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Vishay Siliconix推出尺寸極小的新款低壓模擬開關

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出3款新型單極雙擲（SPDT）和雙路的雙極雙擲（DPDT）CMOS低壓模擬開關--- DG2735A、DG2725和DG2599。這些器件具有低工作電壓和低導通電阻，采用小尺寸miniQFN封裝，可在空間受限的便攜式終端產品中用于音頻、SIM卡和多功能信號切換。

2011-07-04
600V FRED Pt? Hyperfast和Ultrafast：Vishay推出新型整流器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布34款采用6種功率封裝的新型600 V FRED Pt? Hyperfast和Ultrafast整流器。這些新器件具有極快的軟恢復時間、低正向壓降和反向恢復電荷，降低了開關電源中高效PFC的開關和傳導損耗。

2011-07-04
IHLP-3232DZ-01:Vishay推出低高度、高電流電感器用于多媒體終端設備

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用3232外形尺寸的新款低高度、高電流IHLP?電感器--- IHLP-3232DZ-01，電感器具有8.18mmx8.64mm的尺寸和4.0mm的超低高度。IHLP-3232DZ-01的最大DCR低至1.68m?，具有0.22μH至10.0μH的標準感值，可在系統中實現高效率。

2011-06-27
Vishay推出PLTT精密低TCR高溫薄膜電阻應用于電信和工業(yè)設備

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其PLTT精密低TCR高溫薄膜電阻現可提供0805、1206、2010和2512外形尺寸，阻值范圍擴大至250Ω～3MΩ，并可提供非標阻值。

2011-06-24
Vishay推出新款45V TMBS? Trench MOS勢壘肖特基整流器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出12個具有三種功率封裝的45V器件，這些器件具有10A～60A的寬電流等級，擴充了其TMBS? Trench MOS勢壘肖特基整流器。

2011-06-17
Vishay展示業(yè)內領先的電容器、電阻和功率MOSFET器件

Vishay在PCIM Asia 2011上展示用于“綠色”能源應用的最新款電容器、薄膜剎車電阻、厚膜功率電阻和功率MOSFET

2011-06-14
VLPC系列：Vishay推出三款高亮度冷白光LED模塊用于照明

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出3款安裝了6個或12個高亮度LED的冷白光LED模塊--- VLPC0601A2、VLPC1201A2J、VLPC1201A2。

2011-05-27
Vishay發(fā)布用于VCNL4000光學傳感器的新款演示套件

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布用于VCNL4000全集成式接近和環(huán)境光光學傳感器的新款演示套件。演示套件中的VCNL4000安裝在一塊PCB板上，并配有USB接口和的演示軟件，使設計者不用花很多錢就能為其應用輕松評估這款器件。

2011-05-24
Vishay發(fā)布2011年“Super 12”特色產品

日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，Vishay發(fā)布2011年的“Super 12”特色產品。這些元器件具有業(yè)界領先的規(guī)格標準，如導通電阻、導通電阻與柵極電荷乘積(FOM)、溫度范圍和電流等級。

2011-05-19
T16:Vishay推出新款液鉭電容器應用于航空、航天領域

日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出采用鉭外殼和glass-to-tantalum密封的新系列液鉭電容器---T16，該器件特別適用于航空、航天領域。

2011-05-18
SiC779CD：Vishay Siliconix 推出高效集成DrMOS解決方案

日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出具有為PWM優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET、全功能MOSFET驅動IC、自舉二極管的集成DrMOS解決方案---SiC779CD。

2011-05-11
TH5：Vishay推出新款高可靠性貼片式電容器用于石油勘探系統

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列HI TMP? TANTAMOUNT?表面貼裝固鉭貼片式電容器--- TH5，在業(yè)內首次在12V或21V下使容值達到10μF，可在+200℃可連續(xù)工作500小時，而不需要進行電壓降額。

2011-05-05

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