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英飛凌推出光伏發(fā)電逆變器耐壓1200V SiC型FET
德國英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開發(fā)出了適用于光伏發(fā)電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產(chǎn)品群”，新產(chǎn)品的主要用途為光伏發(fā)電的逆變器裝置。如果采用SiC型FET代替現(xiàn)有逆變器裝置中使用的IGBT，便可實(shí)現(xiàn)裝置的小型輕量化。這是因?yàn)樾庐a(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)高于IGBT的工作速度。也就是說，即便提高工作頻率，也能降低開關(guān)損失。因此，電感器及電容器等被動(dòng)元件可使用小型產(chǎn)品，所以能夠?qū)崿F(xiàn)整個(gè)裝置的小型輕量化。
2012-05-24
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綠色供配電 打造節(jié)能數(shù)據(jù)中心
--臺(tái)達(dá)InfraSuite亮相2012區(qū)域數(shù)據(jù)機(jī)房建設(shè)及運(yùn)維高層論壇在互聯(lián)網(wǎng)飛速發(fā)展的大背景下，全球各行業(yè)的數(shù)據(jù)中心面臨巨大變革。據(jù)媒體報(bào)道，2012年，中國大陸新建數(shù)據(jù)中心數(shù)量不斷增長(zhǎng)，即將成為全球第二大的數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)。對(duì)于數(shù)據(jù)中心機(jī)房用戶來說，如何布建數(shù)據(jù)機(jī)房軟硬件環(huán)境，保證不間斷運(yùn)轉(zhuǎn)的機(jī)房實(shí)現(xiàn)可靠、穩(wěn)定的同時(shí)，更能有效降低能耗，已經(jīng)成為一個(gè)迫切需要了解和掌握的問題。
2012-05-24
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IR針對(duì)EV|HEV推出600V超高速開關(guān)、耐用高頻IGBT
國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR)推出高度創(chuàng)新的600V車用IGBT平臺(tái)COOLiRIGBT，它能夠以和MOSFET一樣快的開關(guān)速度運(yùn)行，同時(shí)在高電平下還提供更高的效率。COOLiRIGBT適合電動(dòng)車 (EV) 和混合動(dòng)力車 (HEV) 中的各種高速開關(guān)應(yīng)用，包括車載直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池充電器等。
2012-05-23
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石墨烯電池快充讓電動(dòng)車不到1分鐘充滿電
一種看起來怎么也和電池搭不上界的物質(zhì)，成了突破電池技術(shù)瓶頸的關(guān)鍵。Nanotek公司利用鋰離子可在石墨烯表面和電極之間快速大量穿梭運(yùn)動(dòng)的特性，開發(fā)出石墨烯表面鋰離子交換電池，它集中了鋰電池和超級(jí)電容的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)兼具高功率密度和高能量?jī)?chǔ)存密度的特性?？梢詫⒊潆姇r(shí)間從過去的數(shù)小時(shí)之久縮短到不到一分鐘……
2012-05-23
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Lumex發(fā)布最新的QuasarBrite高溫表面組裝段數(shù)字LED顯示器技術(shù)
PALATINE, IL –Lumex 在全球發(fā)行其最新的 QuasarBrite 高溫表面組裝 (SMD) 七段數(shù)字 LED 顯示器 技術(shù)，該技術(shù)能夠提供在市場(chǎng)主導(dǎo)的溫度范圍內(nèi)（可高達(dá)105°C）的明亮清晰的顯示性能。作為能夠與無鉛錫焊相容的表面組裝技術(shù)，該技術(shù)不需要金屬化孔顯示器要求的額外焊接步驟，節(jié)省時(shí)間并減少要求的體力勞動(dòng)高達(dá)80%。
2012-05-23
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TE不降低性能的HDMI的ESD保護(hù)
最新的高清晰度多媒體接口(HDMI)1.3標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)據(jù)速率達(dá)到了3.4Gbps，是以前HDMI1.0 - 1.2標(biāo)準(zhǔn)的兩倍。更高的數(shù)據(jù)傳輸速率為設(shè)計(jì)具有低電容且能保證足夠的信號(hào)完整性的穩(wěn)定電路板帶來了新的挑戰(zhàn)。尤其對(duì)實(shí)施強(qiáng)大的靜電放電(ESD)保護(hù)解決方案尤為重要。通過選擇合適的解決方案可以簡(jiǎn)化HDMI系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的ESD保護(hù)。TE電路保護(hù)的ESD和過電流保護(hù)參考設(shè)計(jì)符合HDMI1.3在3.4GHz條件下的規(guī)范，滿足IEC61000-4-2關(guān)於ESD保護(hù)規(guī)范的要求，優(yōu)化電路板空間，所有這些都有助於最大程度地減少設(shè)計(jì)人員的風(fēng)險(xiǎn)。本文探討了在HDMI1.3系統(tǒng)中設(shè)計(jì)ESD保護(hù)的要求和缺陷。
