DC-DC開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器—— 在DSP系統(tǒng)中延長(zhǎng)電池壽命
發(fā)布時(shí)間:2018-10-22 責(zé)任編輯:wenwei
【導(dǎo)讀】長(zhǎng)期以來(lái),MP3播放器、個(gè)人媒體播放器、數(shù)碼相機(jī)以及其他便攜式消費(fèi)類應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員面臨的一項(xiàng)挑戰(zhàn)是實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的高性能和低功耗。這些電池供電系統(tǒng)通常都使用嵌入式數(shù)字信號(hào)處理器(DSP),當(dāng)系統(tǒng)處理多媒體應(yīng)用任務(wù)時(shí),DSP能達(dá)到最大處理能力,而當(dāng)系統(tǒng)處于睡眠模式時(shí),DSP具有最小的功耗。電池壽命在手持式產(chǎn)品中是非常重要的指標(biāo),產(chǎn)品成功與否與供電系統(tǒng)的效率直接相關(guān)。
此類系統(tǒng)中的一個(gè)關(guān)鍵部件是降壓式DC-DC開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,它能夠高效地從較高電壓獲得較低的供電電壓,如從4.5 V獲得1V的供電電壓。作為穩(wěn)壓器,其必須保持恒定的電壓,而且能夠?qū)斎腚妷旱淖兓约柏?fù)載電流的變化迅速做出響應(yīng)。本文將討論的架構(gòu)具有優(yōu)良的穩(wěn)壓性能以及高效率和快速響應(yīng)的優(yōu)點(diǎn)。
開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器剖析
圖1示出了ADI公司ADP2102的典型應(yīng)用電路,這是一款低占空比、3 MHz同步整流降壓轉(zhuǎn)換器。ADP2102具有固定輸出電壓和可調(diào)輸出電壓的多種配置。這里將ADP2102連接成固定輸出電壓配置,由5.5 V的輸入電壓產(chǎn)生300mA、0.8 V輸出電壓。接下來(lái)給出輸出電壓可調(diào)的應(yīng)用示例。
圖1. 使用ADP2102由5.5 V輸入產(chǎn)生0.8 V輸出
這里將簡(jiǎn)單地解釋該電路的工作原理:將DC輸出電壓的分壓與誤差放大器中的內(nèi)部參考源比較,然后將誤差放大器的輸出與電流采樣放大器的輸出比較,以驅(qū)動(dòng)單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器。單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器在由VOUT/VIN確定的時(shí)間周期內(nèi)處于暫穩(wěn)態(tài)。單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器使上面的門(mén)控晶體管導(dǎo)通,電感L1中的電流逐漸變大。當(dāng)單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的暫穩(wěn)態(tài)結(jié)束時(shí),晶體管截止,電感L1中的電流逐漸變小。在由最小關(guān)斷時(shí)間定時(shí)器和最?。?ldquo;谷值”)電流確定的時(shí)間間隔之后,單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器再次被觸發(fā)。芯片內(nèi)的單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)定時(shí)器使用輸入電壓前饋,使得穩(wěn)態(tài)時(shí)保持恒定的頻率。
該振蕩以不確定的頻率(大約為3MHz)持續(xù)進(jìn)行,但是在必要的情況下可以響應(yīng)線路和負(fù)載的瞬態(tài)變化而偏離該頻率,以便輸出電壓保持恒定,并且使電感電流的平均值保持在輸出負(fù)載所需要的電流值。
