【導(dǎo)讀】近日，Vishay推出D2PAK封裝的新款40V N溝道TrenchFET功率MOSFET，該產(chǎn)品通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證并具有1.1mΩ的低導(dǎo)通電阻和200A的連續(xù)漏極電流。
Vishay40V N溝道TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay宣布推出新款通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET。SQM200N04-1m1L特別針對(duì)“重型”汽車(chē)應(yīng)用，是Vishay采用兼具低電阻和高電流等級(jí)的7腳D2PAK封裝的首款功率MOSFET。
通過(guò)高密度TrenchFET技術(shù)，器件在10V和4.5V下實(shí)現(xiàn)了1.1mΩ和1.3mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，將傳導(dǎo)損耗最小化，并能在更低的溫度下工作。此外，器件的連續(xù)漏極電流達(dá)200A，工程師能夠設(shè)計(jì)出更具魯棒性的產(chǎn)品，為關(guān)鍵的安全應(yīng)用提供額外的安全余量。
今天發(fā)布的SQM200N04-1m1L適用于電動(dòng)轉(zhuǎn)向助力等高功率車(chē)用電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。器件采用了專門(mén)設(shè)計(jì)，在生產(chǎn)過(guò)程中進(jìn)行了100%的測(cè)試，可承受100A和500mJ的單個(gè)雪崩脈沖。器件具有0.4?C /W的低熱阻(結(jié)至外殼)，工作溫度范圍-55?C～+175?C。
SQM200N04-1m1L符合RoHS，通過(guò)100%的Rg和UIS測(cè)試。器件豐富和擴(kuò)展了通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的Vishay TrenchFET功率MOSFET系列。
新款車(chē)用功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十四周到十六周。
