【導(dǎo)讀】本文我們將最終對(duì)一種估算熱插拔MOSFET溫升的簡(jiǎn)單方法進(jìn)行研究。在【電源設(shè)計(jì)小貼士28】中，我們討論了如何設(shè)計(jì)溫升問(wèn)題的電路類(lèi)似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性，計(jì)算得到熱阻和熱容，遍及整個(gè)網(wǎng)絡(luò)的各種電壓代表各個(gè)溫度。
本文中，我們把圖1所示模型的瞬態(tài)響應(yīng)與圖3所示公開(kāi)刊發(fā)的安全工作區(qū)域（SOA 曲線）部分進(jìn)行了對(duì)比。
圖1 將散熱容加到DC電氣模擬電路上
根據(jù)CSD17312Q5 MOSFET、引線框以及貼裝MOSFET的印制電路板(PWB)的物理屬性，估算得到圖1的各個(gè)值。在查看模型時(shí)，可以確定幾個(gè)重要的點(diǎn)。PWB到環(huán)境電阻（105oC/W）為到環(huán)境的最低電阻通路，其設(shè)定了電路的允許DC損耗。將溫升限制在100oC，可將電路的允許DC損耗設(shè)定為1瓦。其次，存在一個(gè)10秒鐘的PWB相關(guān)時(shí)間恒量，所以其使電路板完全發(fā)熱的時(shí)間相當(dāng)長(zhǎng)。因此，電路可以承受更大的電脈沖。例如，在一次短促的脈沖期間，所有熱能對(duì)芯片熱容充電，同時(shí)在更小程度上引線框?qū)崛莩潆?。通過(guò)假設(shè)所有能量都存儲(chǔ)于裸片電容中并求解方程式(dV = I * dt / C)得到 I，我們可以估算出芯片電容器可以存儲(chǔ)多少能量。結(jié)果是，I =dV * C /dt = 100 oC * 0.013F / 1ms =1300瓦，其與圖3的SOA曲線圖相一致。
圖2顯示了圖1的仿真結(jié)果以及由此產(chǎn)生的電壓響應(yīng)。其功耗為80瓦，不同的時(shí)間恒量一眼便能看出。綠色曲線為裸片溫度，其迅速到達(dá)一個(gè)PWB相關(guān)恒定電壓（藍(lán)色曲線）。您還可以看到一個(gè)引線框的第二時(shí)間恒量（紅色曲線），其稍微有一些滯后。最后，您還可以看見(jiàn)PWB的近似線性充電，因?yàn)榇蠖鄶?shù)熱能（電流）都流入其散熱電容。
圖2 熱能流入PWB時(shí)明確顯示的三個(gè)時(shí)間恒量
我們進(jìn)行了一系列的仿真，旨在驗(yàn)證模型的準(zhǔn)確性。圖3顯示了這些仿真的結(jié)果。紅色標(biāo)注表示每次仿真的結(jié)果。將一個(gè)固定電源（電流）放入電路中，相應(yīng)間隔以后對(duì)裸片電壓（溫升）進(jìn)行測(cè)量。模型始終匹配SOA曲線。這樣做的重要性是，您可以使用該模型的同時(shí)使用不同的散熱片和PWB參數(shù)。例如，該 SOA 數(shù)據(jù)是針對(duì)缺乏強(qiáng)散熱能力的最小尺寸PWB。我們可以增加電路板尺寸來(lái)降低其環(huán)境熱阻，或者增加銅使用量來(lái)提供更好的熱傳播—最終降低溫度。增加銅使用量也可以提高散熱能力。
圖3 散熱模型與指示點(diǎn)的MOSFET CSD17312 SOA曲線一致