上文描述的方法是相對(duì)新穎的。多年來(lái),DC-DC變換的主要方法是恒頻峰值電流方法,當(dāng)該方法在降壓式DC-DC轉(zhuǎn)換器中實(shí)現(xiàn)時(shí),其還被稱為后沿調(diào)制。有關(guān)該方法的詳細(xì)描述、對(duì)其優(yōu)缺點(diǎn)的評(píng)估以及上文描述的恒定導(dǎo)通時(shí)間谷值電流模式轉(zhuǎn)換器,請(qǐng)參考其他技術(shù)文章。
ADP2012還具有欠壓閉鎖功能、軟啟動(dòng)功能、過(guò)熱保護(hù)功能和短路保護(hù)功能,并且具有±1%的反饋精度。該架構(gòu)能夠使主開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通時(shí)間低至60 ns或更低。
圖2示出了不同條件下的典型波形。圖2a示出了在ILOAD=600mA,電壓從VIN=5.5V減小到VOUT=0.8V時(shí)的低占空比。如圖中所示,在3MHz的開(kāi)關(guān)頻率下,可以獲得45 ns的最小導(dǎo)通時(shí)間。
圖2b示出了負(fù)載電流突增300mA時(shí),負(fù)載電流和電感電流波形。
圖2c示出了負(fù)載電流突減300mA時(shí),負(fù)載電流和電感電流波形。
圖2d示出了在占空比為50%時(shí)不存在次諧波振蕩,而使用峰值電流模式控制時(shí)必須在設(shè)計(jì)時(shí)加以考慮。當(dāng)占空比大于或小于50%時(shí),同樣不存在次諧波振蕩。
圖 2a.VIN= 5.5 V, VOUT= 0.8 V, 最小導(dǎo)通時(shí)間=45 ns
圖 2b. 突加負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)(ILOAD= 300 mA)
圖2c. 突減負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng) (ILOAD= 300 mA)
圖2d. 占空比 = 50%, VIN= 3.3 V, VOUT= 1.8 V, ILOAD= 300 mA
DSP應(yīng)用中的動(dòng)態(tài)電壓調(diào)節(jié)
在使用DSP的便攜式應(yīng)用中,通常由開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器提供DSP的內(nèi)核電壓和I/O電壓,這需要使用電池供電應(yīng)用的高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器。提供內(nèi)核電壓的穩(wěn)壓器必須能夠基于處理器的時(shí)鐘速度動(dòng)態(tài)改變電壓或者按照軟件的指令動(dòng)態(tài)改變電壓。另外,整體解決方案的小尺寸也同樣重要。
這里描述的是,在電池供電的應(yīng)用中將Blackfin®處理器的內(nèi)部穩(wěn)壓器更換為外部高效率穩(wěn)壓器,以提高系統(tǒng)供電效率。而且,這里還介紹了用于外部穩(wěn)壓器的控制軟件。
動(dòng)態(tài)電源管理
處理器的功耗與工作電壓(VCORE)的平方成正比,并且與工作頻率(FSW)成正比。因此,降低頻率能夠使動(dòng)態(tài)功耗線性下降,而降低內(nèi)核電壓可以使動(dòng)態(tài)功耗指數(shù)下降。
在對(duì)功耗敏感的應(yīng)用中,當(dāng)DSP僅簡(jiǎn)單地監(jiān)視系統(tǒng)活動(dòng)或者等待外部觸發(fā)信號(hào)時(shí),在保持供電電壓不變的情況下改變時(shí)鐘頻率,這對(duì)降低功耗是非常有用的。然而,在高性能電池供電的應(yīng)用中,僅改變頻率并不能顯著節(jié)約電能。Blackfin處理器以及其他的具有高級(jí)電源管理功能的DSP可以依次改變內(nèi)核電壓和頻率,由此可以在任何情況下均實(shí)現(xiàn)最優(yōu)的電池利用。
