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本文將探討一些將線性S參數(shù)數(shù)據(jù)與非線性數(shù)據(jù)（如噪聲系數(shù)、IP3、P1dB和PSAT）相結(jié)合的RF放大器模型結(jié)構(gòu)。本文還會(huì)展示系統(tǒng)級(jí)仿真結(jié)果，以評(píng)估其對(duì)實(shí)際特性建模的準(zhǔn)確程度。

 

表1.典型Sys參數(shù)數(shù)據(jù)集

 

S參數(shù)

 

S參數(shù)數(shù)據(jù)集是迄今為止使用非常廣泛的RF仿真模型。它們是標(biāo)準(zhǔn)化的表格式數(shù)據(jù)集，包括不同頻率下的輸入回波損耗、增益、反向隔離和輸出回波損耗，所有這些均為矢量格式。數(shù)據(jù)一般在驅(qū)動(dòng)信號(hào)遠(yuǎn)低于信號(hào)壓縮點(diǎn)的小信號(hào)條件下收集。S參數(shù)通常用于級(jí)聯(lián)增益仿真、輸入和輸出匹配網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)以及穩(wěn)定性的評(píng)估。然而，S參數(shù)不包含器件的噪聲、壓縮或失真特性的信息。

 

Keysight Sys-參數(shù)

 

表1列出了18 GHz至44 GHz、0.5 W功率放大器ADPA7002的sys-參數(shù)數(shù)據(jù)集的一部分。該sys-參數(shù)器件模型結(jié)構(gòu)由Keysight定義，用于其PathWave RF頻率合成(Genesys)和PathWave系統(tǒng)設(shè)計(jì)(SystemVue) RF電路與系統(tǒng)仿真器。數(shù)據(jù)集的表格結(jié)構(gòu)包括了不同頻率下的S參數(shù)數(shù)據(jù)以及相應(yīng)的噪聲、三階交調(diào)和1 dB壓縮數(shù)據(jù)。這些數(shù)據(jù)集提供了足夠的信息，支持對(duì)RF信號(hào)電平、級(jí)聯(lián)增益和反向隔離進(jìn)行仿真。但是，IP3、P1dB和噪聲系數(shù)數(shù)據(jù)的納入為RF功率掃描和信噪比仿真提供了可能性。另外，還可以在器件的工作頻率范圍內(nèi)進(jìn)行高階信號(hào)特性仿真，例如ACLR和EVM。

 

ADI公司維護(hù)著一個(gè)豐富的RF放大器和混頻器sys-參數(shù)庫(kù)，該庫(kù)可供下載，而且也包含在Keysight Genesys和SystemVue安裝程序中。圖1顯示了Keysight Genesys的屏幕截圖。ADI公司的sys-參數(shù)庫(kù)可通過(guò)器件選擇器輕松獲取。每個(gè)器件的sys-參數(shù)器件模型均包含表1所示的數(shù)據(jù)，以及模型屬性窗口中包含的額外信息。此額外數(shù)據(jù)包括電源信息以及PSAT和OIP2相對(duì)于OP1dB的默認(rèn)偏移。

 

圖1.Keysight Genesys屏幕截圖，展示了典型的sys-參數(shù)模型。

 

評(píng)估sys-參數(shù)模型的準(zhǔn)確性

 

為了評(píng)估sys-參數(shù)模型的準(zhǔn)確性，我們現(xiàn)在將對(duì)實(shí)測(cè)結(jié)果和仿真進(jìn)行一系列比較。圖2顯示了HMC788A（10 MHz至10 GHz RF增益模塊）在10 GHz時(shí)的功率掃描的實(shí)測(cè)和仿真結(jié)果。可以看到，仿真功率掃描與實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)非常接近。仿真器使用器件的增益和OP1dB數(shù)據(jù)以及PSAT_Delta來(lái)生成所示的圖形。在本例中，PSAT_Delta為2 dB。這導(dǎo)致PSAT值比OP1dB水平高2 dB，這是GaAs RF放大器的典型默認(rèn)值。

 

圖2.砷化鎵(GaAs) RF放大器的實(shí)測(cè)和仿真功率掃描。

 

圖3.AM到AM和AM到PM失真的仿真和測(cè)量。

 

圖4.HMC1114（3.2 GHz、10 W GaN放大器）的仿真和實(shí)測(cè)功率掃描。

 

AM到AM和AM到PM失真

 

