【導讀】大多數(shù)設計工程師都希望有一個理想的低壓降穩(wěn)壓器(LDO)，具有卓越的動態(tài)性能和低靜態(tài)電流，然而要實現(xiàn)這是具有挑戰(zhàn)性的。在我之前的博客《什么是低壓降穩(wěn)壓器(LDO)的壓降？》中，我講解了什么是壓降，如何指定壓降以及公司的側(cè)壓降參數(shù)的產(chǎn)品陣容。這篇博客繼續(xù)這個系列，將聚焦負載瞬態(tài)響應及其與靜態(tài)電流的關系。
讓我們定義幾個術語。
-負載瞬態(tài)響應是指由于LDO上的負載電流發(fā)生階躍變化而對輸出電壓造成的干擾。
-接地電流是LDO在整個輸出電流范圍內(nèi)對負載的消耗。接地電流可能與輸出電流有關，但并不總是如此。
-靜態(tài)電流是LDO在輸出空載時的接地電流（消耗）。
表1. LDO結構的比較
關于LDO的負載瞬態(tài)響應結果和靜態(tài)電流的比較，請參見表1中的例子，該例子對不同結構的LDO分別列出負載瞬態(tài)響應性能和靜態(tài)電流，以展示如何權衡折中。LDO1具有最佳的負載瞬態(tài)響應和高靜態(tài)電流。LDO2具有低靜態(tài)電流，但負載瞬態(tài)響應只是良好，不是最好的。LDO3有超低的靜態(tài)電流，但負載瞬態(tài)響應較差。
圖1. NCP148的負載瞬態(tài)響應
我們的NCP148 LDO是具有高靜態(tài)電流但動態(tài)性能最理想的LDO例子。參見圖1，您可看到NCP148的負載瞬態(tài)響應，輸出電流從低電平到高電平的階躍：100 μA -> 250 mA，1 mA -> 250 mA和2 mA -> 250 mA。您可看到，輸出電壓波形之間有微小的差異。
圖2. NCP161的負載瞬態(tài)響應
請看圖2進行比較，這是NCP161的負載瞬態(tài)響應。被稱為 "自適應偏置 "的內(nèi)部功能使得LDO具有低靜態(tài)電流和良好的動態(tài)性能。該功能根據(jù)輸出電流調(diào)整LDO內(nèi)部反饋的內(nèi)部電流和偏置點。但即使有自適應偏置，也有一些限制。當自適應偏置沒有激活，且負載電流高于1 mA時，那么負載瞬態(tài)響應良好。然而，當初始電流水平為100 μA時，激活自適應偏置，就會出現(xiàn)更大的差異。當IOUT=100 μA時，那么自適應偏置在內(nèi)部反饋電路中設置了較低的電流，所以響應較慢，負載瞬態(tài)響應較差。
圖3顯示了這兩個器件的接地電流與負載電流的關系。NCP161在低負載電流下具有較低的靜態(tài)電流和較低的接地電流。但是，如圖1所示，對于極低負載的負載階躍，NCP148具有更好的瞬態(tài)響應。
圖3. NCP161和NCP148的接地電流
NCP170的靜態(tài)電流非常低，只有500 nA。圖4顯示了NCP170的負載瞬態(tài)響應。由于內(nèi)部反饋非常慢，所以無論初始輸出電流如何，它的動態(tài)性能都較差。
圖4. NCP170的負載瞬態(tài)響應
然而，應用對電池壽命的要求越來越高，這促使對靜態(tài)電流的要求越來越低。安森美半導體最新的超低靜態(tài)電流器件NCP171，其靜態(tài)電流為50 nA。這將實現(xiàn)更長的充電間隔時間或更輕的便攜式電子產(chǎn)品，因為電池通常是最重的元件。
選擇適當?shù)呢撦d瞬態(tài)響應同時還要盡量減小靜態(tài)電流很重要。良好的瞬態(tài)響應通常意味著較高的LDO靜態(tài)電流；而不良的負載瞬態(tài)響應通常意味著較低的靜態(tài)電流。為了幫助設計工程師實現(xiàn)最佳的負載瞬態(tài)響應，請務必根據(jù)您的特定應用需求，查看我們的各種不同產(chǎn)品。
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