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如何通過(guò)USB連接器保護(hù)電源和充電器件的安全

發(fā)布時(shí)間:2011-03-22

中心議題:

  • 電氣特性
  • 如何設(shè)計(jì)保護(hù)電路
  • 不同的保護(hù)等級(jí)

解決方案:

  • 設(shè)計(jì)過(guò)壓保護(hù)電路
  • 良好的保護(hù)器件


如今大多數(shù)電子設(shè)備都有USB連接器,它們通過(guò)USB實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)交換或?qū)Ρ銛y設(shè)備的電池充電。雖然USB這種通信協(xié)議已經(jīng)相當(dāng)普及,但當(dāng)目標(biāo)應(yīng)用需要通過(guò)USB連接為設(shè)備供電時(shí),必須注意一些安全防范措施。

1. 電氣特性和防護(hù)措施

通過(guò)USB連接的下游系統(tǒng)可以由多種類(lèi)型的主機(jī)來(lái)供電。

在連接個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)等標(biāo)準(zhǔn)USB源設(shè)備時(shí),連接器上將包含Vbus電源端子和數(shù)據(jù)端子(D+D-)。Vbus電壓值由USB規(guī)范明 確定義:額定電壓為5V,最高可達(dá)5.25V。事實(shí)上,較長(zhǎng)的線纜會(huì)因串連電感產(chǎn)生振鈴現(xiàn)象。這個(gè)最大振鈴紋波電壓取決于移動(dòng)設(shè)備的輸入電容和寄生電感。 售后非原配件往往具有較低的性能,電纜也會(huì)有較高的寄生參數(shù),這些因素對(duì)連接的外設(shè)可能造成潛在危害。

通常Vbus引腳連接至收發(fā)器的電源輸入引腳(有時(shí)會(huì)通過(guò)最大額定電壓為6V的低壓降穩(wěn)壓器進(jìn)行連接),在Vbus電源用于對(duì)鋰離子電池充電時(shí)(大多數(shù)情況下最大額定電壓為7V10V)也可以連接至充電器的輸入引腳。

但用戶也可以連接外設(shè)為內(nèi)置鋰離子電池充電(如圖1的墻適配器部分),然后使用市場(chǎng)上出售的墻適配器。在這個(gè)案例中,僅有Vbus引腳和GND被連接,而D+D-被短路。


1:通過(guò)外設(shè)為內(nèi)置電池充電。

根據(jù)這種適配器的質(zhì)量和復(fù)雜程度,其輸出電壓可能發(fā)生遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)制造目前小型便攜式產(chǎn)品所需敏感電子元件最大額定值的輸出瞬態(tài)現(xiàn)象。

對(duì)一些交流-直流電源的基準(zhǔn)測(cè)試顯示出不良的線路穩(wěn)壓性能,而在存在光耦反饋(開(kāi)關(guān)充電器)損耗的情況下更糟糕,輸出電壓可能升高至20V。 通過(guò)在設(shè)備前面設(shè)計(jì)過(guò)壓保護(hù)(OVP)器件,浪涌效應(yīng)和主機(jī)不盡責(zé)現(xiàn)象可以被消除。

2. 如何設(shè)計(jì)

USB電流能力在正常模式下是100mA(未配置模式),而在配置模式下可達(dá)500mA。為了節(jié)省功率,在沒(méi)有數(shù)據(jù)流量時(shí)USB將進(jìn)入暫停 模式。當(dāng)器件處在暫停模式,而且又是總線供電的話,器件將不能從總線抽取超過(guò)500μA的電流。

一個(gè)主機(jī)能夠發(fā)出恢復(fù)指令或遠(yuǎn)程喚醒指令來(lái)激活另一個(gè)待機(jī) 狀態(tài)的主機(jī)。上述要點(diǎn)表明OVP電路需要滿足不同指標(biāo)要求,如電流能力、散熱、欠壓和過(guò)壓保護(hù)及靜態(tài)電流消耗。

當(dāng)處在暫停模式時(shí),與Vbus線路串連的OVP器件將呈現(xiàn)最低的電流消耗,并由收發(fā)器啟動(dòng)序列喚醒過(guò)程(2)。


2USB器件暫停模式下的電流消耗。[page]

OVP內(nèi)核(2)采用的是PMOS驅(qū)動(dòng)器,因此電流消耗極低。為了通過(guò)PMOS旁路元件消除任何類(lèi)型的寄生耦合電壓,必須在盡可能靠近OVP器件的地方安排一些小型輸入和輸出電容(3)。



