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三月ITES開講啦！5場行業(yè)千人會，50+技術(shù)論壇火爆全場！
2021新啟，為幫助制造業(yè)企業(yè)開拓市場、挖掘商機(jī)、洞悉未來，ITES深圳工業(yè)展特別開創(chuàng)“展+會+展”的全新展覽模式，鏈通垂直產(chǎn)業(yè)上下游，推動企業(yè)實現(xiàn)有效溝通交流。請跟隨四組有趣的數(shù)字，打開2021 ITES！
2021-03-03
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Maxim I/O集線器助力歐姆龍公司擴(kuò)展NXR系列IO-Link產(chǎn)線，實現(xiàn)工業(yè)4.0
中國，北京—2021年2月23日—Maxim Integrated Products, Inc (NASDAQ: MXIM)宣布其雙通道IO-Link?產(chǎn)品被歐姆龍(OMRON Corporation)所采納，用于該公司NXR系列的IO-Link控制器和IO-Link I/O集線器，以擴(kuò)展IO-Link雙向控制器和數(shù)字IO性能。借助Maxim Integrated的MAX14819A雙通道IO-Link控制器和MAX14827A IO-Link器件，以及MAX14912和MAX14915數(shù)字輸出器件，NXR系列產(chǎn)品為歐姆龍客戶提供便捷途徑，擴(kuò)展其工廠自動化系統(tǒng)IO，并將智能化推向產(chǎn)線前沿。歐姆龍的創(chuàng)新NXR系列產(chǎn)品可持續(xù)診斷、監(jiān)測客戶現(xiàn)場生產(chǎn)設(shè)備的健康狀況及工作狀態(tài)。
2021-02-23
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集成電路是如何被發(fā)明的？
也許上天有意要人類發(fā)明出集成電路（IC：Integrated Circuit），幾乎在同時，兩組人在個不知曉對方發(fā)明工作的情況下，獨(dú)立設(shè)計出幾乎相同的集成電路。
2021-02-05
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采用具有驅(qū)動器源極引腳的低電感表貼封裝的SiC MOSFET
人們普遍認(rèn)為，SiCMOSFET可以實現(xiàn)非常快的開關(guān)速度，有助于顯著降低電力電子領(lǐng)域功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗。然而，由于傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體封裝的限制，在實際應(yīng)用中并不總是能發(fā)揮SiC元器件的全部潛力。在本文中，我們首先討論傳統(tǒng)封裝的一些局限性，然后介紹采用更好的封裝形式所帶來的好處。最后，展示對使用了圖騰柱（Totem-Pole）拓?fù)涞?.7kW單相PFC進(jìn)行封裝改進(jìn)后獲得的改善效果。
2021-02-03
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CITE2021前瞻：智能網(wǎng)聯(lián)與自動駕駛吸引全球目光
2021年伊始，深耕智能汽車領(lǐng)域八年后，百度正式進(jìn)場造車；近乎同一時間，英特爾自動駕駛子公司Mobileye預(yù)計2021年上半年將在東京、上海、巴黎以及紐約市測試其自動駕駛汽車技術(shù)；美國蘋果公司的“泰坦計劃”(即蘋果提出的自動駕駛汽車研發(fā)計劃)將在今年9月推出醞釀已久的電動汽車“蘋果汽車”(AppleCar)。
2021-01-29
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美光率先于業(yè)界推出 1α DRAM 制程技術(shù)
2021年 1 月 27 日，中國上海 — 內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU) 今日宣布批量出貨基于 1α (1-alpha) 節(jié)點(diǎn)的 DRAM 產(chǎn)品。該制程是目前世界上最為先進(jìn)的 DRAM 技術(shù)，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。這是繼最近首推全球最快顯存和 176 層 NAND 產(chǎn)品后，美光實現(xiàn)的又一突破性里程碑，進(jìn)一步加強(qiáng)了公司在業(yè)界的競爭力。
