該款全新產(chǎn)品系列針對軟開關(guān)應(yīng)用,在1000V至1400V的電壓范圍內(nèi),利用固有的反并聯(lián)二極管進行了優(yōu)化。
隨著超越典型非穿通型(NPT) IGBT技術(shù)的不斷進步,飛兆半導(dǎo)體的陽極短路硅技術(shù)可提供更低的飽和電壓,比額定功率相同的NPT-trench IGBT要低12%以上。 此外,如果與競爭對手的IGBT產(chǎn)品相比,該產(chǎn)品系列的拖尾電流速率要低20%以上。 由于具有這些豐富特性,飛兆半導(dǎo)體先進的IGBT因而能提供更佳的熱性能、更高的效率以及更低的功耗。
特點與優(yōu)勢:
高速開關(guān)頻率范圍: 10至50 kHz
業(yè)界最低的拖尾電流,可改進開關(guān)損耗(FGA20S140P)
與現(xiàn)有的NPT trench IGBT相比,飽和壓降更低
電位計檢測抗噪能力強健,可提高可靠性
高溫穩(wěn)定特性: Tj(max) = 175 ºC
符合RoHS標準(無鉛引腳電鍍)
封裝和報價信息
(1,000片起訂,價格單位:美元)
按請求提供樣品。交貨期:收到訂單后8-12周內(nèi)
采用TO-3P 3L封裝:
1250V FGA20S125P $2.03
1250V FGA25S125P $2.03
1300V FGA30S120P $5.25
1400V FGA20S140P $2.25
采用TO-247 3L封裝:
1300V FGH30S130P $3.40
飛兆半導(dǎo)體的場截止陽極短路trench IGBT提供業(yè)界領(lǐng)先的技術(shù),以應(yīng)對在當今設(shè)計中遇到的能效和形狀因數(shù)挑戰(zhàn)。 這些應(yīng)用都是飛兆半導(dǎo)體節(jié)能型功率模擬IC、功率分立式器件和光電子器件解決方案的一部分,而這些解決方案可在功率敏感型應(yīng)用中實現(xiàn)最大限度的節(jié)能。