3:利用輸出電容來(lái)消除瞬態(tài)過(guò)沖。

在圖3的案例2中,輸出電容已被移除。這樣,當(dāng)OVP器件輸入端出現(xiàn)快速輸入瞬態(tài)現(xiàn)象時(shí),旁路元件將保持開(kāi)路。這時(shí)可以在輸出端觀察到過(guò) 沖,這個(gè)過(guò)沖可能會(huì)損壞連接至OVP輸出端的電子元器件。為了解決這個(gè)問(wèn)題,必須在輸出引腳上連接一個(gè)輸出電容,并盡量靠近OVP器件擺放。

由于源極和漏極之間存在PMOS寄生電容,在輸入脈沖期間正電壓電平將被傳遞,從而在PMOS驅(qū)動(dòng)器喚醒期間維持一個(gè)比門(mén)電位更低的電壓(電容填充)。1個(gè)1μF的陶瓷電容足以解決這個(gè)問(wèn)題。見(jiàn)圖3中的案例1。

另一個(gè)要點(diǎn)是過(guò)壓閥值的定義。過(guò)壓鎖定(OVLO)和欠壓鎖定(UVLO)閥值由發(fā)生欠壓或過(guò)壓事件時(shí)切斷旁路元件的內(nèi)部電容所確定。 OVLO電平必須高于Vbus最大工作輸出電壓(5.25V)加上比較器的滯后電壓。同樣,UVLO參數(shù)的最大值必須低于系統(tǒng)中第一個(gè)元件的最大額定電壓。

通常OVLO的中心位于5.675V,能夠有效保護(hù)下游系統(tǒng),使其承受6V的電壓,而Vusb紋波電壓可達(dá)5.25V。此前的文章(參考資料1)中提 供了更詳細(xì)的資料,也提供了與墻適配器電源兼容的OVLOUVLO參數(shù)值。

在設(shè)計(jì)OVP部分時(shí),鑒于驅(qū)動(dòng)關(guān)鍵電流的內(nèi)部MOSFET的原因,不應(yīng)忽視散熱問(wèn)題。大家已經(jīng)明白為什么建議這類(lèi)保護(hù)使用PMOS(低電流 消耗),而且由于PFetNFet擁有更高的導(dǎo)通阻抗(Rdson),必須優(yōu)化熱傳遞,以避免熱能損壞。根據(jù)應(yīng)用所需的功率,建議采用具有裸露焊盤(pán)的封 (NCP360 μDFN)。器件數(shù)據(jù)手冊(cè)中提供了RθJA圖表,也可以聯(lián)系安森美半導(dǎo)體銷(xiāo)售代表了解進(jìn)一步信息。

如今大多數(shù)電子設(shè)備都有USB連接器,它們通過(guò)USB實(shí) 現(xiàn)數(shù)據(jù)交換和/或?qū)Ρ銛y設(shè)備的電池充電。雖然USB這種通信協(xié)議已經(jīng)相當(dāng)普及,但當(dāng)目標(biāo)應(yīng)用需要通過(guò)USB連接為設(shè)備供電時(shí),必須注意一些安全防范措施。

3. 幾種不同的保護(hù)等級(jí)

正如電氣特性和防護(hù)措施小節(jié)所述那樣,浪涌電流是造成器件電氣損壞的根源之一,需要采用OVP器件來(lái)克服這一問(wèn)題。為了避免任何類(lèi)型的浪涌行為,OVP器件中通常都包含了軟啟動(dòng)順序。這個(gè)特殊順序貫穿于PFet門(mén)的逐漸上升過(guò)程中,見(jiàn)圖4。[page]

4:克服浪涌的OVP器件的軟啟動(dòng)過(guò)程。

即便出現(xiàn)Vusb或墻適配器快速輸出上升(熱插),在器件的Vout端也觀察不到電壓尖峰,這得益于4ms的軟啟動(dòng)控制。這種保護(hù)的最關(guān)鍵特性是能以最快速度檢測(cè)到任何過(guò)壓情況,然后將內(nèi)部FET開(kāi)路。

OVP器件的關(guān)閉時(shí)間從突破OVLO閥值開(kāi)始算到Vout引腳下降為止。NCP360盡管消耗電流極低,但具有極快的關(guān)閉時(shí)間。典型值700ns/最大值1.5μs的關(guān)閉時(shí)間使得該器件成為當(dāng)今市場(chǎng)上一流的器件,如圖5所示。

 

 

5NCP360具有極快的關(guān)閉時(shí)間。

為了提供更高的保護(hù)等級(jí),這些器件中可以加入過(guò)流保護(hù)(OCP)特性。通過(guò)提供這種額外的功能模塊,充電電流或設(shè)備的負(fù)載電流不會(huì)超過(guò)內(nèi)部編程好的限定值。為了符合USB規(guī)范,而瞬態(tài)電流又可能高達(dá)550mA,因此電流極限必須高于這個(gè)值。這個(gè)功能集成在更先進(jìn)的型號(hào)NCP361之中。這兩 款產(chǎn)品都提供熱保護(hù)功能。

 

 

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