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IR推出基準工業(yè)級30V MOSFET

發(fā)布時間:2009-08-27

產品特性:
  • 采用IR最新一代的溝道技術,低導通電阻
  • 擁有充分表征的崩潰電壓和電流
  • 獲得了工業(yè)級及一級潮濕敏感度 (MSL1) 認證
  • 非常低的柵極電荷
應用范圍:
  • 不間斷電源 (UPS) 逆變器、低壓電動工具
  • ORing應用和網絡通信及和服務器電源等應用
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列獲得工業(yè)認證的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET,為不間斷電源 (UPS) 逆變器、低壓電動工具、ORing應用和網絡通信及和服務器電源等應用提供非常低的柵極電荷 (Qg) 。

這些堅固耐用的MOSFET采用IR最新一代的溝道技術,并且通過非常低的導通電阻 (RDS(on)) 來減少散熱。此外,新器件的超低柵極電荷有助于延長不間斷電源逆變器或電動工具的電池壽命。

IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“新器件能夠提供最佳性價比。此外,通過提供四個等級的RDS(on) 及將Qg保持在30V的水平,新器件可讓設計工程師靈活地選擇最適合的器件,來配合其設計的規(guī)范和要求。”

新款MOSFET擁有充分表征的崩潰電壓和電流。隨著IR對這些基準MOSFET的持續(xù)開發(fā),它們將可以作為現(xiàn)有30V TO-220器件的直接替代品或升級品。

新器件獲得了工業(yè)級及一級潮濕敏感度 (MSL1) 認證。這些30V MOSFET采用TO-220封裝,皆為無鉛設計,并符合電子產品有害物質管制規(guī)定 (RoHS) 指令。

產品的基本規(guī)格:

器件編號

封裝

 

RDS(on)

ID @ TC

典型Qg

 (nC)

典型Qgd

 (nC)

VBRDSS

(V)

@ 4.5V

(mOhms)

@ 10V

(mOhms)

25°C

(A)

100°C

(A)

IRLB8721PbF

TO-220AB

30

4.5

8.7

62

44

7.6

3.4

IRLB8743PbF

TO-220AB

30

4.2

3.2

150

110

36

13

IRLB8748PbF

TO-220AB

30

6.8

4.8

92

65

15

5.9

IRLB3813PbF

TO-220AB

30

2.6

1.95

260

190

57

19

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