【導(dǎo)讀】高功率密度二次電源模塊是目前發(fā)展最快的電源產(chǎn)品之一。對(duì)于DC/DC 低壓大電流輸出，副邊采用同步整流的有源箝位正激變換器雖有一定優(yōu)點(diǎn)，但卻是一個(gè)使許多公司遭遇很大損失的美國(guó)專利。本文從現(xiàn)有高功率密度二次模塊實(shí)現(xiàn)的方法出發(fā)，提供一些對(duì)此類產(chǎn)品的開發(fā)思路和產(chǎn)品優(yōu)化方案。
DC/DC二次電源是發(fā)展最為迅速的高頻開關(guān)電源。它主要為通信單板上的各種IC供電，其趨勢(shì)是低電壓，大電流，低厚度，高功率密度和高效率等等。產(chǎn)品有小功率非標(biāo)準(zhǔn)品和中大功率標(biāo)準(zhǔn)品兩類，后者是目前發(fā)展的方向，如全磚，半磚，1/4 磚和1/8 磚。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的功率密度愈來愈高，輸出電壓愈來愈低，輸出電流愈來愈大，產(chǎn)品工藝愈來愈難。
一個(gè)生產(chǎn)DC/DC 二次電源模塊的公司，必須具有快速的產(chǎn)品響應(yīng)能力，方能適應(yīng)通信客戶迅速增長(zhǎng)的需求。前幾年，不少電源公司在開發(fā)DC/DC 標(biāo)準(zhǔn)磚類產(chǎn)品中，一般會(huì)選擇有源箝位正激電路作為主電路，用鋁基板作為主工藝，原因是有太多的文獻(xiàn)對(duì)
有源箝位正激電路作了正面介紹，這些文獻(xiàn)對(duì)有源箝位正激變換器的優(yōu)點(diǎn)描述如下：
（1）因輔助開關(guān)SA ，使變壓器的激磁能量得以回饋和利用；
（2）變壓器的充分去磁和I，III象限工作可減小變壓器的體積；
（3）無(wú)開關(guān)電壓尖峰，消除了吸收電路；
（4）可工作在大于0.5 的占空比范圍，從而可提高變壓器變比（ Np : Ns ）,減小原邊開關(guān)和變壓器的導(dǎo)電損耗；減小付邊二極管的反向電壓從而減小其導(dǎo)電損耗；減小濾波電感L 的大小等等；
（5）低壓大電流輸出時(shí)，副邊整流用的MOSFET 能方便同步地進(jìn)行自驅(qū)動(dòng)。要將該電路做成一個(gè)好的產(chǎn)品，并不是一件容易的事情，原因是它的動(dòng)態(tài)關(guān)系復(fù)雜，動(dòng)態(tài)指標(biāo)難以優(yōu)化，尤其在大動(dòng)態(tài)時(shí)，非常容易損壞輔管。與其類似的專利是互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)半橋電路，它也是一個(gè)美國(guó)專利，也有同樣的動(dòng)態(tài)問題，而且在輕載時(shí)非常容易損壞管子。
現(xiàn)有高功率密度二次模塊產(chǎn)品方案的原理和優(yōu)點(diǎn)
標(biāo)準(zhǔn)DC/DC 二次電源（半磚，1/4 磚）模塊，采用了Buck 與DC/DC 變壓器相級(jí)聯(lián)的兩級(jí)電路方案，如圖（1）所示。初初一看，這個(gè)方案比單級(jí)方案（如有源箝位正激電路）的元器件數(shù)要多，不太合理。但通過分析，可以發(fā)現(xiàn)：其功率器件的總數(shù)并沒有增加（因?yàn)樵诘蛪捍箅娏鬏敵龅膽?yīng)用場(chǎng)合，輸出同步整流MOSFET 即使在單級(jí)方案中也要多個(gè)并聯(lián)才能實(shí)現(xiàn)效率指標(biāo)）；磁芯和電容元件的總面積也沒有增加（因?yàn)榭梢杂酶〉拇判竞碗娙荩?。但由于兩?jí)方案容易優(yōu)化和設(shè)計(jì)，故模塊的電氣性能得到了極大的改善，具體分析見下面的介紹。
