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尖端技術(shù)導(dǎo)入低功率DC/DC轉(zhuǎn)換器

發(fā)布時(shí)間:2023-09-01 來(lái)源:RECOM 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】低功率板載 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的制造技術(shù),發(fā)展得比其他電子產(chǎn)品來(lái)得緩慢且獨(dú)立。幾十年來(lái),典型的轉(zhuǎn)換器一直是通孔封裝的模塊或開(kāi)放式表面貼裝的「子板」,雖然新產(chǎn)品持續(xù)推出,但引腳布局和外形尺寸從 1980 年代開(kāi)始就沒(méi)有改變。但在其他地方例如接口、A/D 和 D/A 轉(zhuǎn)換器等其他功能塊不斷從分立式解決方案發(fā)展成更小的「芯片」,高度只有幾分之一毫米、占地面積僅比內(nèi)部裸片大一點(diǎn),現(xiàn)在裸片在幾何空間上的走線能達(dá)到納米級(jí)別。


為什么DC/DC沒(méi)有跟上小型化趨勢(shì)?


DC/DC 只是有源和無(wú)源組件集合在一起,那為什么它們沒(méi)有成為另一個(gè)集成電路然后以相同的方式縮小呢?一個(gè)原因是它們運(yùn)作時(shí)功耗通常很高,需要一些表面積散熱,但隨著新轉(zhuǎn)換技術(shù)的效率提高這已不再是問(wèn)題。主要原因是大多數(shù)轉(zhuǎn)換器所需的磁性組件,在幾十年來(lái)一直堅(jiān)持使用相同的制造技術(shù)和擁有大致相同的尺寸。相較之下,臺(tái)積電 (TSMC) 在1988 年提供的IC 幾何尺寸為 3μm,而如今的尺寸比當(dāng)時(shí)縮小了一千倍達(dá)到3nm。在同一時(shí)期,利用置件機(jī)的分立式表面貼裝無(wú)源組件的尺寸也從 1206 縮小到 01005,占地面積減少了 50 多倍。相反的是自 80 年代以來(lái),DC/DC 轉(zhuǎn)換器變壓器和扼流圈的磁芯尺寸幾乎沒(méi)有變化,這是由材料固有的最大磁通密度和開(kāi)關(guān)頻率決定,然后決定了最小繞組匝數(shù)。這是幾代電源工程師的貢獻(xiàn),新的轉(zhuǎn)換拓?fù)?、更好的組件和先進(jìn)的熱設(shè)計(jì)降低了損耗并提高了功率密度。這讓 DC/DC 模塊有更高的輸出功率,以未穩(wěn)壓的 SIP7 轉(zhuǎn)換器為例,輸出功率可能僅提高了 3 倍(圖 1)。


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圖 1:這幾十年來(lái)低功率 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的功率密度僅提高了幾倍。左邊為1W,右邊3W,皆為 SIP7封裝。


優(yōu)化磁芯的選擇


我們一直都有增加開(kāi)關(guān)頻率來(lái)縮小功率轉(zhuǎn)換磁體的選擇,通常會(huì)是藉由降低磁芯尺寸、繞組匝數(shù)或兩個(gè)都采用的方式達(dá)到。然而隨著開(kāi)關(guān)頻率的提升會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體效率下降和磁芯損耗增加,因此在不升高內(nèi)部溫度的情況下整體外殼尺寸不一定會(huì)縮小。解決方法是設(shè)計(jì)更加復(fù)雜的轉(zhuǎn)換器取得高效率,但這個(gè)方式過(guò)于昂貴。


轉(zhuǎn)換器磁性部件的制造成本通常相對(duì)高昂也較難安裝,法拉第所熟悉的組裝技術(shù)至今幾乎沒(méi)有太多變化,也就是在磁芯上纏繞絕緣線然后將「飛線」焊接在基板上(圖 2)。絕緣骨架通常占用太多空間,而印刷繞組技術(shù)也不切實(shí)際因?yàn)榭紤]到所需的繞組匝數(shù)和數(shù)量再加上多層基板的成本太高,至少對(duì)低功率產(chǎn)品而言是如此。


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圖 2:低功率 DC/DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用和端接變壓器的傳統(tǒng)做法。絕緣線徑為0.18mm,磁芯外徑6mm,內(nèi)徑3mm


制造商選擇簡(jiǎn)單設(shè)計(jì)以降低零件成本


大多數(shù)低功率 DC/DC 轉(zhuǎn)換器制造商采取的方法是盡量設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單的電路和降低成本,例如使用傳統(tǒng)的「Royer電路」(圖 3)。節(jié)省下來(lái)的錢抵消了昂貴的人力成本,包括人工繞線和焊接到雙面 PCB,之后再進(jìn)行密封或包覆成型以保護(hù)易受損的端子。電路和裝配技術(shù)在這些年來(lái)得到了改進(jìn),因此一個(gè)簡(jiǎn)單的非穩(wěn)壓轉(zhuǎn)換器可能只使用大約 10 個(gè)分立組件,穩(wěn)壓轉(zhuǎn)換器則使用 15 個(gè)。變壓器和組裝模塊在低成本的地方制造,最終產(chǎn)品相當(dāng)高效,提供隔離、寬工作溫度范圍,可在固定電平之間進(jìn)行相當(dāng)精確的電壓轉(zhuǎn)換。人工組裝的一個(gè)好處是比較容易針對(duì)不同的輸入或輸出電壓和額定功率生產(chǎn)出不同的版本,只需操作員增加或減少繞線圈數(shù)以達(dá)指定匝數(shù)。


