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中國3G產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀和發(fā)展分析
預(yù)測三大運營商三年3G總投資額為3000億元，2009年底，中國通信業(yè)將全面進入3G時代。在技術(shù)上將向高速率化、寬帶化、IP化方向發(fā)展；網(wǎng)絡(luò)不斷向后3G演進；3G數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)在中國的未來發(fā)展前景明確；2G和3G網(wǎng)絡(luò)將長期共存；預(yù)計5年內(nèi)將有一半的移動用戶成為3G用戶。
2009-01-29
3G 中國電信 中國移動 中國聯(lián)通
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MAX3678：Maxim具有智能動態(tài)切換功能的頻率合成器
Maxim推出具有9路LVPECL時鐘輸出和智能動態(tài)切換功能的低抖動頻率合成器MAX3678。該器件從66.6MHz的低參考時鐘輸入產(chǎn)生高達333MHz的時鐘輸出。是高端服務(wù)器存儲和CPU時鐘發(fā)生器等高速同步應(yīng)用的理想選擇。
2009-01-24
LVPECL MAX3678 超低抖動 VCO PLL 頻率合成器
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可降低多頻手機功耗的射頻-微機電系統(tǒng)
手機多頻和多功能的發(fā)展趨勢需要新型手機集成更多的頻帶和操作模式，同時最大程度地降低電能消耗。然而，手機天線失配將帶來額外的功耗，此時通過可調(diào)匹配網(wǎng)絡(luò)是射頻前端與天線匹配捷克解決這個問題，而射頻-微機電系統(tǒng)是組成可調(diào)網(wǎng)絡(luò)的好選擇，它的線性和電能穩(wěn)定性更好、調(diào)諧范圍也更大，獲得品質(zhì)...
2009-01-16
MEMS RF前端 手機 頻段 天線 阻抗匹配
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如何為射頻電路選擇合適的電感
本文介紹了射頻電感的分類、射頻電感的技術(shù)指標和射頻電感的分類。
2009-01-06
射頻電路 RF 電感 Q值 直流電阻 自諧振頻率 振蕩電路 疊層片式電感 繞線電感 錐形電感 磁芯
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IBM研發(fā)出世界最快的石墨烯晶體管
IBM研究中心聲稱研究出世界上速度最快的石墨烯場效應(yīng)晶體管，運行頻率達到26GHz。
2009-01-04
石墨烯晶體管 低噪聲放大器 射頻電路
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富士通開發(fā)出適用于功率放大器的CMOS邏輯高壓晶體管
富士通微電子(上海)有限公司近日宣布，富士通實驗室和富士通株式會社聯(lián)合開發(fā)出一款具有高擊穿電壓并基于邏輯制程的CMOS高壓晶體管，該晶體管適用于無線設(shè)備的功率放大器。作為先進科技的先驅(qū)，富士通開發(fā)完成了世界上第一代基于45納米工藝的CMOS晶體管，能夠處理10V功率輸出，這使得晶體管能夠處理...
2009-01-02
CMOS 功放 WiMAX LTE 單芯片 集成PA和射頻
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電子元器件S參數(shù)的含義和用途
在進行射頻、微波等高頻電路設(shè)計時，節(jié)點電路理論已不再適用，需要采用分布參數(shù)電路的分析方法，這時可以采用復(fù)雜的場分析法，但更多地時候則采用微波網(wǎng)絡(luò)法來分析電路，對于微波網(wǎng)絡(luò)而言，最重要的參數(shù)就是S參數(shù)。在個人計算機平臺邁入 GHz階段之后，從計算機的中央處理器、顯示界面、存儲器總線到...
2008-12-19
S參數(shù) 射頻 微波 分散參數(shù) 集總電路
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BLL6H1214-500：NXP L波段雷達應(yīng)用RF輸出功率器件
恩智浦半導(dǎo)體擴張其業(yè)界領(lǐng)先的RF Power 晶體管產(chǎn)品線，近日推出最新的針對L波段雷達應(yīng)用的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS)晶體管，該晶體管在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間帶來達500W的突破性的RF輸出功率。
2008-11-25
BLL6H1214-500 RF Power 晶體管 L波段 雷達應(yīng)用 LDMOS
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Mouser宣布與Walsin公司簽訂全球分銷協(xié)議
貿(mào)澤（Mouser）電子公司近日宣布與Walsin公司簽訂全球分銷協(xié)議。
2008-11-24
RF高頻器件 天線 帶通濾波器 平衡器 平衡濾波器 共模濾波器 雙工器 MLCC EMI ESD濾波器
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