国产精品亚洲欧美一区麻豆_亚洲国产精品高清在线观看_ 国产一区二区在线观看app-亚洲国产成人久久综合野外-国产永久在线视频-国产va免费精品

你的位置:首頁 > RF/微波 > 正文

什么是射頻衰減器?如何為我的應(yīng)用選擇合適的RF衰減器?

發(fā)布時(shí)間:2022-09-28 來源:ADI 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】本文延續(xù)之前的一系列短文,面向非射頻工程師講解射頻技術(shù);我們將探討IC衰減器,并針對(duì)其類型、配置和規(guī)格提出一些見解。本文旨在幫助工程師更快了解各種IC產(chǎn)品,并為終端應(yīng)用選擇合適的產(chǎn)品。該系列的相關(guān)文章包括:"為應(yīng)用選擇合適的RF放大器指南"、"如何輕松選擇合適的頻率產(chǎn)生器件"和"RF解密–了解波反射"。


問題:


什么是射頻衰減器?如何為我的應(yīng)用選擇合適的RF衰減器?


答案:


衰減器是一種控制元件,主要功能是降低通過衰減器的信號(hào)強(qiáng)度。這種元件一般用于平衡信號(hào)鏈中的信號(hào)電平、擴(kuò)展系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)范圍、提供阻抗匹配,以及在終端應(yīng)用設(shè)計(jì)中實(shí)施多種校準(zhǔn)技術(shù)。


簡(jiǎn)介


本文延續(xù)之前的一系列短文,面向非射頻工程師講解射頻技術(shù);我們將探討IC衰減器,并針對(duì)其類型、配置和規(guī)格提出一些見解。本文旨在幫助工程師更快了解各種IC產(chǎn)品,并為終端應(yīng)用選擇合適的產(chǎn)品。該系列的相關(guān)文章包括:"為應(yīng)用選擇合適的RF放大器指南"、"如何輕松選擇合適的頻率產(chǎn)生器件"和"RF解密–了解波反射"。


衰減器的類型


從關(guān)鍵功能這個(gè)角度,衰減器可以分為固定衰減器和可變衰減器,前者的衰減電平保持不變,后者的衰減電平可調(diào)。根據(jù)可變衰減器支持的衰減控制方式,還可以進(jìn)一步細(xì)分為電壓可變衰減器(VVA)和數(shù)字步進(jìn)衰減器(DSA),前者采用模擬控制技術(shù),后者采用數(shù)字控制技術(shù)。


VVA可以持續(xù)調(diào)節(jié)衰減電平,電平可以設(shè)置為給定范圍內(nèi)的任何值。對(duì)于自動(dòng)增益控制電路、校準(zhǔn)校正以及其他需要平穩(wěn)、精確地控制信號(hào)的處理功能,通常采用模擬可變衰減器。


數(shù)字步進(jìn)衰減器采用一組離散衰減電平,可以按照預(yù)先設(shè)置的衰減步長(zhǎng)調(diào)節(jié)信號(hào)強(qiáng)度。數(shù)字控制RFIC衰減器具有可兼容微控制器的控制接口,并提供出色的解決方案,可用于在復(fù)雜設(shè)計(jì)中保持功能完整性。


設(shè)計(jì)配置


衰減器IC可以使用電阻、PIN二極管、FET、HEMT和CMOS晶體管,并通過GaAs、GaN、SiC或CMOS技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。圖1顯示了構(gòu)成各種衰減器設(shè)計(jì)配置的三種基本拓?fù)洌篢型、π型和橋接T型網(wǎng)絡(luò)。


1662625902825033.png

圖1. 基本的衰減器拓?fù)洌?a) T型,(b) π型,(c)橋接T型網(wǎng)絡(luò)。


固定值衰減器利用通過薄膜和厚膜混合技術(shù)實(shí)現(xiàn)的這些核心拓?fù)鋪硖峁┕潭ㄋp電平。


VVA一般使用T型或π型配置,二極管或晶體管元件工作在非線性電阻區(qū)。利用基本元件的電阻特性,通過改變控制電壓來調(diào)節(jié)所需的衰減電平。


DSA通常采用代表單個(gè)位的多個(gè)級(jí)聯(lián)單元,它們可以輸入或輸出,以實(shí)現(xiàn)所需的衰減電平。圖2顯示了DSA設(shè)計(jì)使用的幾種配置示例。其中包括:采用了集成SPDT開關(guān),可通過衰減器和直通線來切換輸入和輸出端口的配置;開關(guān)調(diào)節(jié)器件設(shè)計(jì),使用晶體管或二極管作為可調(diào)電阻;開關(guān)電阻配置,電阻可以切換,在電路中作為輸入或輸出;以及器件嵌入式設(shè)計(jì),晶體管或二極管是該設(shè)計(jì)的組成部分。


28.png

圖2. DSA設(shè)計(jì)配置示例:(a) π型配置,采用集成開關(guān),(b)開關(guān)調(diào)節(jié)FET配置,(c)開關(guān)電阻配置,(d)FET嵌入式配置。


衰減器拓?fù)淇梢杂迷诜瓷浠蚱胶忸愋偷脑O(shè)計(jì)中,原理圖如圖3所示。反射型器件使用同等衰減器,它們連接至3 dB正交耦合器的輸出端,一般提供寬動(dòng)態(tài)范圍。平衡配置使用兩個(gè)3 dB正交耦合器連接一對(duì)完全相同的衰減器,以提供出色的VSWR和功率處理能力。


