產(chǎn)品特性：
- 超小型、高密度、高效率
- 導(dǎo)通電阻極低
應(yīng)用范圍：
- 智能手機、電腦、數(shù)碼相機、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應(yīng)用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
新款的PQFN2x2器件提供20V、25 V和30 V的選擇，并帶有標(biāo)準(zhǔn)或邏輯水平柵極驅(qū)動器。這些器件只需要4平方毫米的占位空間，采用IR最新的低電壓N-通道和P-通道硅技術(shù)，從而達到極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ，以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封裝的高功率密度。
IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IR的新型PQFN2x2器件進一步擴展IR廣闊的功率 MOSFET系列，也可以滿足我們客戶的需求，進一步縮小封裝尺寸，并結(jié)合基準(zhǔn)硅技術(shù)。這些新器件擁有超小尺寸和高密度，非常適合于高度數(shù)字化內(nèi)容相關(guān)的應(yīng)用。”
這個PQFN2x2系列包括為負(fù)載開關(guān)的高側(cè)而優(yōu)化的P-通道器件，帶來一個更簡單的驅(qū)動解決方案。同時，新器件的厚度少于1 mm，使它們與現(xiàn)有的表面貼裝技術(shù)兼容，并且擁有行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的占位空間，還符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令 (RoHS) 。
產(chǎn)品規(guī)格
| 組件編號 | 配 置 | BV (V) | 最大Vgs (V) | 在10V下典型/最大RDS (on)(m?) |
在4.5V下典型/最大RDS (on)(m?) |
在2.5V下典型/最大RDS (on)(m?) |
| IRFHS9301 | 單一 | -30 | -20 | 30/37 | 48/60 | - |
| IRLHS2242 | 單一 | -20 | -12 |
- | 25/31 | 43 / 53 |
| IRLHS6242 | 單一 | +20 | +12 |
- | 9.4/11.7 | 12.4/15.5 |
| IRLHS6342 | 單一 | +30 | +12 | - | 12 / 16 | 15 /20 |
| IRFHS8242 | 單一 | +25 | +20 | 10/13 | 17 / 21 | - |
| IRFHS8342 | 單一 | +30 | +20 | 13/16 |
20 / 25 | - |
