- 柵極-源極間的電壓為15V
- 漏極-源極間的電壓為4V左右
- 電流值接近90A
- 功率模塊
三菱電機面向過電流保護電路試制出了具有“電流感測功能”的SiC制MOSFET，并在功率半導體相關(guān)國際學會 “ISPSD 2011”上進行了發(fā)布。這是用于同時內(nèi)置有驅(qū)動電路和過電流保護電路的SiC功率模塊的 MOSFET。該模塊此前已經(jīng)公開，但此次是首次公開MOSFET的具體性能。
此次試制的MOSFET除了用于電源電路開關(guān)的主要MOSFET單元以外，還針對電流測量功能在一片芯片上配備了將電流進行部分分流的小型MOSFET單元。芯片尺寸為3.3mm見方。過電流保護電路用來監(jiān)控該分流電流的大小，當檢測到電流值超過一定值時（過電流），就會切斷驅(qū)動電路（柵極驅(qū)動電路）。
MOSFET單元的主要性能如下：柵極-源極間的電壓為15V、漏極-源極間的電壓為4V左右，電流值接近90A。換算成電流密度為100A/cm2。此時，室溫下的導通電阻為3.6mΩcm2。三菱強調(diào)，即使是在230℃的高溫環(huán)境下，導通電阻也只有6.9mΩcm2。
另外，如果向電流感測MOSFET分流的電流值為1，那么在室溫下流向主要MOSFET的電流值相當于4400。雖然溫度越高這個比值越小，但是變化量很小。例如，溫度175℃時為4000左右。
