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ADALM2000實驗:CMOS邏輯電路、D型鎖存器

發(fā)布時間:2022-12-14 來源:ADI 責任編輯:wenwei

【導讀】本實驗活動的目標是進一步強化上一個實驗活動 “ADALM2000實驗:使用CD4007陣列構建CMOS邏輯功能” 中探討的CMOS邏輯基本原理,并獲取更多使用復雜CMOS門級電路的經(jīng)驗。具體而言,您將了解如何使用CMOS傳輸門和CMOS反相器來構建D型觸發(fā)器或鎖存器。


背景知識


為了在本實驗活動中構建邏輯功能,需要使用 ADALP2000 模擬部件套件中的CD4007 CMOS陣列和分立式NMOS和PMOS晶體管(ZVN2110A NMOS和ZVP2110A PMOS)。CD4007由3對互補MOSFET組成,如圖1所示。每對共用一個共柵(引腳6、3和10)。所有PMOSFET(正電源引腳14)以及NMOSFET(地引腳7)的襯底都共用。左邊的互補MOSFET對,NMOS源極引腳連接到NMOS襯底(引腳7),PMOS源極引腳連接到PMOS襯底(引腳14)。另外兩對均為通用型。右邊的互補MOSFET對,NMOS的漏極引腳連接到PMOS的漏極引腳,即引腳12。


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圖1. CD4007功能框圖。


CD4007是一款多功能IC,我們在上一個實驗活動中已有所了解。例如,單個CD4007可用于構建一個反相器鏈(包括三個反相器)、一個反相器加上兩個傳輸門或其他復雜的邏輯功能,如NAND和NOR門。反相器和傳輸門尤其適合構建D型鎖存器或主/節(jié)點觸發(fā)器。


靜電放電


CD4007與許多CMOS集成電路一樣,很容易被靜電放電損壞。CD4007包括二極管,可防止其受靜電放電的影響,但如果操作不當仍可能會損壞。使用對靜電敏感的電子產品時,通常會使用防靜電墊和腕帶。然而,在家里(正規(guī)的實驗環(huán)境之外)工作時,可能沒有這些物品。避免靜電放電的一種低成本方法是在接觸IC之前先使自己接地。在操作CD4007之前,使積聚的靜電放電將有助于確保在實驗過程中不會損壞芯片。


材料


●   ADALM2000 主動學習模塊

●   無焊試驗板

●   1個CD4007(CMOS陣列)

●   2個ZVN2110A NMOS晶體管

●   2個ZVP2110A PMOS晶體管


說明


現(xiàn)在我們將結合使用之前練習中的反相器鏈構建的雙傳輸門來構建D型鎖存器,如圖2所示。兩個傳輸門協(xié)同工作以實現(xiàn)D型鎖存器。在鎖存器的透明模式下,當CLK=0時,第一個傳輸門(左)打開,同時第二個傳輸門(右)關閉。D通過第一個傳輸門和兩個串聯(lián)的反相器傳輸至輸出端(Q)。在鎖存器的保持模式下,當CLK=1時,第一個傳輸門關閉,但第二個傳輸門打開。因此,輸入端D中的任何變化都不會反映在輸出端Q上。不過,現(xiàn)已開啟的第二個傳輸門可確保通過在兩個串聯(lián)的反相器周圍形成的閉合正反饋回路來保留Q上先前的邏輯電平。在無焊試驗板上構建圖2所示的D型鎖存器電路。器件M1至M6采用CD4007 CMOS陣列,兩個反相器級中的每一級(反相器級M7和M8,以及M9和M10)使用一個ZVN2110A NMOS和一個ZVP2110A PMOS。電路使用ADALM2000的固定5 V電源供電。


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圖2. D型鎖存器。


硬件設置


在實驗最初,將兩個AWG輸出配置直流源。根據(jù)需要,示波器通道將用于監(jiān)控電路的輸入和輸出。固定5 V電源用于為電路供電。在此實驗中,應禁用固定–5 V電源。


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圖3. D型鎖存器試驗板連接。


程序步驟


連接引腳1和9,鎖存器的D輸入端連接到AWG1的輸出端。連接引腳4和11,鎖存器的Q輸出端連接到示波器通道2。連接引腳6,作為連接到AWG2的CLK。確保打開固定5 V電源。


