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由圖中可見，負(fù)載電流全部流過調(diào)整管，而輸入電壓和輸出電壓之間的差異全部都加在調(diào)整管上。調(diào)整管上耗散的功率為 V dropout *I。當(dāng)電壓差較大時(shí)，或者負(fù)載電流較大時(shí)，穩(wěn)壓器將承受較大的功率耗散。

 

LDO 必須計(jì)算熱耗并滿足降額規(guī)范另外，輸入的電源提供的功率為 V input *I，即采用線性電源時(shí)電源功率的計(jì)算不能使用負(fù)載電壓和電流的乘積計(jì)算，必須采用線性電源輸入電壓和負(fù)載電流的乘積計(jì)算采用線性電源時(shí)電源功率的計(jì)算不能使用負(fù)載電壓和電流的乘積計(jì)算，必須采用線性電源輸入電壓和負(fù)載電流的乘積計(jì)算。必須經(jīng)過計(jì)算和熱仿真確保系統(tǒng)的正常工作。

 

例如采用 1 只 TO-263 封裝的 LDO 將電壓從 3.3V 降到 1.2V，負(fù)載電流為 1.5A，負(fù)載上耗散的功率為 1.8W。此時(shí) LDO 上承擔(dān)了 2.1V 壓降，耗散的功率 3.15W，3.3V 電源提供的功率為 4.95W！封裝的熱阻約為 40℃/W，則如果不采取任何散熱措施，則溫升能夠達(dá)到約 120℃。對 LDO 必須通過熱仿真確定合適的散熱措施，并且在 3.3V 電源在預(yù)算中必須能夠提供 1.5A 的電流（或者 5W 以上的功率） ，保證系統(tǒng)的工作正常。采用開關(guān)電源能夠達(dá)到很高的效率，對大電流及大壓差的場合，推薦采用開關(guān)電源進(jìn)行轉(zhuǎn)換。如果電路對紋波要求較高， 可以采用開關(guān)電源和線性電源串聯(lián)使用的方法， 采用線性電源對開關(guān)電源的噪聲進(jìn)行抑制。

 

2、LDO 輸出端濾波電容選取時(shí)注意參照手冊要求的最小電容、電容的 ESR/ESL 等要求確保電路穩(wěn)定。推薦采用多個(gè)等值電容并聯(lián)的方式，增加可靠性以及提高性能 DO 輸出電容為負(fù)載的變化提供瞬態(tài)電流，同時(shí)因?yàn)檩敵鲭娙萏幱陔妷悍答佌{(diào)節(jié)回路之中，在部分 LDO 中，對該電容容量有要求以確保調(diào)節(jié)環(huán)路穩(wěn)定。該電容容量不滿足要求，LDO 可能發(fā)生振蕩導(dǎo)致輸出電壓存在較大紋波。多個(gè)電容并聯(lián)，以及對大容量電解電容并聯(lián)小容量的陶瓷電容，有利于減少 ESR 和 ESL，提高電路的高頻性能，但是對于某些線性穩(wěn)壓電源，輸出端電容的 ESR 太低，也可能會誘發(fā)環(huán)路穩(wěn)定裕量下降甚至環(huán)路不穩(wěn)定。

 

3、濾波電容

 

（1） 電源濾波可采用 RC 、LC 、π 型濾波。電源濾波建議優(yōu)選磁珠，然后才是電感。同時(shí)電阻、電感和磁珠必須考慮其電阻產(chǎn)生的壓降對電源要求較高的場合以及需要將噪聲隔離在局部區(qū)域的場合， 可以采用無源濾波電路。在采用無源濾波電路時(shí)，推薦采用磁珠進(jìn)行濾波。磁珠和電感的主要區(qū)別是，電感的 Q 值較高，而磁珠在高頻情況下呈阻性，不易發(fā)生諧振等現(xiàn)象。

 

