng)。因?yàn)閗、q和ln10都是常數(shù),所以V be 的變化與絕對(duì)溫度(PTAT)成正比。當(dāng)電流差為10倍時(shí),兩個(gè)V be 的電流差在大約198 μV/°C時(shí)隨溫度呈線性變化。參見(jiàn)圖1查看實(shí)現(xiàn)這一效果的簡(jiǎn)單電路。
圖1. 測(cè)量溫度的基本電路。
必須慎重選擇圖1中的電流。如果電流過(guò)高,在晶體管的整個(gè)內(nèi)部電阻范圍內(nèi),會(huì)出現(xiàn)很高的自發(fā)熱和壓降,從而影響測(cè)量結(jié)果。如果電流過(guò)低,晶體管內(nèi)部的漏電流會(huì)增大誤差。
還應(yīng)注意的是,前面的方程都與晶體管的集電極電流有關(guān),而在圖1中,晶體管中注入的是恒定的發(fā)射極電流。在設(shè)計(jì)晶體管時(shí),可以明確確定集電極和發(fā)射極電流之間的比例(且接近整數(shù)),這樣集電極電流與發(fā)射極電流成比例。
這還只是開(kāi)始。要使硅芯片溫度傳感器達(dá)到±0.1°C的精度,還需要大量的表征和微調(diào)。
是一只鳥(niǎo)?還是一架飛機(jī)?
不,這是一個(gè)超級(jí)溫度計(jì)。是的,它們確實(shí)存在。需要將未校準(zhǔn)的硅芯片溫度傳感器放入裝滿硅油的浴缸中,準(zhǔn)確加熱到 所需的溫度,然后使用超級(jí)溫度計(jì)進(jìn)行測(cè)量。這些器件的測(cè)量精度可以精確到超過(guò)小數(shù)點(diǎn)后五位。將傳感器內(nèi)部的保險(xiǎn)絲熔 斷,以調(diào)整溫度傳感器的增益,從而利用方程y = mx + c將其輸出線性化。硅油提供非常均勻的溫度,因此可以在一個(gè)周期內(nèi)校準(zhǔn)許多器件。
ADT7422在25°C至50°C溫度范圍內(nèi)的精度為±0.1°C。這個(gè)溫度范圍以典型的38°C體溫為中心,使得ADT7422非常適合用于精準(zhǔn)監(jiān)測(cè)生命體征。在工業(yè)應(yīng)用中使用時(shí),我們對(duì)ADT7320進(jìn)行了調(diào)整,使其精度達(dá)到±0.2°C,但溫度范圍擴(kuò)大到-10°C到+85°C。
圖2. 安裝在0.8 mm厚的PCB上的ADT7422。
但是,硅芯片溫度傳感器的校準(zhǔn)并不是唯一的問(wèn)題。采用極其精確的基準(zhǔn)電壓時(shí),裸片上的壓力會(huì)破壞傳感器的精度,以及PCB的熱膨脹、引線框架、模塑和裸露焊盤(pán),所有這些都需要考慮。焊接工藝本身也有問(wèn)題。焊料回流工藝會(huì)使零件的溫度提高到260°C,導(dǎo)致塑料封裝軟化,裸片的引線框架變形,這樣當(dāng)零件冷卻,塑料變硬時(shí),機(jī)械應(yīng)力會(huì)被封存在裸片中。ADI公司的工程師花了好幾個(gè)月的時(shí)間進(jìn)行細(xì)致的實(shí)驗(yàn),最終發(fā)現(xiàn)0.8 mm的PCB厚度最為合適,即使在焊接之后,也可以達(dá)到±0.1°C的精度。
那么香腸的溫度到底有多低?
我將ADT7320連接到一個(gè)微控制器和一個(gè)LCD顯示器上,并編寫(xiě)了幾百行C語(yǔ)言代碼來(lái)初始化傳感器和提取數(shù)據(jù)——可以通過(guò)在DIN引腳上連續(xù)寫(xiě)入32個(gè)1s來(lái)輕松初始化這個(gè)部分。配置寄存器被設(shè)置為使ADT7320以16位精度連續(xù)轉(zhuǎn)換。從ADT7320上讀取數(shù)據(jù)之后,至少需要等待240 ms的延遲之后,才會(huì)發(fā)生下一次轉(zhuǎn)換。為了便于使用非常低端的微控制器,所以我手動(dòng)編寫(xiě)了SPI。我將ADT7320放在冰箱里大約30分鐘,以獲取新冰箱的準(zhǔn)確溫度。圖3顯示冰箱的溫度為–18.83°C。
圖3. 冰箱的溫度為–18.83°C。
這種精度給我留下了非常深刻的印象,雖然存儲(chǔ)食品并不需要達(dá)到這種溫度精度等級(jí)。然后,在英國(guó)夏季的某一天,我測(cè)量了辦公室內(nèi)的溫度。如圖4所示,溫度為22.87°C。
圖4. 辦公室的溫度為22.87°C。
結(jié)論
硅芯片溫度傳感器已取得長(zhǎng)足進(jìn)步,變得非常精確,能夠?qū)崿F(xiàn)非常高的生命體征監(jiān)測(cè)精度。雖然它們內(nèi)部的技術(shù)都是基于成熟的原理,但要使它們達(dá)到亞度精度水平,還是需要付出巨大的努力。即使達(dá)到了這種精度水平,機(jī)械應(yīng)力和焊接也很容易抹掉數(shù)小時(shí)校準(zhǔn)所取得的成果。
ADT7320和ADT7422代表了多年來(lái)達(dá)到亞度級(jí)精度溫度表征的技術(shù)頂峰,即使是在焊接到PCB上之后。
ADT7422
●焊接到 PCB 上后,精度符合 ASTM E1112 的臨床溫度測(cè)定規(guī)范
●3.0 V 下 25°C 至 50°C 時(shí)為 ±0.1°C
●2.7 V to 3.3 V 下 −20°C 至 +105°C 時(shí)為 ±0.25°C
●超低溫度漂移:0.0073°C
●美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究所 (NIST) 可追溯或等效
●上電時(shí) 6 ms 的快速首次溫度轉(zhuǎn)換
●簡(jiǎn)單的實(shí)現(xiàn)方式
●不需要溫度校準(zhǔn)或校正
●不需要線性度校正
●低功耗
●在 1 SPS 模式下 3.0 V 時(shí)為 140 μW(典型值)
●在關(guān)斷模式下 3.0 V 時(shí)為 6 μW(典型值)
●可編程中斷
●關(guān)鍵過(guò)溫中斷
●過(guò)溫和欠溫中斷
●I2C 兼容接口
●符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的 16 引腳 4 mm × 4 mm LFCSP 封裝
(來(lái)源:亞德諾半導(dǎo)體)
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