【導讀】我們持續(xù)面臨全球氣候形勢的惡劣現(xiàn)狀-我們的新聞推送充斥著火災、洪水和極端天氣，所有這些都歸因于氣候變化。形勢顯然令人擔憂，個人、政府和游說團體都在倡導大幅減少化石燃料使用——或者完全禁止使用。但如果沒有適當技術(shù)能夠高效地提供能源且價格與現(xiàn)有技術(shù)價格相當，許多政府支持的推行太陽能發(fā)電的舉措就不可能完全成功。
太陽能發(fā)電本質(zhì)上是直流（DC）技術(shù)，需要逆變器（DC-AC）來發(fā)電。一旦有了交流電（AC），所有的主要設備都可使用這電能，即使是小型設備如家居設備也可連接到電網(wǎng)，從而實現(xiàn)電力共享。
圖1：典型太陽能發(fā)電逆變器系統(tǒng)框圖
在太陽能發(fā)電的早期，逆變器往往是集中的，能力超過100 kW。但最近這趨勢已改變，因為運營商更傾向使用低于100 kW的逆變器串。在所有情況下，該架構(gòu)都類似于一個DC -DC升壓轉(zhuǎn)換器，用于增加光伏電池板的電壓，以及一個DC - AC逆變器，以本地電網(wǎng)的恰當頻率（50 Hz / 60 Hz）產(chǎn)生交流電壓。該系統(tǒng)配有保護電路和精密的監(jiān)視/控制，確保在任何時候都達到最佳能效。
即使太陽能是無盡的，但能效仍是太陽能系統(tǒng)的關(guān)鍵考慮因素。任何低效的系統(tǒng)都會產(chǎn)生不想要的熱量，必須將其從系統(tǒng)中移除。這必然涉及熱管理措施，包括散熱器和/或風扇，這每一個都會增加系統(tǒng)的尺寸、復雜性、重量和成本。
雖然選擇的逆變器拓撲結(jié)構(gòu)會影響能效，但主要的半導體開關(guān)器件（MOSFET、IGBT和二極管）對于實現(xiàn)現(xiàn)代太陽能發(fā)電應用所需的能效絕對至關(guān)重要。自發(fā)明了半導體器件以來，硅（Si）一直是主要使用的材料，通過多年的不斷創(chuàng)新，該技術(shù)已達到了幾乎不可能進一步提升的地步。
因此，主要的半導體制造商如安森美半導體，一直在探索其他材料來構(gòu)建未來的開關(guān)器件。所謂寬帶隙（WBG）材料，包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），已成為關(guān)注的焦點，因為它們的性能非常適合開發(fā)高效的半導體器件。
WBG材料的固有電阻比基于Si的器件低，從而減少了連續(xù)導電時的靜電損耗。另外，隨著開關(guān)頻率的提高，磁性元器件的尺寸減小，WBG技術(shù)進一步提高了能效，因為門極電荷比硅減少，動態(tài)損耗也降低。
圖2：寬禁帶優(yōu)勢
如果有因素減緩了WBG的采用，那么從過去而言這因素就是成本。但是，粗略的分析將使工程師得出錯誤的結(jié)論，因為半導體器件通常僅占電力系統(tǒng)成本的10％，而電感器和電容器約占90％。由于SiC器件增強的性能，可使電容器和電感器的值降低約75％，從而極大地降低了成本和尺寸。
圖3：當以80kHz工作時，典型的SiC二極管的損耗比硅二極管小73％
如果考慮到無源元器件的節(jié)省，盡管SiC器件的成本較高，但基于WBG的電源方案的總成本現(xiàn)在相當于或略低于Si基方案。
安森美半導體提供大量SiC MOSFET產(chǎn)品組合，包括900V如NTHL020N090SC1和1200V如NTHL040N120SC1，導通電阻（RDS(ON)）僅40 mOhm，低門極電荷（QG）和電容值可降低電磁干擾(EMI)并允許使用更快的開關(guān)頻率，提供了上述優(yōu)勢。SiC肖特基二極管如650V和1200V。 30A FFSH30120A就是個例子，它沒有反向恢復，具有電流不受溫度影響的開關(guān)特性，因此非常適用于先進的太陽能發(fā)電應用。
隨著行業(yè)已達到這一關(guān)鍵的轉(zhuǎn)折點，WBG器件將真正成為太陽能發(fā)電的光明未來的促成者，有助于實現(xiàn)能效更高的地球，應對氣候變化的影響。
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