電感加工精度較高，而磁珠加工精度相對較低，成本也較便宜。在選擇濾波器件時(shí)，優(yōu)選磁珠。選擇電阻和電容構(gòu)成無諧振的一階 RC 低通濾波器，但是該電路只能應(yīng)用于電流很小的情況。負(fù)載電流將在電阻上形成壓降，導(dǎo)致負(fù)載電壓跌落。無論是采用何種濾波器，都需要考慮負(fù)載電流在電感、磁珠或者電阻上的壓降，確認(rèn)濾波后的電壓能夠滿足后級電路工作的要求。

 

例如在某單板鎖相環(huán)路設(shè)計(jì)中采用了一階 RC 濾波器，濾波電阻選擇 12 歐姆。鎖相環(huán)中 VCXO 的工作電流約為 30mA，在濾波電阻上產(chǎn)生 300mV 的壓降，額定電壓 3.3V 的 VCXO 實(shí)際工作電壓只有不到 3V，易發(fā)生停振等現(xiàn)象。在某光口子卡上，發(fā)生過某型號光模塊當(dāng)光纖插上時(shí) SD（光檢測）信號上升緩慢，不能正確反映實(shí)際情況的問題。

 

經(jīng)過檢查發(fā)現(xiàn)濾波電感的直流電阻約為 3 歐姆， 光模塊工作電流約為 100mA， 電感上的壓降導(dǎo)致光模塊的工作電壓只有約 2.9V 左右，在該型號光模塊上會出現(xiàn) SD 上升緩慢的故障。另外，對于濾波電路，應(yīng)保證電感、磁珠或者電阻后的電容網(wǎng)絡(luò)能夠保證關(guān)心的所有頻率下，都能夠保證低阻抗。必要時(shí)應(yīng)采用多種容量的電容并聯(lián)，并局部鋪銅的方式達(dá)到目標(biāo)阻抗。（參見時(shí)鐘驅(qū)動芯片濾波電路設(shè)計(jì)部分）。在某單板上，采用了磁珠和 0.1u 電容為時(shí)鐘驅(qū)動芯片提供濾波。經(jīng)過測試，時(shí)鐘驅(qū)動芯片管腳上的紋波高達(dá) 1V 以上。采用多電容并聯(lián)的方式可以有效地為時(shí)鐘芯片提供去耦。

 

（2）大容量電容應(yīng)并聯(lián)小容量陶瓷貼片電容使用

 

大容量電容一般為電解電容，其體積較大，引腳較長，經(jīng)常為卷繞式結(jié)構(gòu)（鉭電容為燒結(jié)的碳粉和二氧化錳） 。這些電容的等效串聯(lián)電感較大，導(dǎo)致這些電容的高頻特性較差，諧振頻率大約在幾百 KHz 到幾 MHz 之間（參見 Sanyo 公司 OSCON 器件手冊和 AVX 公司鉭電容器件手冊） 。

 

小容量的陶瓷貼片電容具有低的 ESL 和良好的頻率特性，其諧振點(diǎn)一般能夠到達(dá)數(shù)十至數(shù)百 MHz（參見參考文獻(xiàn)《High-speed Digital Design》以及 AVX 等公司陶瓷電容器件手冊） ，可以用于給高頻信號提供低阻抗的回流路徑，濾除信號上的高頻干擾成分。因此，在應(yīng)用大容量電容（電解電容）時(shí)，應(yīng)在電容上并聯(lián)小容量瓷片電容使用。

 

（3）輸入電容

 

計(jì)算輸入電容的紋波電流，這個(gè)推導(dǎo)的過程，利用到積分公式。通過分析和推導(dǎo)，可以對電路的工作原理有比較透徹的理解。如果考慮輸出紋波電流。那么電容上的紋波電流的波形為：

 

 

 

由于在上管打開的階段，輸入電流的大小即可近似的看成輸出電流的大小。所以只需要將輸出電流的波形疊加在輸入電容的波形上面，可以得到上圖中的波形。

 

那么按照有效電流定義，我們可以通過對電流平方在時(shí)間上的計(jì)算

 

 

 