2021-01-27
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美光攜手聯(lián)想、聯(lián)寶科技成立聯(lián)合實驗室，加速開發(fā)下一代PC和筆記本電腦
2021年 1 月 25 日，中國上海 — 內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU) 今日宣布攜手聯(lián)想及聯(lián)寶科技 (聯(lián)想旗下最大的制造和研發(fā)機(jī)構(gòu)) 成立聯(lián)合實驗室。該實驗室是內(nèi)存和存儲業(yè)界首家同時聯(lián)合原始設(shè)計制造商 (ODM) 及原始設(shè)備制造商 (OEM) 的聯(lián)合實驗室。這種獨(dú)特的三方合作模式將加快美光的 DRAM 和 NAND 前沿創(chuàng)新技術(shù) (例如 GDDR6、LPDDR5、DDR5 和 PCIe 4.0 NVMe SSD) 在聯(lián)想產(chǎn)品設(shè)計中的應(yīng)用，從而更好地滿足用戶的核心工作負(fù)載需求。
2021-01-27
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Vishay贊助的同濟(jì)大學(xué)電動方程式車隊勇奪冠軍，支持培養(yǎng)下一代汽車設(shè)計師
賓夕法尼亞、MALVERN — 2021年1 月 25 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其贊助的同濟(jì)大學(xué)大學(xué)生電動方程式車隊---DIAN Racing首次榮獲中國大學(xué)生電動方程式汽車大賽（FSEC）總冠軍。
2021-01-25
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高速串行 ：AC耦合電容的選值需要考量這么多因素呀？？
我們知道，在串行信號中串個AC耦合電容，這個電容可以提供直流偏壓和過電流保護(hù)，但也會給鏈路帶了另一個問題PDJ(pattern-dependent jitter)。顧名思義，這和碼型有關(guān)。我們的鏈路可以等效成高通RC電路，當(dāng)出現(xiàn)連續(xù)的“1”或“0”時，會出現(xiàn)下圖的直流壓降，這不僅會影響眼高，還會造成PDJ。
2021-01-22
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什么是鐵電存儲器？
隨著我們進(jìn)入超智能和超互聯(lián)的第四次工業(yè)革命時代，高密度和高性能存儲器的重要性比以往任何時候都更大。目前應(yīng)用最廣泛的NAND閃存由于依賴電荷陷阱效應(yīng)存儲信息，存在功耗高、運(yùn)行速度慢、易重復(fù)使用等問題。為此，POSTECH的一個研究小組最近展示了一種鐵電存儲器，它在運(yùn)行速度、功耗和設(shè)備可靠性方面都超過了傳統(tǒng)閃存的性能。
2021-01-21
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前Intel新思全球技術(shù)高管加入中國芯片IP新銳公司，助推后者全球化部署
2021年1月18日—— 先進(jìn)工藝芯片IP領(lǐng)先企業(yè)芯耀輝科技有限公司（以下簡稱“芯耀輝”）宣布任命安華（Anwar Awad）先生擔(dān)任芯耀輝全球總裁，全面負(fù)責(zé)技術(shù)和產(chǎn)品戰(zhàn)略實施，管理國際研發(fā)團(tuán)隊，及領(lǐng)導(dǎo)公司并購戰(zhàn)略。隨著安華先生的加入，芯耀輝得以加速全球化部署的腳步，全面提速先進(jìn)芯片IP技術(shù)的研發(fā)和產(chǎn)品布局。
2021-01-18
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為何eMMC芯片磨損導(dǎo)致MCU和車輛無法正常運(yùn)作？
ODI最近對較舊的Teslas Model S和Model X車輛提出的信息要求突顯了工作負(fù)載疏忽，其中基于NVIDIA Tegra 3處理器和集成8GB eMMC NAND閃存的主控制單元（MCU）遇到了問題。
2021-01-13
- 隨時隨地享受大屏幕游戲：讓便攜式 4K 超高清 240Hz 游戲投影儀成為現(xiàn)實
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