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OPA653/OPA659：TI推出業(yè)界速度最快的JFET輸入放大器
德州儀器 (TI) 宣布推出 OPA653 與 OPA659 JFET 輸入運算放大器，其可實現(xiàn)3 倍于同類競爭產(chǎn)品的 2675 V/us 壓擺率，從而可顯著提高脈沖響應(yīng)。
2009-12-21
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AUIPS7121R/7141R：IR推出堅固可靠的智能功率開關(guān)
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出 AUIPS7121R 和 AUIPS7141R 65V 高側(cè)智能功率開關(guān) (IPS) 。新產(chǎn)品具有精確的電流感應(yīng)和內(nèi)置保護電路，適用于嚴(yán)苛的24V汽車環(huán)境，如卡車的引擎罩接線盒等。
2009-12-18
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IR11672A：IR推出擁有先進的最小導(dǎo)通時間 (MOT) 保護電路新品
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IR11672A SmartRectifier IC。新器件為節(jié)能AC-DC電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計，擁有先進的最小導(dǎo)通時間 (MOT) 保護電路，適用于筆記本型電腦、LCD和PDP電視、游戲機，以及服務(wù)器和通信開關(guān)電源 (SMPS) 。
2009-12-16
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日立低價位ESC傳感器：確保耐熱性及抗振性，可內(nèi)置于油壓單元
日立制作所和日立汽車系統(tǒng)（Hitachi Automotive Systems）于2009年10月宣布共同開發(fā)出了ESC用傳感器。該傳感器的特點是：提高了耐熱性及抗振性，可與發(fā)動機室內(nèi)的油壓單元一體化。包括組裝成本在內(nèi)，成本有望比原來降低50％。預(yù)定2012年開始量產(chǎn)。
2009-12-16
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IMEC等利用MEMS元件振動發(fā)電達85μW
比利時研究機構(gòu)IMEC、荷蘭研究機構(gòu)Holst Centre與TNO在“2009 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2009）”上宣布，聯(lián)合開發(fā)出了將振動能量轉(zhuǎn)換為電力的MEMS元件，并獲得了最大85μW的電力。此前IMEC開發(fā)出的MEMS元件中，最大電力為60μW。
2009-12-15
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SC型：康寧發(fā)布現(xiàn)場端接連接器OptiSnap接頭產(chǎn)品
康寧光纜系統(tǒng)（上海）有限公司，康寧集團全資子公司，宣布其具有市場領(lǐng)先地位的 OptiSnap(TM) 現(xiàn)場端接連接器家族又添新成員，并已進入量產(chǎn)階段。
2009-12-14
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LT3990：Linear推出350mA、60V 超低靜態(tài)電流降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 350mA、60V 超低靜態(tài)電流降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器 LT3990。其突發(fā)模式 (Burst Mode?) 工作在無負載情況下保持靜態(tài)電流低于 2.5uA。LT3990 的 4.3V 至 60V 輸入電壓范圍使其非常適合汽車和工業(yè)應(yīng)用，這類應(yīng)用需要具超低功耗的連續(xù)輸出。
2009-12-10
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德資雅迪HARTING 慶?！癓udwig Erhard獎”的成功
在柏林舉行的第13屆Ludwig Erhard 獎證明了德資雅迪技術(shù)集團的巨大成功。雅迪德國有限公司——集團的德國銷售公司慶祝獲得第二名優(yōu)異的成績。
2009-12-08
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LTC3108：凌力爾特推出高度集成的升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高度集成的升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 LTC3108，該器件專為在采用極低輸入電壓電源的情況下啟動和運行而設(shè)計，例如：熱電發(fā)生器(TEG)、熱電堆和小型太陽能電池。
2009-12-08
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Avago推出1MBd數(shù)字光電耦合器產(chǎn)品
ACPL-M50L可以在產(chǎn)品的使用壽命內(nèi)提供卓越的高電壓性能，并且符合強化應(yīng)用的安全絕緣要求，采用小型SO-5封裝供貨，Avago的ACPL-M50L高速數(shù)字光電耦合器可以支持2.7V到24V的寬廣電源電壓范圍，只需IF > 3mA的低順向驅(qū)動電流即可驅(qū)動，并具備最低80%以上的高電流傳輸比(CTR, Current Transfer Ratio)，因此可以在不需加入緩沖芯片的情況下直接由微控制器驅(qū)動。
2009-11-26
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FDFMA2P859T:飛兆半導(dǎo)體推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET現(xiàn)推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝版本，幫助設(shè)計人員提升其設(shè)計性能。飛兆半導(dǎo)體與設(shè)計工程師和采購經(jīng)理合作，開發(fā)了集成式P溝道PowerTrench? MOSFET與肖特基二極管器件FDFMA2P859T，利用單一封裝解決方案，滿足對電池充電和功率多工(power-multiplexing)應(yīng)用至關(guān)重要的效率和熱性能需求。
2009-11-25
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AUIRG7CH80K6B-M：IR推出焊前金屬的絕緣柵雙極晶體管
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，適用于電動汽車 (EV) 、混合電動汽車 (HEV) 和中功率驅(qū)動器中的高電流、高電壓汽車逆變器模塊。
2009-11-24
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