【導讀】在功率開關(guān)器件最常見的應用中，包括與上一篇文章中提到的雙脈沖測試電路相同的橋式結(jié)構(gòu)。對于橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為，在Tech Web基礎知識SiC功率元器件的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作”和這篇文章所依據(jù)的應用指南“橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極電壓的行為”中，介紹了相互影響的動作情況。
● 具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
● 要想正確實施SiC MOSFET柵-源電壓的浪涌對策，需要逐一了解SiC MOSFET電壓的行為。
但是，具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，柵-源電壓的行為不同，要想正確實施柵-源電壓的浪涌對策，需要了解電壓的行為。
從本文開始，將針對具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L封裝SiC MOSFET在橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為，分LS側(cè)（低邊）MOSFET導通時和關(guān)斷時兩種情況用2個篇幅分別進行介紹。
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：導通時
下面將圍繞與沒有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝MOSFET之間的不同點，對橋式結(jié)構(gòu)中LS側(cè)（低邊）的MOSFET導通時的動作進行說明。
下圖為導通時的各開關(guān)波形，左側(cè)為不帶驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品，右側(cè)為帶驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L封裝產(chǎn)品。各橫軸表示時間，時間范圍Tk（k＝7、8、1-3）的定義在波形圖下方有述。右下方的電路圖中給出了TO-247-4L封裝產(chǎn)品在橋式電路中的柵極引腳電流情況。在波形圖和電路圖中，用（I）～（III）來表示每個時間范圍中發(fā)生的事件。事件（III）在T2期間結(jié)束后立即發(fā)生。
TO-247N封裝產(chǎn)品
沒有驅(qū)動器源極引腳
TO-247-4L封裝產(chǎn)品
有驅(qū)動器源極引腳
在橋式結(jié)構(gòu)中LS側(cè)SiC MOSFET導通時的各開關(guān)波形
＜時間范圍Tk的定義＞
TO-247-4L：LS導通時的柵極引腳電流
T7：HS為導通期間（同步整流期間）
T8：HS關(guān)斷、LS導通之前的死區(qū)時間
T1：LS導通、MOSFET電流變化期間【事件（I）同時發(fā)生】
T2：LS導通、MOSFET電壓變化期間【事件（II）同時發(fā)生】
T3：LS導通期間
在波形圖比較中，TO-247-4L的事件（I）與TO-247N的事件（I）明顯不同，在非開關(guān)側(cè)（HS）的VGS觀察到正浪涌（TO-247N為負浪涌）。這是由柵極引腳電流圖中（I）的電流ICGD引起的（HS側(cè)，綠線）。該電流會流過柵-漏電容CGD。
之所以會流過該電流，是因為在開關(guān)工作之前，換流電流ID_HS在HS側(cè)SiC MOSFET的體二極管中從源極流向漏極，但是當之后的開關(guān)動作開始時，開關(guān)側(cè)（LS ）的電流ID_LS首先逐漸增加，因此ID_HS逐漸減少。另一方面，SiC MOSFET的體二極管的正向電壓VF_HS（TO-247-4L波形圖的虛線圓圈部分）具有較大的電流依賴性，所以，隨著開關(guān)速度的增加，dID_HS/dt會增大，dVF_HS/dt會增大，dVF_HS/dt最終也是換流側(cè)SiC MOSFET的dVDS_HS/dt，因此ICGD從漏極引腳通過CGD流向柵極引腳，導致柵-源電壓升高。在以往的TO-247N封裝中，ID_LS的變化緩慢，可以認為事件（I）的ICGD幾乎未流動。
關(guān)于TO-247N導通動作的詳細介紹，請參考本文開頭提到的Tech Web SiC功率元器件基礎知識中的文章“低邊開關(guān)關(guān)斷時的Gate-Source間電壓的動作”或應用指南中的“導通時柵極信號的動作”。
TO-247-4和TO-247-4L導通時的VDS波形比較
上方所示的VDS波形是TO-247N和TO-247-4L的比較圖。從圖中可以看出，關(guān)于換流側(cè)SiC MOSFET的VDS_HS，在開關(guān)動作開始后TO-247-4L的VDS_HS立即急劇上升。正如上一篇文章中所述，這是由于具有驅(qū)動器源極引腳而帶來的提速效果。
另外，由于事件（II）也已處于高速狀態(tài)，前面的電路圖中所示的從HS側(cè)流向LS側(cè)、向HS側(cè)CDS充電的電流也變得很大，所以不僅是開關(guān)側(cè)，有時候非開關(guān)側(cè)也需要針對漏極-源極間的浪涌采取對策。
下面是TO-247-4L的VGS波形。該波形圖對是否采取了浪涌對策的結(jié)果進行了比較。從圖中可以看出，在沒有采取浪涌對策（Non-Protected）的情況下，發(fā)生了前述的浪涌。而實施了浪涌對策（Protected）后，很好地抑制了VGS浪涌。
TO-247-4L導通時的 VGS波形（有無對策）
為了抑制這些浪涌，必須了解前述的柵-源電壓的行為，并在緊挨SiC MOSFET連接浪涌抑制電路作為對策。
如果希望了解更詳細的信息，請參考應用指南中的“柵極-源極電壓的浪涌抑制方法”或Tech Web基礎知識SiC功率元器件“SiC MOSFET：柵極-源極電壓的浪涌抑制方法”（連載中）。
在下一篇文章中，我們將介紹低邊SiC MOSFET關(guān)斷時SiC MOSFET柵-源電壓的行為。
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