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SLD3237VF:索尼發(fā)布半導(dǎo)體激光二極管適用于藍(lán)光光盤

發(fā)布時間:2010-10-04 來源:技術(shù)在線

SLD3237VF的產(chǎn)品特性:                              左側(cè)為SLD3237VF右側(cè)為SLD3237VFR                                 

  • 脈沖輸出高達(dá)400mW
  • 工作溫度范圍為0~85℃
  • 功率高

SLD3237VF的應(yīng)用范圍:

  • 支持大容量藍(lán)光光盤                                                           

索尼宣布上市了記錄及播放用藍(lán)光光盤的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光二極管新產(chǎn)品“SLD3237VF”。脈沖輸出高達(dá)400mW,還支持大容量藍(lán)光光盤的新規(guī)格“BDXL”。

索尼表示,此次的400mW級輸出功率藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光二極管是業(yè)界首款產(chǎn)品。通過高功率化,確保了輸出余裕度,從而可擴(kuò)大鏡頭和棱鏡等光學(xué)部件的選擇范圍。另外,通過擴(kuò)大光學(xué)部件的選擇范圍,可提高硬件的設(shè)計(jì)自由度。

實(shí)現(xiàn)400mW級的高輸出功率,需要防止稱為災(zāi)變性光學(xué)損傷(COD)的激光共振器端面因激光器的熱量而溶解,并為確保高可靠性而提高構(gòu)成材料GaN結(jié)晶的結(jié)晶品質(zhì)等高度的技術(shù)革新。此次的產(chǎn)品新開發(fā)出了端面涂層材料和制膜方法,比此前會導(dǎo)致COD發(fā)生的300mW級半導(dǎo)體激光器,成功提高了光輸出值。

另外,為了改進(jìn)結(jié)晶質(zhì)量,新開發(fā)了對構(gòu)成材料——GaN類材料的生產(chǎn)作了優(yōu)化的MOCVD(有機(jī)金屬化學(xué)氣相成長)結(jié)晶成長裝置。該MOCVD裝置可一次對多張底板施以結(jié)晶成長,能夠應(yīng)對今后藍(lán)光光盤用半導(dǎo)體激光二極管的需求增長。并且,還開發(fā)了繼結(jié)晶成長工序后的晶圓加工工序中可確保高生產(chǎn)效率的工藝及工藝裝置。

SLD3237VF裝在5.6mmφ的標(biāo)準(zhǔn)封裝中。工作溫度范圍為0~85℃。此外,還同時上市了封裝在薄型IT驅(qū)動用的3.8mmφ小徑封裝中的“SLD3237VFR”。該產(chǎn)品的脈沖輸出為350mW,工作溫度范圍為0~90℃。兩款產(chǎn)品的樣品價(jià)格均為1000日元。生產(chǎn)將在索尼的全資子公司索尼白石半導(dǎo)體進(jìn)行。
 

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