為了更細(xì)致地研究仿真壓縮特性，我們可以看看AM到AM和AM到PM失真。圖3所示的實(shí)測(cè)和仿真結(jié)果是針對(duì) HMC930A的。測(cè)得的AM到AM失真與仿真非常接近。但是，仿真結(jié)果看不出AM到PM失真，這是不正確的。這是因?yàn)槠骷Ｐ秃蛿?shù)據(jù)集僅包含小信號(hào)相位信息（即S21）。雖然仿真器可以使用器件模型中的OP1dB和PSAT_Delta數(shù)據(jù)來(lái)估算AM到AM失真，但它沒(méi)有任何大信號(hào)S參數(shù)數(shù)據(jù)可供使用。在這種情況下，使用更詳細(xì)的模型，例如X-參數(shù)格式（X-參數(shù)模型內(nèi)置與電平相關(guān)的S參數(shù)），會(huì)很合適。

 

氮化鎵放大器的功率掃描仿真

 

圖4顯示了10 W氮化鎵(GaN) RF放大器 HMC1114LP5DE在3.2 GHz時(shí)的功率掃描。GaN RF放大器的壓縮特性往往比GaAs器件要緩和得多。這需要調(diào)整PSAT_Delta，即1 dB壓縮點(diǎn)與飽和點(diǎn)之差。在這種情況下，基于觀察到的測(cè)量值，該變化量已設(shè)置為7 dB。雖然仿真器在某些情況下會(huì)因變化量較大而產(chǎn)生警告，但它仍會(huì)正確仿真并產(chǎn)生與實(shí)測(cè)性能非常接近的結(jié)果。

 

ACLR仿真

 

隨著我們從CW信號(hào)測(cè)量和仿真轉(zhuǎn)向調(diào)制信號(hào)，sys-參數(shù)數(shù)據(jù)集的價(jià)值變得更大。雖然有關(guān)器件增益、壓縮、IP3和噪聲系數(shù)的信息可在器件數(shù)據(jù)手冊(cè)中輕松獲得，但顯示調(diào)制信號(hào)下性能的曲線不大可能在為一般用途而設(shè)計(jì)的器件數(shù)據(jù)手冊(cè)中找到。另外，如果不進(jìn)行仿真或測(cè)量，ACLR和EVM之類的指標(biāo)也不容易預(yù)測(cè)。

 

圖5顯示了0.25 W的驅(qū)動(dòng)放大器 ADL5320在2140 MHz時(shí)，由5 MHz寬載波驅(qū)動(dòng)下的功率掃描的仿真結(jié)果。仿真載波由11個(gè)均勻間隔的子載波組成，ACLR在5 MHz載波偏移下進(jìn)行測(cè)量。

 

圖5.ACLR仿真。

 

仿真表明，ACLR在–15 dBm的輸入功率下達(dá)到了最優(yōu)值。在此輸入功率以下，ACLR以1 dB/dB的比率隨輸入功率而降低。曲線的此區(qū)域主要由噪聲系數(shù)數(shù)據(jù)決定。當(dāng)輸入功率提高到–15 dBm以上時(shí)，ACLR的衰減速率與器件的IP3密切相關(guān)。值得注意的是，此仿真的結(jié)果依賴于噪聲系數(shù)數(shù)據(jù)（低功率時(shí)）和IP3數(shù)據(jù)（高功率時(shí)）來(lái)產(chǎn)生在寬功率范圍內(nèi)都很準(zhǔn)確的ACLR掃描。

 

該圖還包括實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)（藍(lán)色）。對(duì)于–15 dBm的輸入功率水平，它未達(dá)到相同的最優(yōu)水平，這是由于測(cè)量設(shè)置的限制所致。值得注意的是，隨著輸入功率水平的增加，實(shí)測(cè)ACLR下降得更快。這是因?yàn)槠骷腛IP3會(huì)隨輸入/輸出功率水平而稍有下降（理想情況下，它不應(yīng)改變）。器件模型數(shù)據(jù)集中的IP3是單個(gè)數(shù)據(jù)集，不隨功率水平而變化；可以認(rèn)為它是器件的小信號(hào)IP3。這又是一個(gè)X-參數(shù)模型及其更詳細(xì)的電平相關(guān)性建?？赡軙?huì)產(chǎn)生更準(zhǔn)確仿真的例子。

 

EVM仿真

 

sys-參數(shù)模型還可用來(lái)可靠地進(jìn)行EVM仿真。圖6顯示了EVM相對(duì)于RF功率掃描的實(shí)測(cè)和仿真結(jié)果，輸入信號(hào)為1 MSPS、16 QAM載波，驅(qū)動(dòng)50 MHz至4 GHz增益模塊 ADL5602。這表明在低功率和高功率水平下，測(cè)量與仿真之間都有出色的相關(guān)性。

