【導讀】憑借在功率MOSFET領域的領先地位，恩智浦半導體近日推出了其NextPower Live產品組合，設計出專門用于“熱插拔”環(huán)境的全新線性模式的功率MOSFET系列。NextPower Live系列同時提供出色的線性模式性能和極低的RDS（on）值，該獨特組合展示了恩智浦在該領域的技術能力。
圖題 針對熱插拔應用設計
運行于全天候網絡世界的大部分基礎設施（從云計算和移動電話到ATM和交通管理）由永久性處于工作（開啟）狀態(tài)的機架式系統(tǒng)組成。正因如此，驅動這些系統(tǒng)的電路板和元件必須能夠實現(xiàn)“熱插拔”工作，以實現(xiàn)在無需關閉設備電源的條件下即可進行產品升級和維護。恩智浦NextPower Live MOSFET旨在為這樣的系統(tǒng)提供了最佳的性能。
在應用過程中，為應對更換板卡插入工作系統(tǒng)時的沖擊電流，需要MOSFET具有強大的線性工作區(qū)域和很寬的安全運行區(qū)域（SOA）來防止電涌；但是，在過去需要使用RDS（on）較高且效率極低的老一代MOSFET，現(xiàn)在恩智浦NextPower Live系列已克服了該難題，只要系統(tǒng)安全安裝并運行，即可提供很強的線性模式性能以及實現(xiàn)高效（Rdson 很低）。
恩智浦半導體MOSFET業(yè)務經理Chris Boyce表示：“我們生活在計算和通信基礎設施不間斷的一個永無停歇的世界之中，享受始終連接、始終在線且沒有中斷的社會，這就需要特殊類型的元件能夠處理關鍵任務的應用需求 。過去，基礎設施所有者被迫使用可應對被安裝到某個活動環(huán)境的老一代MOSFET，但系統(tǒng)卻引入的高電阻值的MOSFET，它造成了過多的功率損耗且提高了機架的整體溫度。我們的NextPower Live MOSFET將改變了這一切，讓其在無中斷可靠加電后以極低的RDS（on）值工作，并實現(xiàn)高效率，目前其他解決方案都無法提供可與之相比擬的性能參數(shù)。”
NextPower Live產品組合兼具30V設備（針對工作電壓為12V DC的刀片服務器等應用）和100V設備（針對工作電壓為標稱48V DC的電信應用）。具有這兩種電壓范圍的MOSFET采用D2PAK封裝和LFPAK56（兼容Power-SO8）封裝，現(xiàn)已上市。恩智浦半導體還在針對以太網供電（PoE）等其他相關線性模式應用開發(fā)NextPower Live MOSFET。