2012-05-23
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TE應(yīng)用指南：車載信息中心七大網(wǎng)絡(luò)拓?fù)涞碾娐繁Ｗo(hù)措施
新型客車、卡車、公共汽車甚至摩托車都已成為移動(dòng)的網(wǎng)絡(luò)，將眾多特征和功能連接在一起，如內(nèi)置控制、移動(dòng)媒體和無線網(wǎng)絡(luò)。信息娛樂處理、安全控制等的應(yīng)用均需使用幾種現(xiàn)有的網(wǎng)絡(luò)標(biāo)準(zhǔn)。如LIN、CAN、MOST、IDB-1394、FlexRay、Byteflight、內(nèi)置控制藍(lán)牙和其他標(biāo)準(zhǔn)。
2012-05-22
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DisplaySearch：液晶電視繼續(xù)蠶食CRT和等離子電視市場(chǎng)
根據(jù)NPD DisplaySearch季度全球電視出貨和預(yù)測(cè)報(bào)告Quarterly Advanced Global TV Shipment and Forecast Report指出，全球電視出貨量連續(xù)兩年持平，2012年出口到西歐、日本等發(fā)達(dá)市場(chǎng)的電視總量預(yù)計(jì)將較去年下降11%，由此抵消了新興市場(chǎng)8%的年成長(zhǎng)。
2012-05-22
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IDT新型4M系列振蕩器可替代傳統(tǒng)六管腳晶體振蕩器
擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商IDT公司 (Integrated Device Technology, Inc.) 宣布，已推出全球首款針對(duì)高性能通信、消費(fèi)、云和工業(yè)應(yīng)用的CrystalFree壓電MEMS（pMEMS）LVDS/LVPECL振蕩器。IDT的新型振蕩器可在緊湊業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝中以遠(yuǎn)低于1皮秒的相位抖動(dòng)運(yùn)行，使其成為傳統(tǒng)六管腳晶體振蕩器（XO）的理想替代。
2012-05-18
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滿足Thunderbolt和USB 3.0應(yīng)用的超低電容靜電保護(hù)器
ESD保護(hù)器件在數(shù)據(jù)線上增加了電容，可能引起信號(hào)完整性問題，如今的高速端口需要電容最低的ESD器件，以在提供最高等級(jí)保護(hù)的同時(shí)對(duì)信號(hào)傳輸?shù)挠绊懽钚 ?span id="elvqkhy" class='red'>TE的SESD器件提供比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手‘超低電容’方案低92%的電容值，為USB3.0/2.0、HDMI、eSATA、DisplayPort和Thunderbolt提供最低的插入損耗。
2012-05-18
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IR高集成、超小型μIPM功率模塊減少高達(dá)60%的占位面積
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR)推出一系列正在申請(qǐng)專利的高集成、超小型μIPM功率模塊，適用于高效率家電和輕工業(yè)應(yīng)用，包括制冷壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)器、加熱和水循環(huán)泵、空調(diào)扇、洗碗機(jī)及自動(dòng)化系統(tǒng)。μIPM系列通過采用創(chuàng)新的封裝解決方案，開創(chuàng)了器件尺寸新基準(zhǔn)，比現(xiàn)有的三相位電機(jī)控制功率IC減少了高達(dá)60%的占位面積。
2012-05-17
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滿足Thunderbolt應(yīng)用的TE電路保護(hù)創(chuàng)新器件解讀
隨著電子產(chǎn)品外形不斷向輕、小、薄發(fā)展，對(duì)電路保護(hù)器件的性能以及體積也要求越來越嚴(yán)格。TE電路保護(hù)部的硅靜電放電保護(hù)器件與新型RTP器件能有效地應(yīng)對(duì)當(dāng)前挑戰(zhàn)：能夠滿足如今的Thunderbolt應(yīng)用，甚至適用于4K超高清（UHD）和1/4高清電視（QHD）等仍然處于興起的市場(chǎng)。
2012-05-17
- 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（四）——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測(cè)試方法
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