ADSP-BF53x系列Blackfin處理器中的動(dòng)態(tài)電壓的穩(wěn)壓通常是由內(nèi)部電壓控制器和外部MOSFET實(shí)現(xiàn)的。該方法的優(yōu)點(diǎn)在于,可以將單電壓(VDDEXT)施加到DSP子系統(tǒng),從MOSFET得到的所需的內(nèi)核電壓(VDDINT)。通過(guò)內(nèi)部寄存器可以軟件控制內(nèi)核電壓,以便于控制MIPS,并且最終控制能耗,由此實(shí)現(xiàn)最優(yōu)的電池壽命。
為了完整地實(shí)現(xiàn)Blackfin內(nèi)部穩(wěn)壓方案,需要一個(gè)外部MOSFET、肖特基二極管、大電感和多個(gè)輸出電容器,該解決方案價(jià)格相對(duì)昂貴,效率卻很差,而且占用的PCB板面積是相對(duì)較大的,這給系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員帶來(lái)了很大的矛盾,在集成穩(wěn)壓器中需要使用大電感和電容器,不利于消費(fèi)者所希望的便攜式設(shè)備盡可能小型化。該集成穩(wěn)壓控制器的效率是相對(duì)較低,通常僅為50%~70%,因此該方法不太適用于高性能手持式電池供電應(yīng)用。
外部穩(wěn)壓
通過(guò)新型DC-DC開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)方法,可以將Blackfin集成方法本身的效率提高到90%或更高。而且,在使用外部穩(wěn)壓器時(shí)可以減小外部元件的尺寸。
還可以使用多種動(dòng)態(tài)電壓調(diào)整(DVS)控制方案,包括開(kāi)關(guān)電阻器(其在某些情況中可由DAC實(shí)現(xiàn))和脈寬調(diào)制(PWM)(其可以實(shí)現(xiàn)與內(nèi)部方法相同的精度)。不論使用哪種方案,其必須能夠通過(guò)軟件控制改變穩(wěn)壓電平。上述穩(wěn)壓控制方法在內(nèi)部穩(wěn)壓器是集成的,而在外部穩(wěn)壓中必須通過(guò)外加器件來(lái)實(shí)現(xiàn)。
本文描述了兩種使用ADP2102同步DC-DC轉(zhuǎn)換器調(diào)節(jié)DSP內(nèi)核電壓的方法,當(dāng)處理器在低時(shí)鐘速度下運(yùn)行時(shí),可動(dòng)態(tài)地將內(nèi)核電壓從1.2 V調(diào)節(jié)到1.0V。
ADP2102高速同步開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器在由2.7V~5.5V的電池電壓供電時(shí),可以使內(nèi)核電壓低到0.8 V。其恒定導(dǎo)通時(shí)間的電流模式控制以及3MHz開(kāi)關(guān)頻率提供了優(yōu)良的動(dòng)態(tài)響應(yīng)、非常高的效率和出色的源調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率。較高的開(kāi)關(guān)頻率允許系統(tǒng)使用超小型多層電感和陶瓷電容器。ADP2102采用3 mm×3 mm LFCSP封裝,節(jié)約了空間,僅需要三或四個(gè)外部元件。而且ADP2102包括完善的功能,諸如各種安全特征,如欠壓閉鎖、短路保護(hù)和過(guò)熱保護(hù)。
圖3示出了實(shí)現(xiàn)DVS的電路。ADSP-BF533 EZ-KIT Lite®評(píng)估板上的3.3 V電源為降壓轉(zhuǎn)換器ADP2102供電,使用外部電阻分壓器R1和R2將ADP2102的輸出電壓設(shè)定為1.2 V。DSP的GPIO引腳用于選擇所需的內(nèi)核電壓。改變反饋電阻值可以在1.2 V~1.0 V的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)內(nèi)核電壓。通過(guò)與R2并聯(lián)的電阻R3,N溝MOSFET可以修改分壓器。相比于R3,IRLML2402的RDSon較小,僅為0.25 Ω。3.3 V的GPIO電壓用于驅(qū)動(dòng)MOSFET的柵極。為了獲得更好的瞬態(tài)性能并改善負(fù)載調(diào)整率,需要加入前饋電容器CFF。
