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羅姆超低電壓小型肖特基勢(shì)壘二極管,月產(chǎn)1000萬(wàn)個(gè)

發(fā)布時(shí)間:2012-11-02 責(zé)任編輯:sunnypeng

【導(dǎo)讀】羅姆面向智能手機(jī)等便攜設(shè)備開(kāi)發(fā)出業(yè)界頂級(jí)的低VF小型肖特基勢(shì)壘二極管“RBE系列”, 小型封裝實(shí)現(xiàn)大電流化,有助于智能手機(jī)等更加節(jié)省空間。本產(chǎn)品已經(jīng)以月產(chǎn)500萬(wàn)個(gè)的規(guī)模開(kāi)始量產(chǎn),隨著客戶采用的增加,從2012年9月份開(kāi)始將產(chǎn)能擴(kuò)充為每月1000萬(wàn)個(gè)。

近年來(lái),智能手機(jī)等便攜設(shè)備的多功能化日益加速,對(duì)電池的長(zhǎng)時(shí)間驅(qū)動(dòng)需求強(qiáng)勁。降低耗電量成為首要課題,電源電路日趨向低電壓、大電流化方向發(fā)展。為此,電源電路中采用的肖特基勢(shì)壘二極管需要低VF且平均整流電流較高的產(chǎn)品。但是,為了降低VF并且實(shí)現(xiàn)大電流化,需要增加芯片尺寸,因此很難滿足對(duì)“小型”的需求。
此次羅姆通過(guò)優(yōu)化二極管的元件結(jié)構(gòu),大幅改善了電流效率。與以往的相同封裝產(chǎn)品相比,VF降低了約32%,實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)的低VF。由此,可以大幅抑制施加正向電流所產(chǎn)生的發(fā)熱,相同封裝也可確保大電流。
另外,由于確保了大電流,可以實(shí)現(xiàn)比以往封裝產(chǎn)品更加小型封裝的設(shè)計(jì)(在相同額定電流下相比),最大安裝面積消減了約80%。羅姆今后會(huì)不斷追求更加小型、低VF、大電流化,不斷完善滿足客戶需求的產(chǎn)品陣容。

此次,產(chǎn)品陣容中新增了更加小型的VML2封裝(1.0×0.6mm)。通過(guò)這些產(chǎn)品,將非常有助于便攜設(shè)備節(jié)省空間。

生產(chǎn)基地位于ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國(guó))、ROHM Electronics Philippines, Inc.(菲律賓)、ROHM Semiconductor (China) Co., Ltd.(天津)、ROHM Semiconductor Korea Corporation(韓國(guó))、ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.(馬來(lái)西亞)。

特點(diǎn)
1)    小型封裝,確保大電流

業(yè)界頂級(jí)的低VF,以小型封裝可確保大電流。
 
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2)    最大可節(jié)約80%的空間
確保大電流,可實(shí)現(xiàn)相同尺寸更加小型封裝的設(shè)計(jì)。
 

智能手機(jī)電路例
 

規(guī)格
 

術(shù)語(yǔ)解說(shuō)
?VF ( Forward Voltage)
正向電流經(jīng)過(guò)時(shí)二極管產(chǎn)生的電壓值。數(shù)值越小功耗越少。

?平均整流電流(Io)
指定條件下,正向流動(dòng)所得到的最大平均電流

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