【導(dǎo)讀】飛兆半導(dǎo)體的40V PowerTrench MOSFET,在動(dòng)力轉(zhuǎn)向應(yīng)用中的功率控制更強(qiáng)、效率更高，該器件具有最低的導(dǎo)通電阻和較低的柵極電荷，可降低功耗，因此非常適合電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向、懸架控制和傳動(dòng)系管理等應(yīng)用。
汽車(chē)動(dòng)力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的設(shè)計(jì)工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的40V N溝道PowerTrench MOSFET可幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。
圖題：飛兆半導(dǎo)體的40V PowerTrench MOSFET
FDB9403利用飛兆半導(dǎo)體的屏蔽柵極技術(shù)，改進(jìn)了電阻并降低了電容。 該器件的RDS(ON) 比其最直接競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手低20%，并具有較低的Qg值，可降低功耗并最終提高總體效率。 FDB9403 MOSFET作為用于電流控制的基本開(kāi)關(guān)，可有效控制電能而不將其浪費(fèi)，因此非常適合電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向、懸架控制和傳動(dòng)系管理等應(yīng)用。
特色及優(yōu)勢(shì)：
RDS(ON)典型值 = 1m?（VGS = 10V，ID = 80A時(shí)），可降低功耗以實(shí)現(xiàn) 更高的效率
Qg(tot)典型值= 164nC（VGS = 10V，ID = 80A時(shí)），可降低功耗以實(shí)現(xiàn)更高的效率
UIS能力
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)且通過(guò)AEC Q101認(rèn)證
封裝和定價(jià)信息（1000片起訂，價(jià)格單位：美元）
按請(qǐng)求提供樣品。交貨期：收到訂單后8-12周內(nèi)
采用D2PAK TO-263AB封裝，F(xiàn)DB9403的定價(jià)為2.48美元
