產(chǎn)品特性：
- 采用TO 無鉛封裝
- 采用擴(kuò)散焊接黏晶技術(shù)
- 提升電性與散熱表現(xiàn)
- 大幅降低封裝的導(dǎo)通電阻值
應(yīng)用范圍：
- 汽車電子
近日消息，英飛凌科技(Infineon)于日前宣布推出采用 TO 無鉛封裝的汽車電源 MOSFET 系列產(chǎn)品。
OtpiMOS T2 為業(yè)界率先采用 TO 無鉛封裝的車用電源 MOSFET，系列產(chǎn)品包括IPB160N04S4-02D ( 160A， TO-263 封裝)、IPB100N04S4-02D (100A, TO-263)、 IPP100N04S4-03D (100A, TO-220) 以及 IPI100N04S4-03D (100A, TO-262) 皆已上市。
新型 40V OptiMOS T2 MOSFET 結(jié)合創(chuàng)新的封裝技術(shù)及英飛凌的薄晶圓制程技術(shù)。據(jù)英飛凌表示，其MOSFET 新系列產(chǎn)品超越了現(xiàn)行歐盟 RoHS 對(duì)于含鉛焊錫封裝的規(guī)范。
英飛凌采用擴(kuò)散焊接黏晶技術(shù)所生產(chǎn)的無鉛封裝包括TO-220, TO-262 以及 TO-263。由于封裝幾何方面對(duì)于晶粒焊墊厚度與晶片尺寸的特殊要求，現(xiàn)今擴(kuò)散焊接粘晶技術(shù)僅適用于上述三種英飛凌所提供的封裝形式，OptiMOS T2 系列產(chǎn)品的量產(chǎn)已準(zhǔn)備就緒。
英飛凌指出，更嚴(yán)格的 ELV RoHS 標(biāo)準(zhǔn)可能將于 2014年施行，屆時(shí)將要求采用完全無鉛的封裝方式。作為業(yè)界首款無鉛封裝 MOSFET，英飛凌的新產(chǎn)品讓客戶滿足更嚴(yán)格的要求。
英飛凌專利的無鉛黏晶 (die attach) 技術(shù)采用擴(kuò)散焊接，可提升電性與散熱表現(xiàn)、可制造性以及品質(zhì)。此黏晶技術(shù)搭配英飛凌的薄晶圓制程(60μm，標(biāo)準(zhǔn)為 175μm)，可實(shí)現(xiàn)不使用鉛及其他有毒物質(zhì)的環(huán)保產(chǎn)品，并大幅降低封裝的導(dǎo)通電阻值 RDS(ON)。
另外，熱阻 (RthJC) 改善率高達(dá) 40- 50%。英飛凌表示，傳統(tǒng)軟鉛焊料的熱傳導(dǎo)能力不佳，阻礙了MOSFET 接面之散熱，而新元件則大幅改良了熱阻。其他優(yōu)點(diǎn)還包括：由于沒有焊錫流跡 (Bleed-out) 及晶片傾斜 (Chip tiltness)的問題，以及更收斂的RDS(on) 與 RthJC 分布，提供了更佳的可制造性。降低產(chǎn)品內(nèi)的機(jī)電應(yīng)力，也提升了產(chǎn)品可靠性和品質(zhì)。
從新款 OptiMOS T2 40V (如：IPB160N04S4-02D，160A) 的規(guī)格得知，其 RDS(on) 僅 2.0mΩ 且 RthJC 僅 0.9K/W。相較于使用標(biāo)準(zhǔn)鉛焊接的同類產(chǎn)品，其導(dǎo)通電阻降低了約20% 。此外，英飛凌專利的擴(kuò)散焊接技術(shù)可減少「晶片至導(dǎo)線架」的熱阻抗，讓新型 OptiMOS T2 產(chǎn)品擁有同級(jí)產(chǎn)品中最佳效能。
