- DRF1400在輸出功率為1kW時效率優(yōu)于92%
- 內(nèi)部集成了RF驅(qū)動器，可以簡化驅(qū)動級設計
- 采用具有高效散熱性能的專有封裝，能夠提供高達1.4 kW的輸出功率
- 工業(yè)、科學和醫(yī)療領域的RF發(fā)生器中
美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布擴展其RF功率產(chǎn)品線，推出了DRF1400功率MOSFET。該產(chǎn)品非常適合在廣泛的工業(yè)、科學和醫(yī)療(ISM) 領域的RF發(fā)生器中使用，例如用于半導體、LCD和太陽能電池制造的等離子生成，以及工作頻率高達30 MHz 的CO2激光器。
美高森美的DRF系列是將RF柵極驅(qū)動器、RF功率MOSFET和相關旁路電容器集中封裝在一個高效熱性能封裝的產(chǎn)品。DRF1400是美高森美首款采用半橋拓撲結構的器件，在輸出功率為1kW時效率優(yōu)于92%，此外，較低的寄生電容和電感，以及施密特(Schmitt)觸發(fā)器輸入、開爾文(Kelvin)信號地線、防振鈴功能、反相和同相(non-invert)引腳可選擇等附屬功能，為kW到數(shù)千瓦的高頻ISM的應用提供了高穩(wěn)定性和靈活的控制功能，高集成度還可縮減材料清單(bill-of-material)元件數(shù)目和降低成本。其它特點包括：
• 內(nèi)部集成了RF驅(qū)動器，可以簡化驅(qū)動級設計，允許輸入簡單的邏輯信號；
• 內(nèi)部的旁路電容器，可以減少寄生電感并能保證電源電壓的穩(wěn)定；
• 采用高擊穿電壓(500V) MOSFET，通過半橋拓撲實現(xiàn)較高的功率輸出；
• 采用具有高效散熱性能的專有封裝，能夠提供高達1.4 kW的輸出功率。
供貨
美高森美現(xiàn)可提供DRF1400的工程樣品。與之相關的參考設計套件(13.56 MHz, Class-D半橋)可從美高森美購買，套件包括了快速推出>1kW的RF功率設計所需的所有硬件，同時還為RF系統(tǒng)設計人員提供了包含有基礎操作知識和設計考慮事項的設計指南。
