【導讀】飛兆半導體最新推出的FDMQ86530L 60V四路MOSFET采用其GreenBridge技術，改進了傳導損耗和傳統二極管整流橋的效率，將功耗降低了10倍，該器件采用4.5 x 5.0 mm MLP 12引腳封裝，實現了最小尺寸、最大熱性能和最高效率。
高分辨率、緊湊有源整流橋應用（如網絡攝像機）中的過熱可能導致圖像質量問題。 同樣，熱致噪聲可能影響系統的圖像傳感器，也會降低相機的圖片質量。 調節(jié)熱波動的典型散熱解決方案會增加元件數量，占用電路板空間，讓這些設計變得更復雜。飛兆半導體的FDMQ86530L 60V四路MOSFET為設計人員提供了一體式封裝，有助于克服這些嚴峻的設計挑戰(zhàn)。
飛兆FDMQ86530L 60V四路MOSFET
FDMQ86530L解決方案由四個60V N溝道組成，采用飛兆GreenBridge技術，改進了傳導損耗和傳統二極管整流橋的效率，將功耗降低了10倍。 該器件采用熱增強、節(jié)省空間的4.5 x 5.0 mm MLP 12引腳封裝，免去了散熱需要，實現了緊湊設計，提高了12和24V AC應用中的功率轉換效率。
FDMQ86530L產品是飛兆半導體全面的分立式MOSFET產品組合的一部分，再次體現了公司承諾：即提供最具創(chuàng)新的封裝技術，以目前最先進的系統實現最小尺寸、最大熱性能和最高效率。
FDMQ86530L產品規(guī)格：
最大RDS(ON)= 17.5 mΩ（VGS= 10V，ID= 8A）
最大RDS(ON)= 23 mΩ（VGS= 6V，ID= 7A）
最大RDS(ON)= 25 mΩ（VGS= 4.5V，ID= 6.5A）
FDMQ86530L產品報價信息及交貨期
FDMQ86530L產品訂購1K以上，價格為1.38美元，收到訂單后8-12周內可交貨。
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