【導(dǎo)讀】近年來，隨著智能手機(jī)、平板電腦等消費(fèi)電子終端對(duì)電池電量需求的不斷增長，消費(fèi)者對(duì)電子產(chǎn)品充電速度、充電體驗(yàn)的需求也在不斷提高。針對(duì)大容量鋰電池的高效率、高功率充電應(yīng)用，TI推出了以BQ25980為代表的開關(guān)電容架構(gòu)快速充電芯片，可以實(shí)現(xiàn)高達(dá)98.6%效率的快速充電方案，為消費(fèi)者帶來快速穩(wěn)定、高效易用的充電體驗(yàn)。
在BQ25980的實(shí)際應(yīng)用中，如圖一所示，通常需要搭配使用傳統(tǒng)的電感型充電芯片（如BQ2579x系列），組成主、副配合的快速充電系統(tǒng)。其中，作為主充電芯片的BQ2579x負(fù)責(zé)完成充電協(xié)議的基本檢測(cè)、電池的預(yù)充電、涓流充電與截止充電等階段，并結(jié)合電源路徑管理功能為系統(tǒng)負(fù)載提供穩(wěn)定的供電；而作為副充芯片的BQ25980負(fù)責(zé)在電池的恒流充電、恒壓充電等階段實(shí)現(xiàn)高效率、大功率的快速充電。
圖1. BQ25980的典型應(yīng)用方案
為了實(shí)現(xiàn)對(duì)快充系統(tǒng)和芯片運(yùn)行的狀態(tài)監(jiān)測(cè)與可靠保護(hù)，BQ25980芯片中集成有高達(dá)16位的模數(shù)轉(zhuǎn)換（ADC）電路，可以用來實(shí)時(shí)讀取充電芯片的工作電壓、電流、芯片結(jié)溫及電芯溫度等重要參數(shù)。其中，關(guān)于工作電流的采樣測(cè)量，由于采樣電路原理的不同，BQ25980針對(duì)充電輸出電流（IBAT）的測(cè)量精度與母線輸入電流（IBUS）的測(cè)量精度存在一定的差異；具體的如下表所示：
可見，就BQ25980的電流檢測(cè)功能而言，IBAT_ADC比IBUS_ADC具有更高的采樣測(cè)量精度。進(jìn)一步地，考慮到在實(shí)際的充電系統(tǒng)中，針對(duì)電池充電電流的精確測(cè)量與監(jiān)控保護(hù)通常由高性能的電量計(jì)芯片（如BQ28Z610）來負(fù)責(zé)，不需要依靠充電芯片的IBAT_ADC來實(shí)現(xiàn)；因此，在特定的應(yīng)用中，我們可以巧妙地利用IBAT_ADC及其采樣電路的相關(guān)資源來進(jìn)行BQ25980的母線輸入電流IBUS的采樣與測(cè)量，從而顯著地提高BQ25980輸入電流的檢測(cè)精度；同時(shí)，由于開關(guān)電容拓?fù)浞€(wěn)定工作時(shí)，輸入端的電流僅為輸出端的一半左右，將電流采樣電阻轉(zhuǎn)移到輸入端還可以在一定程度上降低電阻的熱損耗。具體的應(yīng)用方法如圖2所示。
圖2. 高精度的BQ25980輸入電流檢測(cè)方案
如圖，為了使用IBAT的采樣電路（低邊采樣）測(cè)量BQ25980的母線輸入電流，需要將高精度的電流采樣電阻Rsense 串聯(lián)（2m?或5m?）至BQ25980的輸入端低邊側(cè)，并將Rsense電阻兩端分別連接至芯片的SRP和SRN引腳（分別為電流傳感采樣的正負(fù)輸入引腳）。其中，采樣電阻Rsense選用2m?時(shí)，使用IBAT_ADC讀取電流的分辨率可以達(dá)LSB=1mA。
完成硬件連接后，可通過I2C指令讀寫B(tài)Q25980的寄存器；正確配置和使能芯片的ADC功能后，即可通過讀取0x31h寄存器獲得IBAT_ADC的取值，得到BQ25980的母線輸入電流。
進(jìn)一步地，可以基于BQ25980的EVM板對(duì)該電流檢測(cè)方法進(jìn)行驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)。具體的測(cè)試方案如圖3所示。
圖3. BQ25980輸入電流檢測(cè)方案驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)
基于BQ25980的EVM板，將電流采樣電阻及其傳感電路置換至輸入側(cè)；使用直流程控電源作為輸入電源，并在輸入回路中串聯(lián)高精度的萬用表測(cè)量輸入電流。通過EV2400接口板將BQ25980的EVM板連接至電腦，進(jìn)而使用上位機(jī)軟件bqStudio實(shí)現(xiàn)對(duì)BQ25980的寄存器讀寫與監(jiān)控。
系統(tǒng)上電后，參考文檔“BQ25980EVM (BMS040) Evaluation Module User Guide”的說明將BQ25980配置為開關(guān)電容型充電模式后，逐漸調(diào)整程控電源的直流電壓，觀察記錄萬用表上測(cè)量得到的輸入電流讀數(shù)；同時(shí)，使能BQ25980的ADC功能，觀察0x25h寄存器（IBUS_ADC）和0x31h寄存器（IBAT_ADC）的取值及其對(duì)應(yīng)電流值讀數(shù)的變化；實(shí)驗(yàn)重復(fù)共計(jì)三次，取平均值并整理記錄如下表所示。其中，I_IN為萬用表測(cè)得的電流讀數(shù)，I_Read1為IBUS_ADC測(cè)得的電流讀數(shù)，I_Read2為IBAT_ADC測(cè)得的電流讀數(shù)；Error1和Error2分別為I_Read1和I_Read2偏離I_IN值的相對(duì)誤差。
可見，盡管使用IBUS_ADC和IBAT_ADC均能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)BQ25980輸入電流的采集與測(cè)量，但兩種方法的測(cè)量精度存在一定程度的差異。下圖提供了兩種方法測(cè)量誤差的進(jìn)一步對(duì)比。
圖4. BQ25980輸入電流檢測(cè)誤差對(duì)比圖
觀察上圖可以看出，針對(duì)BQ25980的輸入電流檢測(cè)，在0.5A~4A的測(cè)試范圍內(nèi)，本文提出的IBAT_ADC檢測(cè)方法的誤差表現(xiàn)優(yōu)于IBUS_ADC測(cè)量方法。具體的，就本實(shí)驗(yàn)而言，采用IBAT_ADC方法的測(cè)量誤差可以基本控制在1.5%以內(nèi)；而采用IBUS_ADC直接測(cè)量輸入電流的誤差僅能控制在3.5%以內(nèi)。
綜上所述，本文提出的基于IBAT_ADC的BQ25980輸入電流的檢測(cè)方法可以顯著改善芯片輸入電流的檢測(cè)精度，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)和實(shí)際應(yīng)用提供方便。
參考文獻(xiàn)：
Texas Instruments, BQ25980 Datasheet
Texas Instruments, BQ25980EVM (BMS040) Evaluation Module User Guide
Texas Instruments, 具有高效率電荷泵（Charge Pump Charger）充電系統(tǒng)介紹
Texas Instruments, How to use the BQ25970 for Flash Charging
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