【導(dǎo)讀】米勒效應(yīng)想比眾所周知，即在反相電路中，輸入輸出之間的寄生電容或分布電容經(jīng)由放大器后的放大作用。單位增益放大器中并不具備米勒效應(yīng)，雖然其具有較大的輸出電容，且經(jīng)由輸出電容后導(dǎo)致隨后出現(xiàn)了后端變形、尖端變形的情況。
為了減小米勒效應(yīng)的影響，目前提出了一些原理方法。這些原理雖然經(jīng)過(guò)了測(cè)試并公布于世，卻不夠完美，原因就在于，cgs沒(méi)有一個(gè)可靠的放電路徑。對(duì)這個(gè)設(shè)計(jì)進(jìn)行改造，就有了這個(gè)可行的級(jí)聯(lián)PFC原理布局。這里我們所使用的數(shù)值和組件模型只是用于說(shuō)明這個(gè)原理，在實(shí)際應(yīng)用中可以根據(jù)需要加以修改。
共源共柵PFC設(shè)計(jì)是圍繞的MOSFET M1，M2和M3(圖1)展開的。先前提出的那些原理中都沒(méi)有M3，而是將它其用作M2的Cgs放電開關(guān)。如果驅(qū)動(dòng)合適，這個(gè)MOSFET可以顯著改善PFC。
圖1：這種改良設(shè)計(jì)為上共源共柵MOSFET輸入電容增加了放電路徑
M3應(yīng)該和M1同相進(jìn)行控制，在這里我們可以用一個(gè)價(jià)格較低的適中低電壓RDS晶體管。電壓源V3代表用于抵消M2的12V直流柵極，它應(yīng)該繞過(guò)一個(gè)10微法的陶瓷電容。如果諸如LTC1693-1或類似的雙通道MOSFET驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)，M1和M3工作最好。
為M1和M3(圖2)創(chuàng)造合適的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)非常重要。為了避免在電壓源V3和關(guān)閉的M3及M1之間出現(xiàn)直通電流，晶體管M3應(yīng)該比M1早關(guān)晚開。
兩條延遲線路的取決于所使用的MOSFET，它們?yōu)镸1和M3創(chuàng)造出控制電壓。這些延遲線建立在相似的低通濾波器上，包括電阻器R5、R6，電容器C1、C2，二極管D2，以及和它們相對(duì)應(yīng)的R8，R9，C5，C6和D1。
集成電路U2是一個(gè)PFC芯片可行的例子。供應(yīng)線路被動(dòng)力源V1代替，二極管D4到D7之間形成一個(gè)線整流器。任何功率足夠的二極管都可以用在這里。
集成電路U2創(chuàng)造了一個(gè)脈沖寬度調(diào)節(jié)電阻R17之間的控制信號(hào)，這個(gè)信號(hào)分別進(jìn)入兩條延遲線。通過(guò)延遲線后，由于兩條通道延遲線使它分別經(jīng)歷了前緣和后緣的延遲。這就是MOSFET M1和M3之間產(chǎn)生柵極驅(qū)動(dòng)電壓的過(guò)程（圖2）。
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