【導讀】Charley Moser擁有EE博士學位，是我最早的模擬設(shè)計導師之一。從他那里，我學到了很多知識——混合pi晶體管建模、用于穩(wěn)定性分析的Bode圖對最小相位系統(tǒng)的限制、為什么要使用緩沖器以及如何設(shè)計緩沖器、防止擊穿的雙極基極拉電流、SCR在高溫下的使用等。其中，如何在高電壓下調(diào)節(jié)低功率是最引人注目的創(chuàng)新；這對我來說極具價值，因為我是多家儀器公司帶電粒子光學方案中所用高壓電源設(shè)計領(lǐng)域的高手。
他教我用接地基極高壓晶體管進行并聯(lián)調(diào)節(jié)，并通過運算放大器驅(qū)動發(fā)射極。晶體管的增益帶寬將在其fT下降低3dB。用低電壓輸入控制高壓輸出需要很大的反饋分壓比，這會導致開環(huán)增益降低；因此晶體管在接地基極配置中對電壓增益的巨大貢獻非常有用，而且對于穩(wěn)定的環(huán)路來說應(yīng)該不難控制。
該仿真演示了這一概念：
基于人人喜愛的彩電晶體管實用電路及其大信號階躍響應(yīng)，可能看起來是這樣的：
使用超出其開路基極電壓額定值的晶體管有些冒險，但將基極接地可以消除集電極基極漏電，使其盡可能不發(fā)生故障。正軌電壓降至5V，這樣基極發(fā)射極也不會發(fā)生雪崩，從而避免晶體管老化。在調(diào)整補償值的過程中，我們很快就會發(fā)現(xiàn)很難改善穩(wěn)定時間。
但是，如今的寬帶隙FET使這種電路的設(shè)計變得微不足道：無需擔心額定電壓，而且補償更容易，只需花費上述設(shè)計的一小部分時間即可實現(xiàn)穩(wěn)定；此外，也無需負軌。
如果您連接負載的布線電容足夠低，則可能需要更小JFET的更高阻抗版本，以利用其較低電容的優(yōu)勢。
我在40年前與Charley失去了聯(lián)系（我的錯），但我覺得他會非常喜歡使用寬帶隙FET。
作者：Mike Engelhardt 來源：Qorvo
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