圖3. 使用外部MOSFET和Blackfin PWM控制進(jìn)行ADP2102的動(dòng)態(tài)電壓調(diào)整
對(duì)于雙電平開(kāi)關(guān),一般的應(yīng)用要求是:
DSP內(nèi)核電壓 (VOUT1) = 1.2 VDSP內(nèi)核電壓 (VOUT2) = 1.0 V輸入電壓 = 3.3 V輸出電流 = 300 mA
使用高阻值的分壓電阻可將功率損失降到最低。前饋電容在開(kāi)關(guān)過(guò)程中降低柵漏電容的影響。通過(guò)使用較小的反饋電阻和較大的前饋電容可以使該暫態(tài)過(guò)程中引起的過(guò)沖或下沖最小,但這是以額外的功耗為代價(jià)的。
圖4示出了輸出電流IOUT、輸出電壓VOUT和控制電壓VSEL。VSEL為低電平時(shí),輸出電壓為1.0 V,VSEL為高電平時(shí),輸出電壓為1.2 V。
圖4. 通過(guò)MOSFET調(diào)節(jié)下面的反饋電阻器
一種較簡(jiǎn)單的方法可生成用于DVS的兩個(gè)不同的電壓,其使用控制電壓VC通過(guò)另外的電阻將電流注入到反饋網(wǎng)絡(luò)中。調(diào)節(jié)控制電壓的占空比可以改變其平均DC電平。因此使用一個(gè)控制電壓和電阻可以調(diào)節(jié)輸出電壓。下面的公式用于計(jì)算電阻R2、R3的值以及控制電壓幅度電平VC_LOW和VC_HIGH.
(1)
(2)
對(duì)于VOUT1= 1.2 V,VOUT2= 1.0 V,VFB= 0.8 V,VC_LOW= 3.3 V,VC_HIGH =0 V, 和R1= 49.9 kohm,R2andR3可以如下計(jì)算
(3)
(4)
該方法產(chǎn)生了更加平滑的變換。不同于MOSFET開(kāi)關(guān)方法,能夠驅(qū)動(dòng)電阻負(fù)載的任何控制電壓均可用于該方案,而MOSFET開(kāi)關(guān)方法僅能夠用于驅(qū)動(dòng)電容負(fù)載的控制信號(hào)源。該方法可以適用于任何輸出電壓組合和輸出負(fù)載電流。因此,根據(jù)需要調(diào)整內(nèi)核電壓,便可以降低DSP的功耗。圖5示出了使用該電流注入方法的兩個(gè)輸出電壓之間的變換。
圖5. 使用控制電壓 VC進(jìn)行ADP2102的動(dòng)態(tài)電壓調(diào)整
圖6. 通過(guò)控制電壓調(diào)節(jié)下面的反饋電阻器
推薦閱讀:
特別推薦
- 【“源”察秋毫系列】下一代半導(dǎo)體氧化鎵器件光電探測(cè)器應(yīng)用與測(cè)試
- 集成開(kāi)關(guān)控制器如何提升系統(tǒng)能效?
- 工業(yè)峰會(huì)2024激發(fā)創(chuàng)新,推動(dòng)智能能源技術(shù)發(fā)展
- Melexis推出超低功耗車用非接觸式微功率開(kāi)關(guān)芯片
- Bourns 發(fā)布新款薄型線性濾波器系列 SRF0502 系列
- 三菱電機(jī)開(kāi)始提供用于xEV的SiC-MOSFET裸片樣品
- ROHM開(kāi)發(fā)出支持更高電壓xEV系統(tǒng)的SiC肖特基勢(shì)壘二極管
技術(shù)文章更多>>
- AMTS & AHTE South China 2024圓滿落幕 持續(xù)發(fā)力探求創(chuàng)新,攜手并進(jìn)再踏新征程!
- 提高下一代DRAM器件的寄生電容性能
- 意法半導(dǎo)體Web工具配合智能傳感器加快AIoT項(xiàng)目落地
- 韌性與創(chuàng)新并存,2024 IIC創(chuàng)實(shí)技術(shù)再獲獎(jiǎng)分享供應(yīng)鏈挑戰(zhàn)下的自我成長(zhǎng)
- 上海國(guó)際嵌入式展暨大會(huì)(embedded world China )與多家國(guó)際知名項(xiàng)目達(dá)成合作
技術(shù)白皮書(shū)下載更多>>
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門(mén)搜索