【導(dǎo)讀】為了滿足市場(chǎng)對(duì)射頻功率器件增強(qiáng)耐用性和在廣泛的頻率范圍進(jìn)行寬帶運(yùn)行的需求，飛思卡爾半導(dǎo)體公司推出了兩款功能豐富的器件，旨在為采用LDMOS處理技術(shù)制造的射頻功率產(chǎn)品提供新級(jí)別的線性和耐用性。
飛思卡爾半導(dǎo)體新產(chǎn)品包括25 W 的MRFE6VS25N和100 W 的MRFE6VP100H，在整個(gè)頻率覆蓋范圍內(nèi)能提供完整的CW額定功率。設(shè)計(jì)這兩款產(chǎn)品的目的在于簡化放大器設(shè)計(jì)的復(fù)雜性、節(jié)約成本，同時(shí)提高系統(tǒng)的可靠性。
新推出的器件是用于類似應(yīng)用的GaN解決方案的極好替代產(chǎn)品，能夠處理VSWR大于65:1的阻抗不匹配情況，從而以極低的器件成本實(shí)現(xiàn)卓越的線性。寬帶 LDMOS FET的設(shè)計(jì)目的是為了在極其惡劣的條件下也能無縫運(yùn)行，這時(shí)產(chǎn)品的耐用性和可用性至關(guān)重要。目標(biāo)應(yīng)用包括HF-UHF發(fā)射器和收發(fā)器、電視發(fā)射器、空白區(qū)域數(shù)據(jù)收發(fā)器、航空航天/國防系統(tǒng)、測(cè)試設(shè)備和雷達(dá)系統(tǒng)。
圖題：完美結(jié)合耐用性、頻率范圍與寬帶能力射頻功率晶體管
飛思卡爾副總裁兼射頻事業(yè)部總經(jīng)理Ritu Favre表示：“憑借這些新產(chǎn)品，飛思卡爾射頻功率產(chǎn)品的足跡正從無線基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域踏入鄰近的高增長市場(chǎng)。這些新產(chǎn)品的卓越性能和耐用性將對(duì)廣大客戶和廣泛應(yīng)用極具吸引力。”
新產(chǎn)品采用飛思卡爾低熱阻封裝，目的是最大限度降低內(nèi)部升溫，提高長期可靠性，同時(shí)減少熱管理問題。新產(chǎn)品還集成了能在眾多運(yùn)行環(huán)境中增強(qiáng)電路穩(wěn)定性的內(nèi)部網(wǎng)絡(luò)，從而簡化了外部電路。為了保證最佳耐用性，飛思卡爾在遠(yuǎn)超出正常運(yùn)行條件下來測(cè)試，即在超出額定工作電壓20％，兩倍額定射頻輸入功率及阻抗不匹配值 VSWR=65:1的條件下進(jìn)行評(píng)估。
應(yīng)用的多樣化
MRFE6VS25N和MRFE6VP100H的寬帶頻率覆蓋范圍允許設(shè)計(jì)師使用單個(gè)放大器覆蓋多個(gè)頻段，例如1.8 - 54 MHz、30 - 512 MHz，從而減少了材料、縮小了放大器尺寸，減輕了重量，降低了切換損耗，并縮減了日常冷卻開支。新產(chǎn)品結(jié)合寬帶能力、耐用性和頻率范圍廣等優(yōu)勢(shì)，且成本低于同等的GaN（氮化鎵）器件。
MRFE6VS25N和MRFE6VP100H規(guī)格包括：
MRFE6VS25N：25 W CW，頻段為1.8-30 MHz時(shí)增益超過26 dB，512 MHz時(shí)增益超過25 dB，效率為50％-73％，在VSWR> 65:1的環(huán)境中可完全達(dá)到額定性能。
MRFE6VP100H： 100 W CW，頻段為512 MHz時(shí)增益超過26 dB ， 30-512MHz時(shí)增益超過19 dB，效率為40％-71％，在VSWR> 65:1的環(huán)境中可完全達(dá)到額定性能。
MRFE6VS25N晶體管采用飛思卡爾 TO-270-2包覆成型塑料封裝， MRFE6VP100H/HS晶體管采用飛思卡爾 NI-780-4和NI-780S-4空氣腔封裝。
供貨情況
MRFE6VS25N和MRFE6VP100H現(xiàn)已開始生產(chǎn)。
