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IR推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動溝道HEXFET功率MOSFET

發(fā)布時間:2009-05-07

產(chǎn)品特點:

  • 該器件具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻和高封裝電流額定值
  • 在4.5V Vgs下實現(xiàn)非常低的RDS(on)
  • 電壓范圍為40V至100V
  • 已獲得工業(yè)級和MSL1潮濕敏感度認(rèn)證

應(yīng)用領(lǐng)域:

  • 高功率DC電機(jī)和電動工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用

國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值,適用于高功率DC電機(jī)和電動工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用。

新系列基準(zhǔn)MOSFET采用了IR最新的溝道技術(shù),可在4.5V Vgs下實現(xiàn)非常低的RDS(on) ,顯著改善了熱效率。此外,這些器件具有更高的電流額定值,多余瞬變可以帶來更多防護(hù)頻帶,并可減少由多個MOSFET共享高電流的并行拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的元件數(shù)目。與典型封裝額定值相比,由于封裝電流額定值高達(dá)195A,TO-220、D2PAK和TO-262封裝的改善超過了60%;與標(biāo)準(zhǔn)D2PAK封裝相比,7引腳D2PAK進(jìn)一步降低了多達(dá)16%的RDS(on),功能更為完善。

IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“新推出的邏輯電平柵極驅(qū)動溝道MOSFET具有基準(zhǔn)RDS(on) ,能夠由微控制器或弱電池驅(qū)動,提升其在輕負(fù)載條件下的效率。這些新元件非常適合高電流DC-DC轉(zhuǎn)換和DC電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。”

新型邏輯電平溝道MOSFET系列的電壓范圍為40V至100V。該系列已獲得工業(yè)級和MSL1潮濕敏感度認(rèn)證,更具備所有標(biāo)準(zhǔn)功率封裝,包括TO-220、D2PAK、TO-262 以及7引腳D2PAK。新元件不含鉛并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。

產(chǎn)品的基本規(guī)格如下:

元件編號
封裝
Bvdss (V) 
4.5Vgs
最大RDS(on) (mΩ)
25°C 下的Id (A) 
4.5Vgs下的
典型Qg (nC)
IRLS3034-7PPBF
D2PAK-7
40
1.7
*240
108
IRLB3034PBF
TO-220
40
2.0
*195
108
IRLS3034PBF
D2PAK
40
2.0
*195
108
IRLS3036-7PPBF
D2PAK-7
60
2.2
*240
91
IRLB3036PBF
TO-220
60
2.8
*195
91
IRLS3036PBF
D2PAK
60
2.8
*195
91
IRLS4030-7PPBF
D2PAK-7
100
4.1
190
87
IRLB4030PBF
TO-220
100
4.5
180
87
IRLS4030PBF
D2PAK
100
4.5
180
87

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