 

溫度仿真

 

ADI庫(kù)中的默認(rèn)sys-參數(shù)數(shù)據(jù)集僅包含環(huán)境溫度數(shù)據(jù)。但是，通過(guò)向包含溫度數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)集添加額外工作表可以擴(kuò)展模型。圖7顯示了18 GHz至44 GHz、1 W功率放大器 ADPA7007的數(shù)據(jù)集。該數(shù)據(jù)集具有多個(gè)工作表，包含–55°C、+25°C和+85°C下的增益、噪聲和失真數(shù)據(jù)。Genesys和SystemVue仿真器可以利用這三個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)生成其他溫度下的插值數(shù)據(jù)，如圖7所示。

 

在ADS中進(jìn)行仿真

 

sys-參數(shù)數(shù)據(jù)集對(duì)Keysight Genesys和SystemVue是原生數(shù)據(jù)集，但不適用于Keysight ADS。有一種解決辦法可以將sys-參數(shù)數(shù)據(jù)集導(dǎo)入ADS，從而進(jìn)行噪聲、失真和壓縮仿真。這需要使用Amplifier2模型。Amplifier2模型對(duì)Keysight ADS是原生的，提供與sys-參數(shù)模型類似的功能。圖8顯示了包括Amplifier2模型的ADS原理圖。該原理圖還包含兩個(gè)數(shù)據(jù)訪問(wèn)器件：DAC1和DAC2。這些DAC用于將sys-參數(shù)數(shù)據(jù)與Amplifier2模型相關(guān)聯(lián)。噪聲系數(shù)、OIP3和OP1dB數(shù)據(jù)格式化為文本文件，并通過(guò)DAC1器件與Amplifier2模型相關(guān)聯(lián)。DAC2器件用于將S-參數(shù)數(shù)據(jù)與Amplifier2模型相關(guān)聯(lián)。這將在ADS中產(chǎn)生一個(gè)Amplifier2模型，使用該模型可執(zhí)行上面討論過(guò)的所有仿真，但是在Keysight ADS中執(zhí)行。

 

使用此方法時(shí)須小心。當(dāng)執(zhí)行RF功率掃描，Amplifier2模型被強(qiáng)驅(qū)進(jìn)入壓縮時(shí)，仿真性能往往與觀察到的實(shí)測(cè)性能有很大差異。此外，創(chuàng)建一個(gè)使用S-參數(shù)數(shù)據(jù)及噪聲、失真和壓縮數(shù)據(jù)的Amplifier2模型，適合于具有良好基線輸入和輸出回波損耗（S11和S22）的器件，大多數(shù)不需要外部RF匹配器件的ADI RF放大器就是這種情況。通過(guò)將標(biāo)量增益添加到DAC1器件并省略S-參數(shù)數(shù)據(jù)（即省略DAC2），可以創(chuàng)建一個(gè)更簡(jiǎn)單的Amplifier2模型。

 

圖6.寬帶增益模塊的仿真和實(shí)測(cè)EVM功率掃描。

 

圖7.18 GHz至44 GHz、1 W功率放大器ADPA7007的仿真增益和噪聲系數(shù)與溫度的關(guān)系。

 

結(jié)論

 

sys-參數(shù)數(shù)據(jù)集代表了一種新穎且有用的RF放大器仿真工具。它們比S-參數(shù)更強(qiáng)大，后者不能進(jìn)行噪聲、失真和壓縮建模。它們不像X-參數(shù)模型那么復(fù)雜，后者可以改善依賴模型級(jí)別的特性，例如AM到PM失真和ACLR。但是，sys-參數(shù)模型具有簡(jiǎn)單的表格式結(jié)構(gòu)，可以通過(guò)將S-參數(shù)數(shù)據(jù)與噪聲系數(shù)、OIP3和OP1dB數(shù)據(jù)結(jié)合起來(lái)輕松創(chuàng)建。仿真和實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)的比較顯示出極好的一致性。盡管sys-參數(shù)模型無(wú)法在ADS中使用，但可以利用一個(gè)相對(duì)簡(jiǎn)單的流程來(lái)遷移數(shù)據(jù)集，以使用ADS原生的Amplifier2模型結(jié)構(gòu)。

 

ADI公司致力于維護(hù)和擴(kuò)充其sys-參數(shù)模型庫(kù)。隨著新模型添加到庫(kù)中，我們將增加對(duì)溫度仿真的支持。

 

圖8.在使用Amplifier2模型的Keysight ADS中使用sys-參數(shù)數(shù)據(jù)。

 

 

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