這個(gè)方案的第一級(jí)是一個(gè)同步整流Buck 變換器，它將不穩(wěn)定的輸入電壓，調(diào)整到后級(jí)DC/DC 變壓器所合適的輸入電壓，通過反饋輸出和誤差放大等，去控制Buck 變換器的PWM占空比，從而穩(wěn)定輸出。DC/DC 變壓器的電路和工作波形如圖2 所示：
原邊兩個(gè)主管S1 和 S2 采用方波控制，各自的占空比為50%，且互補(bǔ)。有下列穩(wěn)態(tài)關(guān)系：
Vo=V1/N， 其中N=Np/Ns
又因?yàn)閂1=dVin，所以兩級(jí)總的輸入輸出關(guān)系為：Vo=dVin/N。這個(gè)關(guān)系與正激電路是相同的。
從圖中可知，其副邊同步整流的驅(qū)動(dòng)電壓為2Vo，是與負(fù)載和輸入電壓無(wú)關(guān)的常數(shù)。對(duì)這種方案進(jìn)行仔細(xì)分析后，可知其有如下優(yōu)點(diǎn)：
（1）因輸入MOSFET 的最大耐壓為Vinmax，輸出MOSFET 的最大電壓為2Vomax，故所有功率器件全部可用SO-8 封裝；
（2）因DC/DC 變壓器由兩個(gè)鐵芯實(shí)現(xiàn)，故大電流輸出時(shí)副邊PCB 連線的導(dǎo)電損耗可大大減少；
（3）由于電感放在原邊，故其設(shè)計(jì)更加容易，同時(shí)也減少了放在副邊時(shí)的導(dǎo)電損耗；
（4）副邊MOSFET 的自驅(qū)動(dòng)很容易，且其驅(qū)動(dòng)電壓固定；
（5）最大工作占空比的設(shè)計(jì)可由DC/DC 變壓器的變比決定，非常靈活；
（6）電路的動(dòng)態(tài)性能優(yōu)越，環(huán)路容易設(shè)計(jì)和補(bǔ)償；
（7）可方便多層PCB 的布板，更易提高模塊的功率密度，等等。
綜上所述 ，這種方案在那些寬輸入電壓范圍，高功率密度，低厚度，低電壓大電流輸出的應(yīng)用場(chǎng)合（如半磚，1/4 磚模塊）具有很多單級(jí)電路所沒有的優(yōu)點(diǎn)，可以獲得更高的效率，更好的動(dòng)態(tài)，更高的功率密度和更高的可靠性。
現(xiàn)有高功率密度二次模塊產(chǎn)品方案的創(chuàng)新點(diǎn)
此方案實(shí)際上是非常簡(jiǎn)單的兩級(jí)電路的級(jí)聯(lián)。它的創(chuàng)新點(diǎn)是敢于挑戰(zhàn)傳統(tǒng)單級(jí)電路的框框，從不同的角度考慮產(chǎn)品的實(shí)現(xiàn)。實(shí)際上，兩級(jí)PFC 與單級(jí)PFC 是極為類似的例子，在AC/DC 研究中，大家已逐漸認(rèn)識(shí)到：?jiǎn)渭?jí)PFC 可能是一個(gè)誤區(qū)，兩級(jí)才是AC/DC產(chǎn)品開發(fā)的最好選擇。在DC/DC 研究中，尤其是寬輸入范圍，低壓大電流輸出的那些場(chǎng)合，我認(rèn)為有同樣的問題存在，但是在此方案提出以前，大家都沒有往這個(gè)方面去想。所以這種想法是更實(shí)際的想法，是真正的創(chuàng)新。
作為一個(gè)電源產(chǎn)品的開發(fā)，實(shí)際上是對(duì)一個(gè)多變量系統(tǒng)進(jìn)行優(yōu)化與折衷的過程，所以創(chuàng)新就是一種更全面解決問題的方法。如果能用最簡(jiǎn)單的電路實(shí)現(xiàn)，那么便是最好的創(chuàng)新。此方案的創(chuàng)新點(diǎn)正在于此。他們的方案看起來非常簡(jiǎn)單，以至于許多人都會(huì)忽略掉，但其變成產(chǎn)品后，且具有最好的性價(jià)比。
結(jié)論
本文從介紹現(xiàn)有高功率密度二次模塊模塊實(shí)現(xiàn)的新方法出發(fā)，對(duì)思路，創(chuàng)新和產(chǎn)品的優(yōu)化作了比較。希望電源開發(fā)人員不要拘泥于傳統(tǒng)的觀點(diǎn)和思路，要從多個(gè)角度考慮問題。
