隨著市場景氣程度的恢復(fù)，蘋果iPhone 4和摩托羅拉Droid等手機(jī)的熱賣讓智能手機(jī)和3G手機(jī)出貨量不斷攀升，再加上具備WLAN功能的平板電腦等設(shè)備的流行和WiMAX的起步，砷化鎵功率放大器（GaAs PA）產(chǎn)業(yè)在經(jīng)濟(jì)危機(jī)過后迎來了強(qiáng)勢反彈的機(jī)會。據(jù)相關(guān)市場調(diào)研數(shù)據(jù)顯示，全球GaAs市場將由2008年的39億美元增長到2011年的50億美元。
GaAs功放在無線手機(jī)射頻前端應(yīng)用中一直保持較高的使用率，盡管有CMOS功放虎視眈眈，但在3G領(lǐng)域，GaAs以其高線性度、高效率的特性處于絕對的市場領(lǐng)先地位，而CMOS功放由于性能、功耗等因素影響，只能用于短距離、低功率的領(lǐng)域，比如WLAN、PHS等。隨著3G的演進(jìn)，GaAs的市場空間將穩(wěn)步上升，下圖為市場調(diào)研公司提供的全球手機(jī)終端出貨情況。
經(jīng)過多年的發(fā)展，GaAs供應(yīng)商已經(jīng)形成了穩(wěn)定的市場格局，由于GaAs產(chǎn)品與工藝關(guān)系非常大，大部分廠商都有自己的工廠。下圖是經(jīng)濟(jì)危機(jī)開始時2008年GaAs市場占有率情況。
盡管市場成熟，但幾家領(lǐng)先的GaAs廠商的利潤率并不高，尤其在手機(jī)PA領(lǐng)域利潤更低，領(lǐng)頭羊RFMD甚至一直處于虧損的境地。日前ANADIGICS在深圳的發(fā)布會上，該公司總裁及首席執(zhí)行官M(fèi)ARIO RIVAS證實(shí)了這個說法：“手機(jī)GaAs PA的利潤相比CMOS模擬IC等半導(dǎo)體器件的確會低很多，所以只有技術(shù)先進(jìn)、管理完善、現(xiàn)金流穩(wěn)定的廠商才能在競爭中勝出。”
技術(shù)方面，MARIO RIVAS介紹道，ANADIGICS一直是行業(yè)的領(lǐng)先者，在2004年，ANADIGICS就創(chuàng)新的開發(fā)出“InGaP-Plus”技術(shù)，這是業(yè)內(nèi)第一個可制造的基于鎵砷化物的低成本BiFET (雙極場效晶體管)工藝?？蓪深惒煌木w管集成在同一個芯片組中，從而可以最低成本大批量生產(chǎn)商用單片微波集成電路。隨后，ANADIGICS一直瞄準(zhǔn)高性能3G手機(jī)PA的開發(fā)，并與Qualcomm等核心芯片廠商積極合作，不斷提升產(chǎn)品性能，其低功率高效率（HELP）技術(shù)已經(jīng)被應(yīng)用在主要的功率放大器產(chǎn)品上，相比于傳統(tǒng)的二狀態(tài)放大器，HELP技術(shù)能提升通話及待機(jī)時間高達(dá)７５％。
MARIO RIVAS是在一年半之前走馬上任的，當(dāng)時ANADIGICS正處于歷史的最低谷，因為產(chǎn)能、良率等問題造成客戶流失，公司股價也大跌不止，前任CEO也因為無法讓公司擺脫困境而被迫辭職。MARIO RIVAS上任后立即進(jìn)行了大刀闊斧的改革，他首先停止了在中國昆山建廠的計劃，嚴(yán)控公司現(xiàn)金流，接著針對針對公司運(yùn)營問題實(shí)行了多項改革措施，到2009年底，ANADIGICS的良率已經(jīng)能達(dá)到90%，產(chǎn)能利用率也在逐漸恢復(fù)。更值得稱道的是，MARIO RIVAS在2009年Q3，當(dāng)時公司產(chǎn)能利用率只有45%的時候，即判斷出2010年市場回暖的形式，并于2009年10月5日與砷化鎵晶圓代工龍頭穩(wěn)懋(WIN Semiconductors Corp.)簽訂了策略聯(lián)盟代工協(xié)議，預(yù)計該代工廠到今年Q4即可釋放產(chǎn)能，從而在缺貨的情形下?lián)尩孟葯C(jī)。
隨著公司狀況的好轉(zhuǎn)，ANADIGICS也看到了從無線市場從3G到4G跨越的機(jī)會，不斷進(jìn)行產(chǎn)品更新?lián)Q代。在深圳的發(fā)布會上，ANADIGICS就展示了新型HELP4 WCDMA單頻功率放大器產(chǎn)品線的多款新品，HELP4（TM）WCDMA系列包括AWT6621、AWT6622、AWT6624、AWT6625和AWT6628功率放大器，每款產(chǎn)品適用于特定的無線頻帶。該系列每款器件均與HSPA和HSPA+兼容，具有最高的速率等級；每款器件均具有三種模式狀態(tài)，通話時可在多個功率級下獲得最高的功率效率；在關(guān)機(jī)模式下，這些產(chǎn)品的靜態(tài)電流和泄漏電流均較低。