1662625942343669.png

圖3. (a)反射型和(b)平衡型衰減器設(shè)計(jì)拓?fù)洹?/p>


除了本文中描述的主要設(shè)計(jì)配置之外,還可使用其他類型的電路來實(shí)現(xiàn)IC衰減器元件;但是,本文對(duì)這些內(nèi)容不做討論。1,2


主要規(guī)格


為了針對(duì)終端應(yīng)用選擇合適的衰減器,工程師必須深入了解其主要規(guī)格。除了衰減功能和一些基本參數(shù)(例如插入和回波損耗)之外,還有許多其他特性也可用于描述衰減器元件,主要包括:


●    頻率范圍(Hz):IC保持其指定特性的頻率

●    衰減(dB):超過插入損耗的抑制量

●    頻率響應(yīng):整個(gè)頻率范圍(Hz)內(nèi)衰減電平(dB)的變化

●    衰減范圍(dB):該元件提供的總衰減值

●    輸入線性度(dBm):通常使用3階交調(diào)點(diǎn)(IP3)表示,IP3定義輸入功率電平的假設(shè)點(diǎn),在該點(diǎn)相應(yīng)雜散分量的功率將達(dá)到與基波分量相同的水平

●    功率處理(dBm):通常使用輸入1 dB壓縮點(diǎn)表示,該點(diǎn)定義了衰減器的插入損耗降低1 dB時(shí)的輸入功率電平;功率處理特性一般針對(duì)穩(wěn)態(tài)和熱切換模式下的平均和峰值輸入功率電平來確定

●    相對(duì)相位(度):由衰減器元件引入信號(hào)中的相位偏移


除了這些常用參數(shù)之外,還使用開關(guān)特性來描述可變衰減器,通常以ns為單位來描述上升時(shí)間和下降時(shí)間、導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間,以及RF輸出信號(hào)的幅度和相位建立時(shí)間。


此外,每種類型的可變衰減器都有其固有特性。對(duì)于VVA,它們與其模擬控制操作相關(guān),包括:


●    電壓控制范圍(V):在衰減范圍內(nèi)調(diào)節(jié)衰減電平所需的電壓

●    控制特性一般用衰減斜率(dB/V)和性能曲線表示,從中可以看出,衰減電平與控制電壓成函數(shù)關(guān)系


對(duì)于DSA,其固有特性包括:


●    衰減精度(也稱為狀態(tài)誤差)(dB):衰減電平相對(duì)于標(biāo)稱值的變化極限

●    衰減步長(zhǎng)(dB):任何兩個(gè)連續(xù)衰減狀態(tài)之間的變化量

●    步進(jìn)誤差(dB):衰減步長(zhǎng)相對(duì)于標(biāo)稱值的變化極限

●    過沖、下沖(dB):狀態(tài)轉(zhuǎn)換期間的信號(hào)瞬變電平(毛刺)


良好的衰減器元件通常需要在工作頻率范圍內(nèi)提供平坦的衰減性能和出色的VSWR,提供足夠的精度和功率處理能力,并確保在狀態(tài)轉(zhuǎn)換期間實(shí)現(xiàn)平穩(wěn)、無毛刺運(yùn)行(信號(hào)僅少量失真),或者是提供線性控制特性。


結(jié)論


IC衰減器元件的多樣性當(dāng)然不限于本文中討論的這些。我們還可以找出其他類型的IC,包括基于頻率的相位補(bǔ)償衰減器、溫度可變衰減器、帶集成式DAC的可編程VVA等。本文僅介紹了一些常見的IC衰減器類型,主要探討其采用的拓?fù)浜完P(guān)鍵規(guī)格,以幫助RF設(shè)計(jì)人員為終端應(yīng)用選擇合適的元件。


ADI公司提供非常豐富的集成式RF元件。ADI的衰減器IC提供多種架構(gòu)和尺寸選項(xiàng),設(shè)計(jì)人員可以根據(jù)系統(tǒng)要求靈活選擇合適的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品旨在提供出色的性能,實(shí)現(xiàn)高度可靠的運(yùn)行,以滿足儀器儀表、通信、軍用和航空市場(chǎng)各種應(yīng)用的嚴(yán)苛要求。3


參考資料


1Inder J. Bahl. 使用Si、GaAs和GaN技術(shù)的控制元件。Artech House,2014年。


2Ian Robertson、Stepan Lucyszyn。RFIC/MMIC設(shè)計(jì)和技術(shù)。英國(guó)工程技術(shù)學(xué)會(huì),2001年11月。


3"2021年RF、微波和毫米波產(chǎn)品選型指南"。 ADI公司,2021年9月。


來源:ADI

作者:Anton Patyuchenko



免責(zé)聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題,請(qǐng)聯(lián)系小編進(jìn)行處理。


推薦閱讀:


在16通道演示器中驗(yàn)證的經(jīng)驗(yàn)型多通道相位噪聲模型

多波束相控陣接收機(jī)混合波束成型功耗優(yōu)勢(shì)的定量分析

最新的1200V CoolSiC MOSFET中的.XT技術(shù)如何提高器件性能和壽命

構(gòu)建滿足特定應(yīng)用要求的DPS系統(tǒng)需要考慮這些因素!

使用碳化硅進(jìn)行雙向車載充電機(jī)設(shè)計(jì)

特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