- 可在高溫條件下工作
- 采用新開(kāi)發(fā)的高耐熱樹(shù)脂
- 面向EV/HEV車（電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力車）
- 工業(yè)設(shè)備的變頻驅(qū)動(dòng)
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社日前面向EV/HEV車（電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力車）和工業(yè)設(shè)備的變頻驅(qū)動(dòng)，開(kāi)發(fā)出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開(kāi)發(fā)的高耐熱樹(shù)脂，世界首家實(shí)現(xiàn)了壓鑄模類型、225℃高溫下工作，并可與現(xiàn)在使用Si器件的模塊同樣實(shí)現(xiàn)小型和低成本封裝，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。這種模塊是600V/100A三相變頻，搭載了羅姆的6個(gè)SiC-SBD和6個(gè)SiC溝槽MOSFET，經(jīng)驗(yàn)證工作溫度可高達(dá)225℃。此外，該模塊使用范圍可達(dá)1200V級(jí)。因此，與傳統(tǒng)的Si-IGBT模塊相比，其損耗大大降低，不僅可實(shí)現(xiàn)小型化，而且與以往的母模類型SiC模塊相比，還可大幅降低成本。本產(chǎn)品預(yù)計(jì)于3～4年后達(dá)到實(shí)際應(yīng)用階段。在此基礎(chǔ)上，針對(duì)搭載了門(mén)極驅(qū)動(dòng)器IC的IPM，羅姆還計(jì)劃使用本技術(shù)，開(kāi)發(fā)搭載SiC的壓鑄模類型DIP型、可高溫條件下工作的、使用范圍達(dá)600V/50A的IPM。
近年來(lái)，在迅速發(fā)展的EV/HEV車等所代表的電力電子技術(shù)領(lǐng)域，要求提供更高功率化、更高效化、更高溫工作的元器件，因此，各公司在進(jìn)行SiC器件開(kāi)發(fā)的同時(shí)，都在開(kāi)發(fā)可在高溫下高效工作的SiC模塊。羅姆于2010年10月世界首次實(shí)現(xiàn)將搭載了SiC溝槽MOSFET的模塊(600V/450A)和搭載了SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）的二極管模塊(600V/450A)內(nèi)置于電機(jī)并成功驅(qū)動(dòng)。關(guān)于模塊，由于傳統(tǒng)的壓鑄模類型無(wú)法耐受200℃以上的高溫，因此長(zhǎng)期使用的是耐熱特性達(dá)250℃材料的母模類型。羅姆一直不懈地推進(jìn)與母模類型相比有利于小型化、低成本化、量產(chǎn)化的壓鑄模類型的開(kāi)發(fā)。但是，能在200℃以上溫度環(huán)境下使用的封裝樹(shù)脂多為硬質(zhì)材料，存在高溫環(huán)境下容易開(kāi)裂等課題，超過(guò)200℃的高耐熱壓鑄模類型的開(kāi)發(fā)曾一度陷入困境。此次，羅姆通過(guò)樹(shù)脂的物理特性與模塊結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì)，做到了225℃的耐熱性和小型化，在世界上最先實(shí)現(xiàn)了壓鑄模類型、在225℃高溫下的高功率工作。羅姆將SiC器件本身的特點(diǎn)與此次的新封裝類型相結(jié)合，與具有相同功能的傳統(tǒng)Si-IGBT模塊相比，體積更小，僅為1/50，電氣特性方面也實(shí)現(xiàn)了“全SiC”（溝槽式MOS和SBD）化，因此，開(kāi)關(guān)時(shí)間減少了一半，成功的大幅度的提高了速度。
羅姆今后還將繼續(xù)致力于面向汽車相關(guān)市場(chǎng)、其他市場(chǎng)的SiC器件及SiC模塊的開(kāi)發(fā)。
＜主要特點(diǎn)＞
１）225℃高溫工作
２）6 in 1封裝，適用600V/100A級(jí)的變頻驅(qū)動(dòng)
３）以壓鑄模類型實(shí)現(xiàn)了小型化
４）通過(guò)“全SiC”（溝槽式MOS和SBD）化，實(shí)現(xiàn)了高速化、高效化
＜主要規(guī)格＞
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尺寸 |
長(zhǎng)：32mm 寬：48mm 高：3mm?。?.608cm³） |
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電路結(jié)構(gòu) |
3相變頻（6 in 1） |
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額定電壓 |
600V |
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額定電流 |
100A |
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耐熱溫度（驅(qū)動(dòng)） |
Tjmax 225℃ |
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封裝類型 |
壓鑄模 |
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開(kāi)關(guān)時(shí)間 |
導(dǎo)通76ns/關(guān)斷96ns |
＜模塊的靜態(tài)特性＞
＜模塊的開(kāi)關(guān)波形＞
（測(cè)量條件： Ids=100A、Vds=300V、負(fù)載：L=200uH、Rg=3.2Ω、Rgs=15kΩ）
