【導(dǎo)讀】本文由資深電源發(fā)燒友總結(jié)的經(jīng)驗(yàn)，主要目的為了幫助大家更加深入了解并學(xué)習(xí)反激電源的設(shè)計(jì)。要想攻破90%效率反激電源，必須掌握MOS管的相關(guān)知識(shí)，才能無(wú)往不利。
說(shuō)是有關(guān)MOS管的相關(guān)知識(shí)，其實(shí)是將肖特基、變壓器等知識(shí)圍繞MOS展開(kāi)，對(duì)反激電源的整體設(shè)計(jì)進(jìn)行完善。
頻率高低的第二個(gè)影響是整個(gè)電源板開(kāi)關(guān)的次數(shù)，這個(gè)開(kāi)關(guān)次數(shù)直接影響到：
1、mos，肖特基的開(kāi)關(guān)損耗。
2、因變壓器的寄生參數(shù)影響回路特性。
3、因開(kāi)關(guān)次數(shù)增加，增加了產(chǎn)生諧波的次數(shù)，影響EMC。
針對(duì)以上三點(diǎn)，下面來(lái)進(jìn)行較為詳細(xì)的說(shuō)明。
有關(guān)mos的損耗，開(kāi)關(guān)損耗自是不必多說(shuō)，下降上升導(dǎo)通時(shí)的各種損耗總和，驅(qū)動(dòng)也就是環(huán)路電感，極性電容，驅(qū)動(dòng)電阻，驅(qū)動(dòng)峰值電流等相關(guān)問(wèn)題，電流不大就不復(fù)雜，電流大了就要做保護(hù)，階段性關(guān)斷，管壓降檢測(cè)等就復(fù)雜了。
下面說(shuō)說(shuō)MOS環(huán)路當(dāng)中的損耗問(wèn)題。
在做電源的時(shí)候，變大Rg電阻，有時(shí)候效率反而提升，這就是一種mos開(kāi)關(guān)的環(huán)路特性。引起這種環(huán)路開(kāi)關(guān)特性的原因，主要是由變壓器寄生電容和肖特基的寄生電容。導(dǎo)線之間有電壓差，就會(huì)存在電容特性，對(duì)變壓器做模型，寄生電容大類別是4種：
1、初級(jí)的匝間電容和層間電容
2、次級(jí)的匝間電容和層間電容
3、初級(jí)和次級(jí)之間的匝電容
4、線圈和磁芯的電容（這個(gè)一般忽略不計(jì)）
肖特基就是規(guī)格書上寫的電容。而正是因?yàn)樯厦娴募纳娙荩鹆薽os開(kāi)關(guān)的回路特性，有時(shí)候加大RG電阻可以得到更高的效率，更好的溫升。反激式在mos都有一個(gè)采樣電阻到cs引腳，現(xiàn)在就從這里的波形來(lái)看關(guān)于寄生參數(shù)。
圖1
圖2
如圖2所示，純理論上，這個(gè)采樣電阻上的電壓是這樣的，這是一種完美波形。但是，實(shí)際上在mos開(kāi)啟和關(guān)斷的時(shí)候，兩邊都有個(gè)阻力震蕩諧波。在電源中，阻尼震蕩基本上都是LC串聯(lián)形成的，下面仿真下肖特基二極管的寄生電容對(duì)電路特性的影響： 
圖3
然后加入變壓器次級(jí)寄生電感，電路波形則變?yōu)椋?
圖4
[page] 從這里可以看出：
次級(jí)的漏感會(huì)和肖特基二極管的寄生電容構(gòu)成一個(gè)阻尼震蕩，一個(gè)低漏感的變壓器可以更好的克制這個(gè)阻尼震蕩，提升電阻的諧波能力，這個(gè)震蕩也會(huì)影響二極管兩側(cè)的尖峰電壓。
下面是一個(gè)實(shí)際電源在采樣電阻上的波形：
圖5
仿真出來(lái)反激式電源的波形：
圖6
仿真和實(shí)際有一些差距，但這個(gè)仿真已經(jīng)能解決前面的問(wèn)題，有時(shí)候加大RG電阻效率反而升高，也就是功率回路問(wèn)題。
下面再來(lái)看仿真圖：
圖7
[page] 接下來(lái)調(diào)整MOS的開(kāi)關(guān)速度來(lái)看對(duì)整個(gè)寄生參數(shù)的影響。上面仿真出來(lái)的用的是100ns的開(kāi)關(guān)速度，現(xiàn)在修改為300ns，RG電阻改為12歐，在來(lái)看一下波形。
圖8
從上面給出的圖可以說(shuō)明：
1、肖特基寄生電容和變壓器次級(jí)寄生電容會(huì)和次級(jí)漏感形成一個(gè)阻尼震蕩；
2、變壓器初級(jí)漏感會(huì)和初級(jí)寄生電容形成一個(gè)阻尼震蕩；
3、變壓器初級(jí)漏感會(huì)和mos的DS極間電容形成一個(gè)震蕩；
以上是主要部分，忽略線路板和元器件引腳的寄生電感。
這樣一來(lái)，變壓器次級(jí)的寄生電容也可以折射到初級(jí)，在一定電容情況下，mos開(kāi)關(guān)的上升沿和下降沿越陡峭，則經(jīng)過(guò)寄生電容的尖峰電流越大，就越大的沖擊電流承受到mos上，引起一種功率損耗。
當(dāng)mos開(kāi)關(guān)速度越快，電路形成的諧波震蕩就越嚴(yán)重，然后引起EMC問(wèn)題。所以，mos開(kāi)關(guān)的速度在實(shí)際電路中不是越快越好，個(gè)人認(rèn)為，當(dāng)變壓器器件工藝已經(jīng)符合要求的情況下，調(diào)整MOS管的RG電阻，找出改變這個(gè)電阻最高效率點(diǎn)，確定mos的RG電阻阻值。
本篇文章主要圍繞MOS，對(duì)反激電源當(dāng)中的變壓器肖特基等知識(shí)進(jìn)行了較為全面的講解。希望大家在閱讀過(guò)這些文章之后能夠?qū)?0%效率的反激電源制作有進(jìn)一步的了解和認(rèn)識(shí)，小編將為大家?guī)?lái)更多精品的文章，歡迎大家持續(xù)關(guān)注。
相關(guān)閱讀：
MOS管散熱片接地與EMC之間有何關(guān)聯(lián)？
技術(shù)突破：MOS管封裝能效限制解除法門
LED五大技術(shù)難點(diǎn)，MOS管無(wú)條件“賣命”的關(guān)鍵