首先,打開AWG控制界面并將AWG2設置為0 V直流電壓,對CLK施加邏輯低電平。將AWG1設置為5 V直流電壓,對D輸入端施加邏輯高電平。


觀察示波器通道2上鎖存器的輸出端Q。示波器界面上應顯示穩(wěn)定的5 V電壓。捕獲屏幕截圖。


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圖4. Scopy屏幕截圖。


將AWG1設置為0 V直流電壓,對D輸入端施加邏輯低電平。觀察示波器上的輸出。這是鎖存器的透明模式。此時應能看到示波器通道2也是0 V直流電壓。現(xiàn)在將AWG2設置為5 V直流電壓,對CLK施加邏輯高電平。同時將AWG1設置為5 V直流電壓,對D輸入端施加邏輯高電平。


觀察示波器界面上的Q輸出。由于D輸入端之前為低電平,因此盡管將D更改為邏輯高電平,仍會顯示穩(wěn)定的低電平。捕獲屏幕截圖。這是電路的保持模式。


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圖5. Scopy屏幕截圖。


現(xiàn)在將兩個AWG通道均配置為峰峰值為5V的方波。將AWG1設置為1 kHz頻率,將AWG2設置為2 kHz頻率或AWG1頻率的兩倍。將AWG2的相位設置為0度。確保將AWG設置為同步運行。


觀察示波器界面上在上述CLK和D輸入下相應的Q輸出。捕獲各種波形并保存截圖,用于包含在實驗報告中。


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圖6. Scopy屏幕截圖。


現(xiàn)在將AWG2的相位設置為90度。再次觀察示波器界面上在此時CLK和D輸入下相應的Q輸出。與AWG2相位為0度時相比有何變化?說明原因。捕獲各種波形并保存截圖,用于包含在實驗報告中。


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圖7. Scopy屏幕截圖。


問題


單個D型鎖存器將使輸入信號延遲1/2時鐘周期。說明時鐘相位相反的兩個串聯(lián)D型鎖存器如何構成主節(jié)點D型觸發(fā)器,可以使輸入信號延遲一個完整的時鐘周期。


如果還有CD4007陣列可用,可構建主節(jié)點D型觸發(fā)器作為額外的練習。


替代形式


圖2所示的D型鎖存器使用具有NMOS和PMOS晶體管的互補傳輸門。單個NMOS或PMOS無法傳遞具有相同強度(即導通電阻)的高低邏輯電平。單個NMOS器件可以傳遞強邏輯電平0,但會傳遞弱邏輯電平1。相反,單個PMOS器件可以傳遞強邏輯電平1,但會傳遞弱邏輯電平0。


在許多集成電路設計案例中,內部信號僅在內部電路模塊之間傳遞,此時單個NMOS或PMOS晶體管傳遞的非對稱驅動不是主要問題。在這種情況下,鎖存器中固有的正反饋可能會有所幫助??梢圆捎煤喕腄型鎖存器,即只使用6個器件而不是圖2中使用的10個器件,如圖8(鎖存器在上升沿)和9(鎖存器在下降沿)所示。


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圖8. 6晶體管上升沿D型鎖存器。


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圖9. 6晶體管下降沿D型鎖存器。


硬件設置


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圖10. 6晶體管上升沿D型鎖存器試驗板連接。


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圖11. 6晶體管下降沿D型鎖存器試驗板連接。


說明


對試驗板進行任何更改之前,確保關閉固定5 V電源。在無焊試驗板上,將圖2中的電路重新配置為圖3中的電路。確保打開固定5 V電源。重復相同的步驟,將AWG1連接到D輸入端,將AWG2連接到CLK輸入端。驗證鎖存器的工作情況,它將在輸入時鐘的適當邊沿鎖存邏輯0和邏輯1輸入。


最后,將無焊試驗板上的電路重新配置為圖4中的電路。確保打開固定5 V電源。重復相同的步驟,將AWG1連接到D輸入端,將AWG2連接到CLK輸入端。驗證鎖存器的工作情況,它將在輸入時鐘的適當邊沿鎖存邏輯0和邏輯1輸入。


替代元件選擇


使用四個獨立NMOS和PMOS晶體管(ZVN2110A和ZVP2110A)構建的反相器對也可以由第二個CD4007 IC構成,也可以使用例如 74HC04 或CD4049 等六反相器 IC 的 CMOS 反相器。



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