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圖 3:「Royer電路」讓隔離式轉(zhuǎn)換器擁有最少的組件數(shù)


這種方法也有不可避免的缺點(diǎn)。人工組裝會(huì)讓樣品之間產(chǎn)生差異,而且難以為簡(jiǎn)單電路提供全面性的故障保護(hù)。如果沒(méi)有更復(fù)雜的電路、更高的成本和更大的外殼,那么將隔離加強(qiáng)到安全認(rèn)證級(jí)別是不切實(shí)際的?;镜?Royer 轉(zhuǎn)換器沒(méi)有線性或負(fù)載穩(wěn)壓,輸出電壓在負(fù)載很輕或無(wú)負(fù)載時(shí)顯著上升。除此之外,雖然最終客戶希望價(jià)格下降,但人力成本只會(huì)隨著時(shí)間的推移增加,而且人力因素甚至不會(huì)隨著產(chǎn)量的增加而減少。與此同時(shí),市場(chǎng)面臨著增加功能和效率以及縮小電源轉(zhuǎn)換器尺寸以應(yīng)對(duì)現(xiàn)代應(yīng)用空間受限的壓力。


努力達(dá)到最好


電源設(shè)計(jì)人員有一個(gè)夢(mèng)想來(lái)打破這個(gè)模式,就是將控制 IC 與各種功能結(jié)合在一起,包括高頻和高效運(yùn)作、可選的有源調(diào)節(jié)和全面保護(hù),然后在變壓器多層基板上使用貼片式平面磁芯和印刷繞組等技術(shù)。由于多了必要的支持組件,因此IC 解決方案和嵌入式變壓器的零件成本明顯比簡(jiǎn)單的 Royer 電路來(lái)得高,但卻有了更靈活的自動(dòng)化裝配和規(guī)模經(jīng)濟(jì),滿足市場(chǎng)對(duì)更好性能和一致性的要求,功率密度也更高且成本保持不變。


RECOM就是利用這個(gè)方法,他們將這個(gè)尖端技術(shù)引進(jìn)低功率 DC/DC 轉(zhuǎn)換器成為「K」系列。我們將巨額資金投入在自動(dòng)化生產(chǎn)以大幅降低人力成本,并使用大量基板和組件以將零組件成本降至最低。同時(shí),創(chuàng)新的設(shè)計(jì)技術(shù)允許制造過(guò)程中輕松配置產(chǎn)品以滿足不同變體的需求。


以市場(chǎng)上的新品為例


一個(gè)采用新技術(shù)產(chǎn)品的例子是RECOM RKK 系列,集成了控制器和平面變壓器以提高性能并實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化組裝。該公司為了兼容性決定保留SIP7 封裝,并將該部件的額定功率定在 1W,利用提高效率擴(kuò)展工作溫度范圍,目前不降額時(shí)最高可達(dá) 105°C 。1W 的額定功率適合很多應(yīng)用,通常是為隔離式通信接口或高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器供電。更寬的溫度范圍開(kāi)辟了更廣闊的市場(chǎng),例如高規(guī)格工業(yè)和汽車業(yè)。與早期產(chǎn)品相比,RKK 系列的差異和增強(qiáng)性能總結(jié)(圖 4)。隨著銷售價(jià)格降低,銷量顯著提高。雖然新產(chǎn)品未穩(wěn)壓,但對(duì)輸入電壓變化有一定程度的補(bǔ)償,例如 +/-10% 的輸入電壓變化的輸出變化小于 +/-5%。另一個(gè)特點(diǎn)是部件不需要封裝,這樣既可以減輕重量又可以降低成本。該系列有一個(gè)版本提供后置穩(wěn)壓輸出能滿足高精度需求。


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圖4:基本 Royer 和 RECOM RKK 系列 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的差異和性能一覽表


新的進(jìn)展


RECOM 的新技術(shù)理念也應(yīng)用在非隔離 DC/DC轉(zhuǎn)換器,升級(jí)了廣受歡迎的 R-78 系列直接替代線性穩(wěn)壓器。升級(jí)更名為 R-78K的穩(wěn)壓器效率提高至 96%,輸入范圍擴(kuò)展至 36V,不降額工作溫度達(dá) 90°C。


更多的 RECOM 產(chǎn)品將升級(jí)為「K版」,以順應(yīng)使用先進(jìn)的電路和制造技術(shù)取代簡(jiǎn)單的傳統(tǒng)設(shè)計(jì)的趨勢(shì),還不會(huì)增加成本。請(qǐng)隨時(shí)關(guān)注我們的新產(chǎn)品「razor」動(dòng)態(tài)信息,提早享受「尖端」科技帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)。



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