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高壓負(fù)輸出充電泵提供低輸入和輸出紋波
加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2012 年 5 月 10 日 – 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出通用高壓充電泵 LTC3260 和 LTC3261。LTC3261 是高壓負(fù)輸出充電泵，可提供高達(dá) 100mA 的輸出電流。LTC3260 具有與 LTC3261 相同的充電泵，但還包括兩個正及負(fù) LDO 穩(wěn)壓器，每個 LDO 穩(wěn)壓器可提供高達(dá) 50mA 的輸出電流。負(fù) LDO 后置穩(wěn)壓器由負(fù)輸出充電泵的輸出供電。正和負(fù) LDO 輸出電壓可用外部電阻器分壓器分別調(diào)節(jié)至 1.2V 和 -1.2V。兩款器件均在 4.5V 至 32V 的寬輸入電壓范圍內(nèi)工作。
2012-05-10
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Digi-Key在其19家國際網(wǎng)站推出電子在線社區(qū)TechXchange
全球知名的電子元件經(jīng)銷商Digi-Key 公司今天宣布在 Digi-Key 19家國際網(wǎng)站上推出 TechXchange 論壇。TechXchange 是一個面向電子行業(yè)的在線社區(qū)，設(shè)計工程師、學(xué)生、教研人員及專業(yè)人士都可通過論壇交流創(chuàng)意，獲得關(guān)于電子方面的免費專業(yè)建議。
2012-05-09
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Power Integrations完成收購CT-Concept Technologie AG
用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司近日宣布已完成對CT-Concept Technologie AG的收購，自5月1日起生效。
2012-05-09
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飛兆半導(dǎo)體新型柵極驅(qū)動光耦合器為設(shè)計人員帶來高絕緣電壓和高抗噪性能
太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)以及馬達(dá)驅(qū)動等大功率工業(yè)應(yīng)用需要能夠處理690VAC以上電網(wǎng)電壓和高于1000 VDC恒定直流電壓的柵極驅(qū)動光耦合器。為了達(dá)到這個目標(biāo)，爬電距離和間隙距離至少要達(dá)到10mm。同樣地，惡劣環(huán)境逆變器(Harsh Environment Inverter, HEI)等應(yīng)用在690VAC電網(wǎng)條件下甚至要求更大的爬電距離和間隙距離。為了幫助設(shè)計人員應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，飛兆半導(dǎo)體開發(fā)了一款先進(jìn)的2.5A輸出電流柵極驅(qū)動光耦合器產(chǎn)品FOD8320。
2012-05-09
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更低功耗、更高隔離電壓 Avago推出新型5MBd數(shù)字光電耦合器
通信、工業(yè)和消費應(yīng)用領(lǐng)域提供模擬接口零部件的領(lǐng)先級供應(yīng)商Avago Technologies (Nasdaq: AVGO) 宣布推出ACPL-M21L/021L/024L/W21L/K24L光電耦合器產(chǎn)品系列。相較于市場上其他相近的5MBd產(chǎn)品，這些光電耦合器的功耗更低。ACPL-x2xL光電耦合器面向滿足使用者對于低功耗、更高隔離電壓、更好共模抑制(Common Mode Rejection, CMR)能力的要求進(jìn)行設(shè)計，主要助力來自于新LED的卓越性能和檢測器芯片設(shè)計。
2012-05-09
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移動市場掀起四核熱潮 價格與功耗成終端普及軟肋
移動終端市場掀起“四核”熱潮。通信行業(yè)終端芯片大佬英特爾日前發(fā)布了13款四核新處理器。緊隨其后，另一芯片巨頭高通也展示旗下最新款可用于Windows 8平板電腦的四核處理器。同時，市場上各類搭載“四核”的終端產(chǎn)品層出不窮。三星即將推出的新一代Galaxy Tab平板將配備主頻為2GHz的Exynos四核處理器。而目前已出貨的華碩平板TF300也配備了NVIDIA Tegra 3四核處理器。另外，華為 Ascend P1 LTE、、HTC One X等多款智能機(jī)也是清一色地搭載四核處理器。
2012-05-09
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得益于鍺化硅工藝，力科LabMaster 10 Zi產(chǎn)品線拓展為65GHz ——100GHz實時帶寬也已在力科產(chǎn)品發(fā)布日程表中
力科公司先前發(fā)布的60GHz實時模擬帶寬的LabMaster 10 Zi產(chǎn)品線拓展為65GHz，而且基于LabMaster 10Zi平臺的100GHz實時帶寬示波器研發(fā)的日程表。65GHz的實時模擬帶寬得益于8HP鍺化硅芯片組所表現(xiàn)出來的超出預(yù)期的優(yōu)秀性能。力科示波器基于硅芯片的帶寬優(yōu)勢得益于多年針對被廣泛使用的、主流的、商用的鍺化硅工藝的經(jīng)驗積累。力科使用最新的8HP鍺化硅工藝，以獲得四個通道每個通道36GHz的模擬帶寬。已得到證明的力科的DBI專利技術(shù)可保證力科的65GHz型號和100GHz的計劃能夠?qū)崿F(xiàn)。
2012-05-08
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Vishay發(fā)布4款新型D/CRCW e3厚膜片式電阻的工程設(shè)計包
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款通過AEC-Q200認(rèn)證的D/CRCW e3厚膜片式電阻的新型工程設(shè)計套件。套件可幫助設(shè)計者選擇最適合其應(yīng)用的電阻，提供0402、0603、0805和1206外形尺寸及一系列的可選阻值，同時樣片封裝在卷帶條并附有單獨的標(biāo)簽。
2012-05-08
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全差分放大器驅(qū)動18位ADC功耗僅為5mW
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出低功率全差分放大器 LTC6362，該器件能僅以 1mA 的電源電流驅(qū)動高精準(zhǔn)的 16 位和 18 位 SAR ADC。LTC6362 具 200uV 最大輸入失調(diào)電壓和 3.9nV/√Hz 輸入?yún)⒖荚肼暎浅＿m用于精準(zhǔn)的工業(yè)和數(shù)據(jù)采集應(yīng)用。
2012-05-08
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Vishay推出下一代D系列MOSFET，兩大指標(biāo)超前對手
近日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導(dǎo)通電阻、超低柵極電荷和3A～36A電流，采用多種封裝，效率和功率密度達(dá)到新的水平。
2012-05-04
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第一講：逆變器基礎(chǔ)知識大收羅
逆變器（Inverter，逆向變壓器件）是一種直流到交流（DC to AC）的變壓器，可將可變直流輸出轉(zhuǎn)換成清潔220V正弦 50Hz 或 其他類型交流電，可用于各類設(shè)備，最大限度地滿足移動供電場所或無電地區(qū)用戶對交流電源的需要。廣泛用在通訊、工業(yè)設(shè)備、衛(wèi)星通信設(shè)備、軍用車載、醫(yī)療救護(hù)車、警車、船舶、太陽能及風(fēng)能發(fā)電領(lǐng)域
2012-05-04
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全球手機(jī)Q1出貨量增3.3% 三星嶄露頭角
市場研究公司Strategy Analytics最新發(fā)表的報告稱，2012年第一季度全球手機(jī)出貨量為3.68億部，同比增長3.3%。三星電子首次超過諾基亞成為全球最大的手機(jī)廠商，結(jié)束了諾基亞在全球手機(jī)市場14年的領(lǐng)先地位.
2012-05-02
- 功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（四）——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測試方法
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