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意法半導(dǎo)體(ST)鞏固在能效功率控制市場的領(lǐng)導(dǎo)地位

發(fā)布時間:2011-12-29

新聞事件:
  • ST鞏固在能效功率控制市場的領(lǐng)導(dǎo)地位
事件影響:
  • 是節(jié)能技術(shù)領(lǐng)域的一次巨大飛躍
  • 減少封裝尺寸,降低材料(BOM)成本

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管。MDmesh V系列已是市場上性能最高的功率MOSFET晶體管,擁有最低的單位面積通態(tài)電阻,在650V額定電壓應(yīng)用中可實現(xiàn)最高的能效和功率密度;現(xiàn)在新產(chǎn)品的推出又將重要的能效指標提高23%以上,對于以熱量形式損耗電能的系統(tǒng)功率轉(zhuǎn)換電路,如電子照明控制器、消費電子電源和太陽能光電轉(zhuǎn)換器,新產(chǎn)品的成功推出在節(jié)能技術(shù)領(lǐng)域是一次巨大飛躍。

意法半導(dǎo)體功率晶體管市場總監(jiān)Maurizio Giudice表示:“新記錄突顯并鞏固了意法半導(dǎo)體在超結(jié)型MOSFET市場的領(lǐng)導(dǎo)地位,MDmesh V體現(xiàn)了意法半導(dǎo)體最新的經(jīng)過市場檢驗的Multi-Drain Mesh技術(shù),新產(chǎn)品的性能提升讓客戶能夠降低應(yīng)用設(shè)計能耗,同時強化了意法半導(dǎo)體關(guān)于提供對環(huán)境負責(zé)的產(chǎn)品同時通過設(shè)計研發(fā)創(chuàng)新產(chǎn)品為客戶提供卓越性能的承諾。”

新產(chǎn)品STW88N65M5 MDmesh V MOSFET的通態(tài)電阻僅為 0.029Ω,是標準TO-247封裝650V市場上通態(tài)電阻最低的產(chǎn)品,打破了同樣是MDmesh V器件創(chuàng)造的0.038 Ω的原行業(yè)基準。設(shè)計工程師可直接將新產(chǎn)品替代通態(tài)電阻較高的MOSFET來提高終端應(yīng)用的能效,或并聯(lián)更少的MOSFET晶體管,從而減少封裝尺寸,降低材料(BOM)成本。

相較于同類600V競爭產(chǎn)品,意法半導(dǎo)體的650V STW88N65M5及其余的 MDmesh V產(chǎn)品的安全邊際更高,從而提高MOSFET對交流電力線上常見電涌的承受能力。

意法半導(dǎo)體經(jīng)過市場檢驗的MDmesh V產(chǎn)品采用多種類型的封裝,包括Max247、TO-247、D2PAK、TO-220/FP、PowerFLAT 8x8 HV以及I2PAK。TO-247封裝的STW88N65M5現(xiàn)已上市。
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