国产精品亚洲欧美一区麻豆_亚洲国产精品高清在线观看_ 国产一区二区在线观看app-亚洲国产成人久久综合野外-国产永久在线视频-国产va免费精品

你的位置:首頁 > 電源管理 > 正文

將MOS晶體管連接為二極管

發(fā)布時間:2020-07-01 來源:Doug Mercer 和 Antoniu Miclaus 責任編輯:wenwei

【導讀】本次實驗的目的是研究將MOS場效應晶體管(NMOS和PMOS)連接為二極管時的正向/反向電流與電壓特性。
 
材料:
 
●   ADALM2000主動學習模塊
●   無焊面包板
●   一個100 Ω電阻
●   一個ZVN2110A NMOS晶體管
●   一個ZVP2110A PMOS晶體管
 
NMOS說明
 
增強型NMOS晶體管柵源的電流與電壓特性可以使用ADALM2000實驗室硬件和以下連接來測量。使用面包板,將波形發(fā)生器W1連接到電阻R1的一端。將示波器輸入2+也連接到這里。將M1的柵極和漏極連接到R1的另一端,如圖所示。M1的源極連接至負電源Vn(–5 V)。將示波器輸入2-和示波器輸入1+連接到M1的柵極-漏極節(jié)點。示波器輸入1–最好接地,以降低噪聲影響。構(gòu)建電路時,確保關閉電源Vn。確保所有連接都正確之后,接通電源。
 
將MOS晶體管連接為二極管
圖1.NMOS二極管連接圖。
 
硬件設置
 
波形發(fā)生器配置為100 Hz三角波,峰峰值幅度為10 V,偏移為0 V。示波器的差分通道2(2+、2-)用于測量電阻(和晶體管)中的電流。連接示波器通道1 (1+)的單端輸入,以測量晶體管兩端的電壓。流過晶體管的電流是2+和2-之間的電壓差除以電阻值(100 Ω)的結(jié)果。
 
將MOS晶體管連接為二極管
圖2.NMOS二極管面包板電路。
 
程序步驟
 
將捕獲的數(shù)據(jù)加載到Excel表格中,計算電流。計算并繪制電流與晶體管兩端電壓(VGS)的曲線。應沒有反向流動電流。在正向?qū)▍^(qū)域,電壓-電流應呈二次函數(shù)關系。計算并繪制電流與VGS的平方根曲線。比較兩條曲線的形狀并評論。VGS的平方根曲線。比較兩條曲線的形狀并評論。
 
將MOS晶體管連接為二極管
圖3.NMOS二極管XY曲線。
 
PMOS說明
 
使用PMOS器件,重復實驗。連接方法類似,如圖4所示。您可能注意到,在本示例中,示波器輸入的極性發(fā)生反向。所以,示波器屏幕的電壓和電流方向與NMOS示例中類似。M1的源極連接至正電源Vp (+5 V)。將示波器輸入2+和示波器輸入1–連接到M1的柵極-漏極節(jié)點。構(gòu)建電路時,確保關閉電源(Vp)。確保所有連接都正確之后,接通電源。
 
將MOS晶體管連接為二極管
圖4.PMOS二極管連接圖。
 
硬件設置
 
波形發(fā)生器配置為100 Hz三角波,峰峰值幅度為10 V,偏移為0 V。示波器的差分通道2(2+、2-)用于測量電阻(和晶體管)中的電流。連接示波器通道1 (1–)的單端輸入以測量晶體管兩端的電壓。流過晶體管的電流是2+和2-之間的電壓差除以電阻值(100 Ω)的結(jié)果。
 
將MOS晶體管連接為二極管
圖5.PMOS二極管面包板電路。
 
程序步驟
 
將捕獲的數(shù)據(jù)加載到Excel表格中,計算電流。計算并繪制電流與VGS的曲線。應沒有反向流動電流。在正向?qū)▍^(qū)域,電壓和電流應呈二次函數(shù)關系。計算并繪制電流(ID)與VGS的平方根曲線。比較兩條曲線的形狀并評論。
 
將MOS晶體管連接為二極管
圖6.PMOS二極管XY曲線。
 
問題
 
●   通過繪制ID和VGS的測量數(shù)據(jù)曲線,找到并報告VTH和K (W/L)的值。比較NMOS和PMOS的VTH和K (W/L)值,有什么區(qū)別?
 
 
推薦閱讀:
 
MOS晶體管共源極放大器
多軸機器人和機床應用中的時序挑戰(zhàn)
為單極負電源增加高效的正供電軌
性能更佳的測量系統(tǒng)如何在嘈雜的環(huán)境中改善EV/HEV電池的健康狀況
貿(mào)澤聯(lián)手ADI推出全新電子書探索儲能解決方案日益增強的重要性
要采購晶體么,點這里了解一下價格!
特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關閉

?

關閉