為了簡便計(jì)算，我們將能量拆成紋波部分，和直流部分。原先的直流部分，我們直接用乘法進(jìn)行計(jì)算。直流部分，我們按照近似計(jì)算的方法可以得到。交流部分的功耗，我們按照公式計(jì)算可以得到：

 

 

 

所以總的電容上的有效電流為：

 

如果選用 220uF 的電容，每個(gè)能承受的有效電流為 3.8A。。如果我們計(jì)算出來輸入電容的有效電流值為 7A，則需要選用 220uF 電容 2 個(gè)。高分子電解電容能夠承受的有效電流值是有限的。在設(shè)計(jì)時(shí)需要充分考慮電容的承受能力。

 

4、升壓電路

 

升壓電源（BOOST）使用必須增加一個(gè)保險(xiǎn)管以防止負(fù)載短路時(shí)，電源直通而導(dǎo)致整個(gè)單板工作掉電。保險(xiǎn)的大小由模塊的最大輸出電流或者負(fù)載最大電流而定升壓電源（Boost）的基本拓?fù)淙缦聢D所示：

 

 

 

當(dāng) Q1 導(dǎo)通時(shí)兩端電阻很小， 電源電壓加在 L 兩端，電能轉(zhuǎn)化為磁場存儲在 L 中，此時(shí) D1 截止，避免 C0 上的電壓向 Q1 流動。當(dāng) Q1 關(guān)斷時(shí)，L 中的電流不能突變，電源和 L 一起通過 D1 向 C0 充電并向負(fù)載供電，得到一個(gè)高于輸入電壓的輸出電壓。由圖中拓?fù)淇梢钥闯?，我們不能通過控制 Q1 的通斷來切斷輸入和輸出之間的通路或者控制輸出電流。當(dāng)輸出電源短路時(shí)，輸入電源（一般是單板主電源）通過 L 和 D1 直接短路到地。導(dǎo)致的結(jié)果將是 L 或者 D1 燒毀且失效模式為開路。在 L 或者 D1 燒毀之前，單板電源處于短路狀態(tài)，如果 L 和 D1 電流降額較大，可能導(dǎo)致單板電源保護(hù)而不能上電。為了避免上述問題， 建議為升壓電源添加一個(gè)保險(xiǎn)管防止負(fù)載短路， 保險(xiǎn)的大小依照模塊的最大輸出電流或者負(fù)載的最大電流而定。

 

5、防反接

 

電源要有防反接處理，輸入電流超過 3A 于 ，輸入電源反接只允許損壞保險(xiǎn)絲；低于或等于 3A，輸入電源反接不允許損壞任何器件電源要有防反接處理，輸入電流超過 3A，輸入電源反接只允許損壞保險(xiǎn)絲；低于或等于 3A，輸入電源反接不允許損壞任何器件。回路電流較大時(shí)，直流電源反接處理可以按照以下方法處理。原理圖如下所示：

 

 

 

直流電源正常接入時(shí)， 光耦 D1 由于輸入二極管反偏置， 所以輸出 C－E 不能導(dǎo)通， 這時(shí)并聯(lián)的 NMOS 管將由于 G－S 電壓的穩(wěn)壓至 12V，使 D-S 導(dǎo)通。這樣電源回路將能順利形成。電容 C1 是起到緩啟動作用的，這樣可以起到防浪涌的目地。電阻 R6、二極管 VD3 構(gòu)成電容 C1 的放電回路。當(dāng)電源反接的時(shí)候，由于光耦輸入二極管正偏置，輸出 C-E 導(dǎo)通，使并聯(lián)的 NMOS 管截止。這樣回路就切斷了，起到了防反接保護(hù)的作用。由于并聯(lián) NMOS 管的 R DS 比較小，損耗小，比較適合于低壓大電流的場合?；芈冯娏鬏^小時(shí)，可以直接在輸入回路中串聯(lián)二極管。反接時(shí)，由于二極管的單向?qū)щ娦?，電源被阻斷?/div>